半导体开关
二极管开关
tre恢复时间
三极管开关特性
饱和导通条件,IB>=IBS
饱和导通特点:VBE=0.7 Vce=Vces
发射极和集电极如同导通的开关
截止时的特点:Vbe<0.5
发射极和集电极如同断开的开关
三极管饱和深度越深关断时间越长
MOS管开关特性
二极管与门和或门
结构简单;输出存在电平偏移,带负载能力差;
三极管非门
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