12v3a多协议旅充快充全套解决方案

12v3a多协议旅充快充全套解决方案,包括原边PWM控制芯片SDH8666Q,同步整流控制芯片SD8510和协议芯片SD8605。SDH8666Q采用EHSOP5贴片封装,内置高压启动功能和高压Super Junction MOS,骊微电子推出的士兰微12v3a多协议旅充快充全套解决方案支持30W快充应用,SD8605在上一代协议IC SD8602Q基础上内置了负载隔离管,提高了系统集成度,降低了外围器件数量,该方案支持PD/QC/FCP/SCP等多协议。
12v3a多协议旅充快充全套解决方案
SDH8666Q产品特点:
● 架构芯片,工作于CCM/DCM/QR模式
● 内置高压启动,待机功耗<40mW
● 内置650V高压DPMOS
● 改善的抖频方式,有效降低EMI
● VCC HOLD功能,防止轻载或动态切换时芯片欠压重启
● Brown in/out,输出二极管短路保护等完善的保护功能
● EHSOP5贴片封装
12v3a多协议旅充快充全套解决方案

SDH8666Q系列产品EHSOP5优势突出:
1、产品采用自有EHSOP5贴片封装,更适于自动化生产;
2、封装厚度仅为1.6mm,是TO252封装的2/3,对外壳温升影响更小;
3、Rthja为60℃/W,与TO252相当,而Rthjc仅为1.05℃/W,是TO252封装的1/2,更有利于散热。
12v3a多协议旅充快充全套解决方案
SDH8666Q系列内置大功率MOSFET的反激电源管理芯片,是新一代反激控制芯片,采用了自有专利EHSOP5贴片封装,内置高压大功率MOSFET,可广泛适用于36W适配器或48W开放环境,包括通用适配器、快充、显示器和平板电视等,更多SDH8666Q多协议旅充快充全套解决方案及相关资料可以咨询士兰微一级代理商骊微电子。

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该开关电源电路图工作原理是: 交流电源经 BR1 全波整流及C1 滤波后产生直流高压V I ,给高频变压器的初级绕组供电。 V R1 和D1 能将漏感产生的尖峰电压钳位到安全值以下,并能衰减振铃电压。 V R1 采用反向击穿为200V 的瞬态电压抑制器 P6 KE200 , D1 选用1A/ 600V 超快恢复二极管 UF4005. 次级绕组电压通过D1 、C2 、L 1 、和C3 整流滤波,获得12 V 输出电压V o. V o 值是由V R2 的稳压电压V R2以及线性光耦合器中L ED 的正向压降V F 、R1 上的压降这三者之和, 即V O = V R2 V F V R1 。 R2 和V R2 还为12V 输出提供一个假负载,用以改善轻载时的稳压性能。 反馈绕组电压经 D3 和C4 整流滤波后, 供给TOP224Y 所需偏压, 由R2 和V R2 来调节控制端电流,通过改变输出占空比达到稳压目的。 共模扼流圈L 2 能减少由初级绕组接D 端的高压开关波形所产生的共模泄漏电流。 C5 不仅能滤除加在控制端上的尖峰电压, 而且决定了自动重启的频率, 还与R1 、R3 一起对控制回路进行补偿。 C6 可减少由初级电流的基波与谐波所产生的串模泄漏电流。 在上电过程中,直流高压 V I 建立之后需经过160ms (典型值) 的延迟时间,输出电压V o 才达到12V 的稳定值。 若需增加软启动功能以限制开启电源时的占空比, 使V o 平滑地升高, 应在稳压管V R2 两端并联一只软启动电容 C7. C7 的容量范围是4. 7~47μf 。 在软启动过程中 V o 按照一定的频率升高的,能对TOP224Y起到保护作用;在断电时C7 可通过R2 进行放电。 还可以在初、次级之间加一安全电容C8 ,用来滤除加在初次级耦合电容引起的干扰.

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