多通道主控并发的多CE NAND Flash页模型

       支持多通道主控并发的多CE NAND Flash页模型的建设，旨在依据NAND Flash的特性更高效的处理多通道并发，从而提高存储设备的吞吐速率，为SSD等的更高效的性能做保障。

      多通道并发，我们知道NAND Flash的擦除、编程、读操作都不是瞬间就完成了，都需要一定的时间，而在正常的流程中我们是浪费掉了这段时间，该设计利用多通道的主控就能利用这段时间。具体的流程是在通道0发生数据读写擦事件并且还未完成操作的过程中，触发通道1的读写擦事件，同样在通道0和1发生读写擦事件而还未完成的时候再触发下一个通道的读写擦事件，依次类推。下图为本设计的并发时的时序图。

图1 并发时序

       该图表示的是有4个通道的主控的并发过程，当然为了更好的表达并发的过程，这里只绘出了NAND Flash上的RB，旨在突出在一个通道的NAND Flash进入读写擦操作的时间后，其他通道的并发过程。 也是并发设计的精华所在。利用该特性，可以提高SSD等存储设备的速度。

利用上面的技术支持，这里建立多通道并发的多CE NAND Flash的页模型。

      设主控有4通道，一个通道下有4CE，FPage为页模型。   

      有：TCh（Total Channel）=4；

      TCe（Total CE）=4;

      TCC(Total ChannelCE)= Ch* Ce =16;

      则模型建设如下：

             FPageTempS = FPage \ TCC

            FPageTempY = FPage - FPageTempS * TCC

            ACe = FPageTempY \ TCh

            ACh = FPageTempY - ACe * TCh

       其中FPageTempY为中间变量。ACe表示当前操作的CE，ACh表示当前操作的CH ， FPageTempS 表示的是当前操作的物理页。

       由该模型对应到具体的NAND Flash中的页模型如下图：

图2 多通道多CE页模型（部分）

多通道多CE页模型说明：

       1.  图片里的例子是4通道4CE；

       2.  图片中最左边的是物理页号；

       3.  从模型可以知道该模型的排布方式是将4通道一起来排布的，这样就可以利用4通道的并发而同时对4个页进行读写操作，比起对一页操作大大的提高的主控的吞吐量，从而提高存储设备的读写速率。

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