本文简要解析umc28nm标准单元库，涉及HVT、SVT、LVT的阈值电压概念及其对速度和功耗的影响。PVT涵盖工艺、电压和温度，而multi-channel library关注不同沟道长度。7T/9T/12T分别对应不同应用场景，标准单元库的高度以track为计量单位。文章还讨论了单元库的选择、HLP与HPC的区别，以及SOC系统中单元库的优化方法，特别是ulvt在降低动态功耗方面的策略。
参考博文：https://blog.csdn.net/u011729865/article/details/53488431
对umc28nm standard cell library，做一些阅读理解，很多数据资料来源。
HVT/SVT/LVT的意思？
high Vt
Standard Vt（也有称为Regular Vt，即RVT)
low Vt
阈值电压越低，因为饱和电流变小，所以速度性能越高；但是因为漏电流会变大，因此功耗会变差。
PVT
process、voltage、temperature
technology是28nm工艺；process是制造流程，一般分为FF/TT/SS。两者的内容应该包括high-speed/high-density/HVT/SVT/LVT/multi-channel等信息。
multi-channel library
对应不同的gate-length，即沟道长度。一般比工艺28nm要大一些。
例如，umc28nm的SVTmin 相对 SVTmax，性能增加20%，静态功耗增加80%。
7T/9T/12T
分别对应ultra-high-density（for lowest power in SOC blocks）、high-density（for highest density in GPU blocks
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