- 博客(7)
- 收藏
- 关注
原创 SYM32L010关键特性-上海矽翊微ARM M0+超低功耗单片机
SYM32L010 矽翊微 上海矽翊微 SYM32L010F8P6 SYM32L010F8U6
2024-09-19 09:58:17
1019
原创 Cortex-M0 微控制器功能模块参考---新唐科技NuMicro 家族NUC100/NUC120/NUC130/NUC140系列
<br />选用新唐科技32位ARM Cortex-M0 NuMicro 家族微控制器的理由:<br />1、高效能、低价位—8位机价格、32位机效能;<br />2、C语言,无需汇编,和ARM Cortex-M3 向上兼容,和ARM7 二进制代码兼容;<br />3、便利的开发工具—Keil RVMDK、IAR EWARM;<br />4、广大的用户群、无新核学习障碍;<br />NuMicro 家族NUC100/NUC120/NUC130/NUC140系列功能模块参考:<br /> <br /><br
2010-08-31 10:02:00
1161
原创 如何使用W39D040A替换已经停产的29C040(5v工作电压并行flash )
型号W39D040W29C040工作电压不同3.3V5V写操作不同8 Even sectors with 64K bytes256 bytes per page替换使用建议: 1、供电电压可以使用专用稳压芯片(如1117)或直接使用二极管(如两个4148)压降到3.3V; 2
2009-01-08 09:59:00
2709
原创 W39D040A------512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY
The W39D040A is a 4Mbit, 3V/3.3V CMOS flash memory organized as 512K *8 bits. For flexible erase capability, the 4Mbits of data are divided into 8 uniform sectors of 64 Kbytes. The byte-wide
2009-01-08 09:47:00
1176
原创 新唐科技推出新一代8位单片机-N79E352
延续一直以来在单片机市场的创新与突破,新唐科技推出 8 位单片机新产品- N79E352 。 (1) 具备高速处理速度-4T,在相同工作频率下 新唐 N79E352 的效能 为传统 8051 的 2.5 倍, (2) 外接振荡器频率可达 24 MHz , (3) 内置 8K 快闪记忆容量( Flash ROM ),断电储存用 128B 数据记忆容量 (4)
2009-01-07 17:32:00
1582
原创 选择华邦w25系列串行闪存的理由^^
Pict 串行W25X各型号参数选择串行闪存的理由:(1)能够减少微处理器的封装管脚数目 (2)线路板(PCB)可以更小,更简单(3)能够减少系统电路切换噪声 (4)能够降低系统功能及制造成本 Part No.Densi
2009-01-07 17:09:00
1609
原创 台湾芯唐(华邦)强势推出:W79E2051/W79E4051,兼容AT89C2051/4051
台湾芯唐(华邦)强势推出:W79E2051/W79E4051,兼容AT89C2051/4051 特性 全静态8位CMOS加速51微控制器,时钟频率可达24MHZ; VDD: 2.4~5.5V 可达 12MHz, 4.5~5.5V 可达24MHz 可以通过软件选择时钟源: - 外部晶振: 最高 24MHz 晶振和时钟信号(通过配置位使能). - 片内振荡器
2008-11-20 17:39:00
1658
空空如也
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人