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RSS订阅原创 Buck电路的功耗那些唯样代理|事儿
这是因为MOSFET 由于结构的原因不可避免的存在寄生电容，为了使 MOSFET 达到导通条件，也就是栅极电压Vgs超过某一阈值，必须通过栅极向这些寄生电容充电，这也就形成了驱动电流，同时为驱动电路提供瞬态电流的VCC电容和自举电容的容量有限，过大的驱动电流会引起不可接受的电容电压跌落，造成驱动电压下降或者控制芯片工作异常，需要通过电阻来限制这个充电电流，所以实际上MOS的导通是需要一定时间的。因此，选择开合适的开关频率、低侧二极管(仅用于非同步Buck变换器)以及电感是降低功率损耗的关键。
2024-12-29 23:13:45
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原创 一文读懂 | 如何选择多口充电器唯样代理|快充方案！
最近几年，充电器行业发展特别迅猛，市场上不断涌现大功率充电器产品，比如氮化镓65W充电头、100W充电器、120W充电器。最高可以支持到100W，36V输入，支持100% 占空比，高效能，充电不会浪费，内部集成MOS—体积降低、BOM成本更低，高频率 Buck可以选择更小的电感，进一步减小面积降低成本！MPF52003是基于MPF52000而设计，能直接支持三口快充，多种协议兼容，支持PD3.1，轻松实现充电无忧！不过，肯定有朋友觉得，100W这么大功率的充电器，我根本用不上，我的手机最大支持20W快充。
2024-12-29 23:03:18
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原创 功率器件的热设计基础（二）——唯样代理|热阻的串联和并联
对于每种封装，模块对散热器的热阻可能会在数据手册中给出，例如：FS450R12KE4 1200V 450 A EconoPACK™+6单元三相桥模块，在给定的安装条件下，RthCH为0.005K/W，由于6个开关（图中arm，在文章中arm称为开关）都安装在铜基板上，所以每个开关分享散热，每个开关的热阻是模块的6倍，就是RthCH_arm=0.03K/W。串联热阻中，总热阻等于各热阻之和，这是因为热量在传递过程中，需要依次克服每一个热阻，所以总热阻就是各热阻的累加。首先，我们来看热阻的串联。
2024-12-29 22:51:13
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原创 功率器件热设计基础（一）——唯样代理|功率半导体的热阻
热阻是由材料导热系数，厚度，面积决定的，一个实际带铜基板的IGBT功率模块的热阻分布如下图所示，芯片焊料导热性并不好，导热系数30W/(m·K)左右，但很薄，厚度往往只有0.1mm，所以在功率模块中热阻只占4%。我们在定义模块壳到散热器的热阻时，假设导热硅脂的导热系数是1W/(m·K)，厚度为30-100um，在芯片的散热通路中，其占比高达37%，是最大的部分。同时碳化硅的导热系数是490W/(m·K)，所以碳化硅芯片可以实现很高的功率密度，就是说，芯片面积很小，也可以保证芯片的散热。
2024-12-29 22:39:56
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空空如也
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