5G毫米波阵列天线仿真--CDF计算（方法2）

之前写过一期关于阵列天线怎么获取CDF:

文中末尾提到了也可以通过powerflow功率密度推导，这期我们就以同样的模型，演示另一种获取CDF的方法。

Step 1. 仿真得到全S参数

天线S参数显示工作频段为n257的26.5GHz-29.5GHz毫米波。

单端口的远场显示均匀主瓣向上。

Step 2. 定义激励参数

这次我们直接定义一个参数”theta”，初始值为30，然后用后处理2D and 3D Field Results -> Combine Results ，定义振幅和相位。这里为了和之前文章介绍的方法结果一致，所以振幅都为1，只用theta控制相位。（遮盖部分是sinD(theta)）

这里就得到一个定向的远场波束。

Step 3. 计算Total Scan Pattern (TSP)

这步和上次方法1的从Farfield Result里面拿增益形式的TSP不同，这里我们用远场包络叠加得到远场形式的TSP。用后处理Farfield and Antenna Properties -> Calculate Farfield Envelope，然后Add to List, Results选刚才的波束。一定要勾选“include existing envelope pattern in comparison”, 才能叠加起来算TSP。角度采样用1，点ok生成后处理即可。

Step 4. 扫描波束

和之前一样，还是需要后处理参数扫描theta或phi，这是为了得到若干个波束来算TSP。还是注意这里用的是扫描后处理而已。我们用简单五个theta角度。

Step 5. TSP的功率形式

这一步我们要对远场包络进行处理，就是本方法的重点了，振幅放大(4*pi)^0.5倍，或者是sqrt(4*pi)，等下解释公式。用Mix Farfield Results，然后Add to List, 结果选刚才的叠加包络，确定一下Theta是Z方向，Phi 是X方向。

给这个功率形式的TSP起个名字，就叫EIRP了，角度采样还是1，点ok。

单独运行这个后处理，则得到叫EIRP的远场，power flow的形式。

Step 6. 计算CDF

最后一步和方法一基本一样，就是远场结果处理。和上次用Realized Gain不同，这里方法二我们选Power pattern，也就是通过功率密度计算EIRP。

运行该后处理就可以得到CDF了。曲线和方法一一致，但是仔细看横坐标有所差别，

这是因为上一篇的方法最后调整x轴坐标略有不严谨，随意加上了10（而且文章中笔误10dBW写成了10dBm）。实际上我们有四个端口激励，振幅都是1的话，总功率就是0.5Wx4=2W=3.01dBW, 所以其实横坐标移动3.01就对了。

所以两个方法结果是一致的！你喜欢哪个？

最后总结

1. 本文方法的优势是自动考虑了输入的功率，无需之前方法一的最后步骤--- 横坐标的手动调整。

2. 本文方法原理就是，1W激励的全向天线在1米处的功率密度为1/4pi （W/m^2），所以当我们计算出远场，然后把场强放大sqrt(4pi)倍（等于包络的功率加上11dBW），得出的就是EIRP了，最后计算CDF时把参考距离设1米就ok了。

---

【推荐内容】

CST软件如何使用Bend Shape操作将一个物体贴合到另一个物体表面

CST软件如何调整仿真模型的显示精度

CST如何通过Shell Solid or Thicken Sheet对模型进行挖空及加厚