stm32 Flash读写[库函数]

 通过对stm32内部的flash的读写可以实现对stm32的编程操作。
 
        stm32 的内置可编程Flash在许多场合具有十分重要的意义。如其支持ICP特性使得开发人员对stm32可以警醒调试开发,可以通过JTAG和SWD接口对stm32进行程序烧写;支持IAP特性使得开发人员可以在stm32运行程序的时候对其内部程序进行更新操作。对一些对数据安全有要求的场合,可编程FLASH可以结合stm32内部唯一的身份标识实现各种各样的防破解方案。并且stm32的FLASH在一些轻量级的防掉电存储方案中也有立足之地。
 
        stm32的FLASH分为主存储块和信息块。主存储块用于保存具体的程序代码和用户数据,信息块用于负责由stm32出厂是放置2KB的启动程序(Bootloader)和512B的用户配置信息区。
 
    主存储块是以页为单位划分的,一页大小为1KB。范围为从地址0x08000000开始的128KB内。
 
    对Flash 的写入操作要 “先擦除后写入”的原则;
    stm32的内置flash 编程操作都是以页为单位写入的,而写入的操作必须要以16位半字宽度数据位单位,允许跨页写,写入非16位数据时将导致stm32内部总线错误。
    进行内置flash读写时,必须要打开内部Rc振荡器。

 
main.c:
001 #include "stm32f10x.h"
002 #include "stdio.h"
003  
004 #define  PRINTF_ON  1
005  
006 void RCC_Configuration(void);
007 void GPIO_Configuration(void);
008 void USART_Configuration(void);
009  
010 u32 count=0;
011  
012 u16 data[5]={0x0001,0x0002,0x0003,0x0004,0x0005};
013  
014 int main(void)
015 {
016     RCC_Configuration();
017     GPIO_Configuration();
018     USART_Configuration();
019  
020     RCC_HSICmd(ENABLE);
021  
022     FLASH_Unlock();
023  
024     FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);
025  
026     FLASH_ErasePage(0x8002000);
027  
028     while(count < 5)
029     {
030         FLASH_ProgramHalfWord((0x8002000 +count*2),data[count]);  //flash  为一个字节存储,16位数据必须地址加2
031  
032         count++;
033      
034     }
035  
036     FLASH_Lock();
037  
038     count = 0;
039  
040     printf("\r\n The Five Data Is : \r\n");
041  
042     while(count < 5)
043     {
044          
045         printf("\r %d \r",*(u8 *)(0x8002000 + count*2));      //读取方法
046  
047         count++;
048      
049  
050     }
051  
052     while(1);
053      
054 }
055  
056 void GPIO_Configuration(void)
057 {
058     GPIO_InitTypeDef    GPIO_InitStructure;
059  
060     GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
061  
062     GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_9;
063     GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;        
064     GPIO_Init(GPIOA , &GPIO_InitStructure);
065      
066     GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_10;
067     GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_IN_FLOATING;          
068     GPIO_Init(GPIOA , &GPIO_InitStructure);
069 }
070  
071 void RCC_Configuration(void)
072 {
073     /* 定义枚举类型变量 HSEStartUpStatus */
074     ErrorStatus HSEStartUpStatus;
075  
076     /* 复位系统时钟设置*/
077     RCC_DeInit();
078     /* 开启HSE*/
079     RCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON);
080     /* 等待HSE起振并稳定*/
081     HSEStartUpStatus = RCC_WaitForHSEStartUp();
082     /* 判断HSE起是否振成功,是则进入if()内部 */
083     if(HSEStartUpStatus == SUCCESS)
084     {
085         /* 选择HCLK(AHB)时钟源为SYSCLK 1分频 */
086         RCC_HCLKConfig(RCC_SYSCLK_Div1);
087         /* 选择PCLK2时钟源为 HCLK(AHB) 1分频 */
088         RCC_PCLK2Config(RCC_HCLK_Div1);
089         /* 选择PCLK1时钟源为 HCLK(AHB) 2分频 */
090         RCC_PCLK1Config(RCC_HCLK_Div2);
091         /* 设置FLASH延时周期数为2 */
092         FLASH_SetLatency(FLASH_Latency_2);
093         /* 使能FLASH预取缓存 */
094         FLASH_PrefetchBufferCmd(FLASH_PrefetchBuffer_Enable);
095         /* 选择锁相环(PLL)时钟源为HSE 1分频,倍频数为9,则PLL输出频率为 8MHz * 9 = 72MHz */
096         RCC_PLLConfig(RCC_PLLSource_HSE_Div1, RCC_PLLMul_9);
097         /* 使能PLL */
098         RCC_PLLCmd(ENABLE);
099         /* 等待PLL输出稳定 */
100         while(RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_PLLRDY) == RESET);
101         /* 选择SYSCLK时钟源为PLL */
102         RCC_SYSCLKConfig(RCC_SYSCLKSource_PLLCLK);
103         /* 等待PLL成为SYSCLK时钟源 */
104         while(RCC_GetSYSCLKSource() != 0x08);
105     }
106     /* 打开APB2总线上的GPIOA时钟*/
107     RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOA|RCC_APB2Periph_USART1, ENABLE);
108  
109     //RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_DMA1, ENABLE);
110  
111     //RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR,ENABLE);
112     //RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR|RCC_APB1Periph_BKP|RCC_APB1Periph_WWDG, ENABLE);
113          
114 }
115  
116   
117 void USART_Configuration(void)
118 {
119     USART_InitTypeDef USART_InitStructure;
120     USART_ClockInitTypeDef USART_ClockInitStructure;
121  
122     USART_ClockInitStructure.USART_Clock = USART_Clock_Disable;
123     USART_ClockInitStructure.USART_CPOL = USART_CPOL_Low;
124     USART_ClockInitStructure.USART_CPHA = USART_CPHA_2Edge;                                                                                                                                                     
125     USART_ClockInitStructure.USART_LastBit = USART_LastBit_Disable;
126     USART_ClockInit(USART1 , &USART_ClockInitStructure);
127  
128     USART_InitStructure.USART_BaudRate = 9600;
129     USART_InitStructure.USART_WordLength = USART_WordLength_8b;
130     USART_InitStructure.USART_StopBits = USART_StopBits_1;
131     USART_InitStructure.USART_Parity = USART_Parity_No;
132     USART_InitStructure.USART_HardwareFlowControl = USART_HardwareFlowControl_None;
133     USART_InitStructure.USART_Mode = USART_Mode_Rx|USART_Mode_Tx;
134     USART_Init(USART1,&USART_InitStructure);
135  
136     USART_Cmd(USART1,ENABLE);
137 }
138  
139 #if  PRINTF_ON
140  
141 int fputc(int ch,FILE *f)
142 {
143     USART_SendData(USART1,(u8) ch);
144     while(USART_GetFlagStatus(USART1,USART_FLAG_TC) == RESET);
145     return ch;
146 }
147  
148 #endif
### 回答1: STM32 芯片的 Flash 读写是通过内部 Flash 控制器来实现的。为了方便开发者使用,STM32 官方提供了一组 Flash 操作库函数,可以帮助开发者快速编写读写 Flash 的代码。 使用这些库函数,需要包含 "stm32f4xx_flash.h" 头文件,并在代码中调用相关函数实现读写操作。 比如,下面是一个读取 Flash 指定地址数据的代码片段: ``` uint32_t address = 0x0800F000; // Flash 地址 uint32_t data; data = *(__IO uint32_t*)address; // 读取数据 ``` 同样,写入 Flash 也很简单,代码片段如下: ``` uint32_t address = 0x0800F000; // Flash 地址 uint32_t data = 0x12345678; FLASH_Status status; status = FLASH_ProgramWord(address, data); // 写入数据 ``` 以上是 STM32 Flash 读写的基本使用方法,开发者还需根据自己的需求对代码进行适当的修改和扩展。 ### 回答2: 在STM32微控制器中,我们可以使用库函数来进行Flash读写操作。首先,我们需要包含相应的库文件,例如stm32f10x_flash.h,并且使能Flash模块。 在进行Flash读操作时,我们可以调用库函数FLASH_ReadByte()来读取指定地址的一个字节数据,或者使用FLASH_ReadHalfWord()来读取一个字数据,还可以使用FLASH_ReadWord()来读取两个字数据。仅需提供要读取的地址作为参数即可。 如果想要进行Flash写操作,我们可以先调用库函数FLASH_Unlock()来解锁Flash。然后,使用FLASH_ProgramByte()来将一个字节写入指定地址的Flash,或者使用FLASH_ProgramHalfWord()来写入一个字数据,还可以使用FLASH_ProgramWord()来写入两个字数据。仅需提供相应的地址和数据作为参数。写入操作完成后,要调用FLASH_Lock()函数重新锁定Flash。 需要注意的是,在进行Flash写操作时,我们必须先对要写入的Flash页进行擦除处理。可以使用FLASH_ErasePage()函数来擦除整个Flash页或者使用FLASH_EraseOptionBytes()函数擦除选项字节。 总之,通过这些库函数,我们可以方便地进行STM32微控制器中Flash读写操作。只需要包含相应的库文件、使能Flash模块、解锁Flash、进行数据读写或擦除处理,并最后重新锁定Flash,就可以完成Flash读写操作。这些库函数的使用方法可以参考官方提供的库函数手册,以及相应的示例代码。 ### 回答3: stm32读写flash可以使用库函数进行编写。首先需要在工程中导入相应的库文件,并添加对应的头文件。 要读取flash,可以使用库函数中的HAL_FLASH_Read()函数。该函数接受三个参数:起始地址、目标缓冲区和要读取的字节数。首先,需要定义一个目标缓冲区用于存储读取的数据,然后调用HAL_FLASH_Read()函数进行读取。读取的数据将被存储在缓冲区中,可以根据需求进行后续处理。 要写入flash,可以使用库函数中的HAL_FLASH_Program()函数。该函数接受两个参数:要写入的地址和要写入的数据。首先,需要将要写入的数据存储在变量中,然后调用HAL_FLASH_Program()函数进行写入。写入后,可以通过读取相应的flash地址,验证数据是否成功写入。 需要注意的是,读取和写入flash时,需要在操作之前先解锁flash,并在操作完成后重新上锁flash。这可以通过调用库函数中的HAL_FLASH_Unlock()和HAL_FLASH_Lock()函数来实现。 通过使用库函数中提供的这些函数,可以方便地进行stm32flash读写操作。可以根据具体要求进行读取和写入,实现相应的功能。
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