关于MCU内部flash存储数据的寿命及提高擦写次数的方法

最近在做便携式储能电源的项目，其中需要用flash实时存储电池的电量(1~100),由于芯片的最小擦写次数时10000次，所以，对于flash的擦写寿命进行了研究，下面是网友的一些见解，觉得有些道理，这里记录一下，以防后续忘记，也供大家参考。

一，FLASH寿命测试（源自网络，有兴趣者可自行测试）

测试的flash型号是sst39vf160，由于测试时间的问题，只测试了一个扇区4个字节，用了整整一个星期才完成所有测试，测试结果总结如下：
    1、flash有寿命限制，sst39vf160手册上说是10万次，实验片的实测却超过80万次。
    2、每一个位的寿命是独立的，也就是说，一个字节的bit0失效了，bit1仍然可以正常操作。
    3、flash的寿命指的是被改写的次数，如果一次擦除或写操作不改变某一个位的内容，该位就不会被磨损。比如一个字节被反复执行“擦除-写入0xfe”操作，把bit0损坏后，该字节高7位的寿命丝毫不受影响。
    4、flash磨损后，总是表现为擦除不干净，多擦除几次又能够擦干净，随着磨损程度的加剧，越来越难以擦除干净，但只要擦干净了，写入一定是正确的。但写入的数据是否牢固就没有办法测了。
    5、只要原来内容是1的位，总是可以被写入，但只要原来内容是0的位，就只有擦除才能改为1.

    实测数据，对一个字节反复写0和擦除，寿命指的是写0的次数。
    第一次擦除不干净的寿命：876842次
    第一次出现连续两次擦除仍然不干净的寿命：1169465次
    第一次出现连续4次擦除仍然不干净的寿命：1769609次
    第一次出现连续8次擦除仍然不干净的寿命：1886879次

二，为什么FLASH擦写有次数限制？

FLASH的非易失存储原理是往浮栅MOS管的栅极中注入电荷，只要电荷在，MOS管在电路中的开关状态就不变。而改变浮栅存储的电荷，需要对浮栅加压操作，这个操作会破坏浮栅的物理结构，进而影响MOS存储单元的寿命。也就是说，只有逻辑状态改变才影响MOS管的浮栅寿命。FLASH的写入-擦除循环仅指浮栅注入电荷、释放电荷的循环，逻辑状态不变，对浮栅而言擦写操作其实是不执行的，自然对其物理结构没有影响。

 

三，如何提高FLASH的擦写次数

采用“空间换时间”的方法。所谓“空间换时间”，是指利用相对多的代码空间来换取相对多的存储次数。即在一页内，可以依次将数据写入FLASH，当写满一页后，再全部擦除。比如一个扇区为512字节，现存储32字节的数据块，一页就可以写16个数据块，写满后再全部擦除，这样该页的擦写次数就可以提高16倍。

下面以32字节的数据块为例，来简要说明“空间换时间”的软件实现方法。

（1）保存数据：每次保存数据时，从低地址到高地址依次（以32为步进）判断INDEX的内容。如果为FFH，表示该地址空间未写过数据，写入需要更新的数据；如果不为FFH，表示该地址空间已写过数据，继续查询；如果所有的INDEX（16个）都不为FFH，表示该页已经写满，执行擦除指令后从首地址写入数据。

（2）读取数据：每次读取数据时，从高地址到低地址依次（以32为步进）判断INDEX的内容，这是为了查询到最新的数据。如果不为FFH，表示该地址已写过数据，读取数据；如果所有的INDEX（16个）都为FFH，表示该页还未写入数据。

一句话，就是找到第一个为0xff的地址，这个地址为下一次存放数据的地址，而这个地址的前一个地址为上次存放的数据。