数电复习第二章门电路2.1

最新推荐文章于 2021-07-06 12:59:07 发布
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本文详细介绍了半导体开关，包括二极管、三极管和MOS管的开关特性。探讨了三极管饱和导通和截止条件，以及MOS管开关的特性。此外，还讲解了二极管的与门和或门，以及三极管非门的工作原理，并重点分析了TTL集成门电路中的与非门（反相器）的典型电路和工作原理。
摘要由CSDN通过智能技术生成

半导体开关

二极管开关

tre恢复时间

三极管开关特性

饱和导通条件，IB>=IBS

饱和导通特点：VBE=0.7 Vce=Vces

发射极和集电极如同导通的开关

截止时的特点：Vbe<0.5

发射极和集电极如同断开的开关

三极管饱和深度越深关断时间越长

MOS管开关特性
二极管与门和或门

结构简单；输出存在电平偏移，带负载能力差；

三极管非门

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