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原创 使用三极管搭建简单的运算放大器
2、如下图仿真实验,图一为两个输入信号基本重合,图二为R4上被放大的差分信号,图三为最后的Vout;控制原理:Q3Q4作为输入端,差分输入-->造成Q3Q4发射极电压变化-->影响R4的上端电压变化-->Q5基极电压变化-->Vout变化-->通过R5R6的负反馈网络调整Q3Q4发射极电压。1、R1R2关系着Q345的放大增益,原理为之前BJT共射放大回路增益A=-RC/RE(“-”为电压方向)。1、镜像电流源当做恒流源代替原本Q3Q4Q5的上端负载电阻,1为=-5V,2为=+5V。3、运用运放验证电路。
2025-12-28 19:07:42
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原创 镜像电流源
镜像电流源通过控制晶体管Vbe调节Ib,使输出电流IC≈(VCC-UBE)/R,实现电流控制。其特点是电路简单但存在功耗与电阻取值矛盾:IC过大时R功耗大,IC过小时需大阻值电阻。仿真实验验证了普通和多路电流源特性,其中多路电流源需满足Rload<(VCC-VBE)/Iref。选型时需根据所需Iout确定Iref、VCC和Rref,并考虑三极管的耐压值、最大电流及击穿电压等参数。该设计提供了一种可控电流源方案,但需权衡功耗与元件参数选择。
2025-12-26 20:36:50
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原创 共射放大电路(小信号放大)
(1)若Vin振幅为500mV,偏置电压R1和R2一般满足Vbe=0.7V,Ve=1V,即VbQ=0.7+1+0.5=2.2V.过大,由于外部输入小信号到达正半轴时,耦合后偏置电压增大,会导致BJT进入饱和区,出现饱和失真。过小,由于外部输入小信号到达负半轴时,耦合后偏置电压过小,会导致BJT进入截止区,出现截止失真。(2)偏置电压设计:提供合理的静态工作点,防止当信号输入小于0时出现失真,需要设计合理。(2)耦合电容C1C2,一般不要过小,合适能够使Vin通过就行。
2025-12-10 15:16:48
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原创 基于BJT/MOS的模拟开关电路
主要剩下PMOS如何选型:|Vth|<3V;R3:知晓这个电路就是要增强驱动能力,R3影响MOS管寄生电容的充放电能力,t=RC。主要目的弥补MCU直接驱动MOS管的驱动能力不足问题,且mos管接收端也可接受需高保真的连续模拟信号。R4:阻值须符合Vbe在0.7~0.9V之间,防止Ib过大,烧毁晶体管,防止Ib过小,进入截止区。电源V4为模拟MCU控制端口,驱动能力弱。V3为外部输入信号(可为直流,也可为连续的模拟信号)。BJT负责“强驱动”,MOS负责“高保真”。
2025-12-07 20:08:50
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原创 基于BJT的开关电路设计过程
摘要:本文设计了一个基于BJT开关管的电机驱动电路。设计要点包括:1)BJT工作在深度饱和区(Ib:Ic=1:10);2)射级接地降低功耗;3)基极并联大电阻(4.7k~22k)抑制干扰;4)续流二极管保护电路。仿真验证了续流二极管对抑制感应电动势的关键作用。选型时需考虑BJT的电流/耐压参数、电阻功率及二极管导通特性。该设计实现了高效可靠的电机驱动功能。
2025-12-06 21:52:29
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原创 关于电机驱动芯片和稳压模块的选择
选型的时候,首先还是要看PCB面积,如果面积足够,降压可以选择LM2596,升压可以选择XL6019,频率是1、200KHz,因为频率低,需要大的电感和电容。1,L298N:4路输出可以驱动两个电机,其中使用12V供电,具有一个5V电源输出口,使用L298N芯片驱动电机,该芯片可以驱动一台两相步进电机或四相步进电机,也可以驱动两台直流电机,并联时可以驱动四台电机。1.1: 常规接法:输入电压为12V时,将板载5V输出使能处的跳线帽插上,将12V输入接入12V电压,电源地接负极,5V不接入。
2025-08-04 08:59:22
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原创 根据原理图学电路(1)LM2663反转电压+5V->-5V
参考数据: LM266x Switched Capacitor Voltage Converter 数据表
2025-07-29 21:18:37
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原创 AD21原理图错误—’Unconnected line’ ‘Footprint of component Component C3 47uF cannot be found‘ ’Off grid’
主要用于在学习AD中的一些总结
2025-07-13 13:38:45
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空空如也
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