高精度实时时钟完全解决方案－SD2400系列

内置电池、晶振、串行NVSRAM/EEPROM、12字节RAM 、IIC接口、多种中断输出、高精度、免调校

SD2400系列是一种具有内置晶振、支持IIC串行接口的高精度实时时钟芯片，CPU可使用该接口通过5位地址寻址来读写片内32字节寄存器的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、通用SRAM寄存器)。   SD2400系列内置晶振,该芯片可保证时钟精度为±5ppm(在25℃下)，即年误差小于2.5 分钟；该芯片内置时钟精度调整功能，可以在很宽的范围内校正时钟的偏差(分辨力3ppm)，通过外置或内置的数字温度传感器可设定适应温度变化的调整值，实现在宽温范围内高精度的计时功能。   SD2400系列内置的一次性工业级电池或充电电池可保证在外部掉电情况下时钟使用寿命为5～8年时间；内部具备电源切换电路，当芯片检测到主电源VDD掉到电池电压以下,芯片会自动转为由备电电池供电。   SD2400系列内置单路定时/报警中断输出,报警中断时间最长可设至100年；内置频率中断输出和倒计时中断输出。      SD2400系列采用了多种提高芯片可靠性的技术,可满足对实时时钟芯片的各种需要，是在选用高精度实时时钟时的理想选择。

SD2400全系列性能特点：包括SD2400(A/C/D/E/F)

低功耗： 1.0μA 典型值(时钟电路部分，Ta=25℃)。 工作电压：3.3V～5.5V，工作温度：民用级0℃～70℃，工业级－40℃～85℃(部分内置电池产品工作温度－30℃～80℃)。  标准IIC总线接口方式, 时钟电路最高速度400KHZ(4.5V～5.5V)。 年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器。 闰年自动调整功能(从2000年～2099年)。 可选择12/24小时制式. 内置年、月、日、星期、时、分、秒共7字节的报警数据寄存器及1字节的报警允许寄存器。 内置12字节通用SRAM寄存器可用于存储用户的一般数据。 三种中断均可选择从INT脚输出,并具有两个中断标志位. 可设定并自动重置的单路报警中断功能（时间范围最长设至100年）,年、月、日、星期、时、分、秒报警共有96种组合方式，      并有单事件报警和周期性报警两种中断输出模式. 周期性频率中断输出:从32768Hz～1/16Hz……1秒共十五种方波脉冲. 自动重置的8位倒计时定时器,可选的4种时钟源（4096HZ、64HZ、1HZ、1/60HZ）。 内置晶振，出厂前已对时钟进行校准，时钟精度为±5ppm(在25℃±1℃下)，即年误差小于2.6 分钟。 内置时钟精度数字调整功能，可通过程序来调整走时的快慢。用户采用外置或内置的温度传感器，设定适应温度变化的调整值，      可实现在宽温范围内高精度的计时功能(在-10℃～+50℃小于5 ppm, 在-40℃～+85℃小于10ppm)。 内置备电自动切换功能 ，芯片依据不同的电压自动从VDD切换到VBAT或从VBAT切换到VDD。 在VBAT模式下，芯片具有中断输出允许或禁止的功能,可满足在备用电池供电时输出中断的需要。 内置的充电电池及充电电路，常温下累计电池电量超过550mAh,电池使用寿命为5～8年时间；常温下内置的一次性民用级电池使      用寿命为3~5年，一次性工业级电池使用寿命为5~8年时间。 内置的16kbit～256kbit非易失性SRAM（C/D/E型）,其读写次数为100亿次，且内部写延时小于300ns。 内置的2kbit～256kbitE2PROM（F/B/C/D/E型）,其擦写次数100万次 内置IIC总线0.5秒自动复位功能(从Start命令开始计时),保证时钟数据的有效性及可靠性,避免总线挂死问题。 内置三个时钟数据写保护位, 避免对数据的误写操作，可更好地保护时钟数据。 内置VBAT模式IIC总线通信禁止功能，从而避免在电池供电时CPU对时钟操作所消耗的电池电量，也可避免在主电源上、下电的      过程中因CPU的I/O端口所输出的不受控的杂波信号对时钟芯片的误写操作，进一步提高时钟芯片的可靠性。 内置上电复位电路及指示位;内置电源稳压,内部计时电压可低至1.5V。 芯片管脚抗静电(ESD)>4KV。 芯片在兴威帆的评估板上可通过4KV的群脉冲(EFT)干扰。 封装形式:SD2400/2401/2404-24脚的DIP封装, SD2402/2405/2406-16脚窄形DIP封装,SD2403-8脚的DIP封装;有工业级型号，其尾      缀加“I”以示区分，如“SD2400API”为SD2400AP的工业级，“P”标志为直插封装形式。   　 SD2400系列型号： 　 型号 功能 封装 数据手册下栽 (pdf格式) 一次性电池 晶振 充电电池 NVSRAM EEPROM 12字节RAM 数字温度传感器 SD2400A/C/D/EP √ √   √ 　 √     DIP24 SD2400RAM SD2400F/B/C/D/ELP √ √ 　   √ √      DIP24 SD2400EE  SD2401A/C/D/EP 　 √ √ √   √    DIP24 SD2401RAM SD2401F/B/C/D/ELP 　 √ √   √ √ 　  DIP24 SD2401EE SD2403API   √        √     DIP8       SD2403API SD2404FLPI √ √       √ √ √  DIP24 SD2404FLPI SD2405ALPI    √  √       √    DIP16 SD2405ALPI 备注： 1.后缀A/F/B/C/D/E：分别表示内置NVSRAM/E2PROM容量，分别为0/2/4/16/64/256Kbit  2.可申请免费样片。SD2400样品申请单 　 管脚图:              　 功能框图:                           注：图中INT、SDA、SDAE对VDD的上拉电阻均未标出，实际应用中要加上。 　 资料下载: 附文1  通用评估板资料[2009/03/08](以下程序均可在评估板上运行) 附文2  SD2400A/B/C/D/E/F 51汇编程序[2008/01/16]功能:读/写时钟,读写NVSRAM/EEPROM 附文3  SD2400 51 C语言程序[2017/01/03]功能:读/写时钟 附文4  SD2400 PIC C语言程序[2009/03/09] 附文5  SD2400 AVR C语言程序[2009/03/09] 附文6  SD2400 430 C语言程序[2009/03/09] 附文7  SD2400 FAQ问答集[2017/01/03] 附文8  SD2400应用注意事项[2009/06/04] 附文9  SD240时钟精度与温度的关系数据图表[2008/04/16] http://www.whwave.com.cn/download/sd2400/SD2400ALL.asp