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RSS订阅原创 SYM32L010关键特性-上海矽翊微ARM M0+超低功耗单片机
SYM32L010 矽翊微 上海矽翊微 SYM32L010F8P6 SYM32L010F8U6
2024-09-19 09:58:17
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原创 Cortex-M0 微控制器功能模块参考---新唐科技NuMicro 家族NUC100/NUC120/NUC130/NUC140系列
<br />选用新唐科技32位ARM Cortex-M0 NuMicro 家族微控制器的理由：<br />1、高效能、低价位—8位机价格、32位机效能；<br />2、C语言,无需汇编,和ARM Cortex-M3 向上兼容,和ARM7 二进制代码兼容；<br />3、便利的开发工具—Keil RVMDK、IAR EWARM；<br />4、广大的用户群、无新核学习障碍；<br />NuMicro 家族NUC100/NUC120/NUC130/NUC140系列功能模块参考：<br /> <br /><br
2010-08-31 10:02:00
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原创 如何使用W39D040A替换已经停产的29C040（5v工作电压并行flash ）
型号W39D040W29C040工作电压不同3.3V5V写操作不同8 Even sectors with 64K bytes256 bytes per page替换使用建议： 1、供电电压可以使用专用稳压芯片(如1117)或直接使用二极管（如两个4148）压降到3.3V； 2
2009-01-08 09:59:00
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原创 W39D040A------512 K X 8 CMOS FLASH MEMORY
The W39D040A is a 4Mbit, 3V/3.3V CMOS flash memory organized as 512K *8 bits. For flexible erase capability, the 4Mbits of data are divided into 8 uniform sectors of 64 Kbytes. The byte-wide
2009-01-08 09:47:00
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原创 新唐科技推出新一代8位单片机-N79E352
延续一直以来在单片机市场的创新与突破，新唐科技推出 8 位单片机新产品－ N79E352 。 (1) 具备高速处理速度-4T，在相同工作频率下 新唐 N79E352 的效能 为传统 8051 的 2.5 倍， (2) 外接振荡器频率可达 24 MHz ， (3) 内置 8K 快闪记忆容量（ Flash ROM ），断电储存用 128B 数据记忆容量 (4)
2009-01-07 17:32:00
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原创 选择华邦w25系列串行闪存的理由^^
Pict 串行W25X各型号参数选择串行闪存的理由：（1）能够减少微处理器的封装管脚数目 （2）线路板（PCB）可以更小，更简单（3）能够减少系统电路切换噪声 （4）能够降低系统功能及制造成本 Part No.Densi
2009-01-07 17:09:00
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原创 台湾芯唐（华邦）强势推出：W79E2051/W79E4051,兼容AT89C2051/4051
台湾芯唐（华邦）强势推出：W79E2051/W79E4051,兼容AT89C2051/4051 特性 全静态8位CMOS加速51微控制器，时钟频率可达24MHZ； VDD: 2.4~5.5V 可达 12MHz, 4.5~5.5V 可达24MHz 可以通过软件选择时钟源: - 外部晶振: 最高 24MHz 晶振和时钟信号(通过配置位使能). - 片内振荡器
2008-11-20 17:39:00
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空空如也
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