PW3407 SOT23-3L封装 30V 4.2A P沟道增强模式MOSFET场效应管

这篇文章介绍了PW3407器件,它采用先进沟槽技术,支持在低至4.5V的栅极电压下运行,适用于电池保护和低功耗交换应用,具有30VVDS和不同VGS电压下的RDS(ON)值,采用3针SOT23-3封装。
摘要由CSDN通过智能技术生成

概述

PW3407采用先进的沟槽技术,提供卓越的RDS(ON)、低栅极电荷和

在栅极电压低至4.5V的情况下运行。该设备适用于电池保护或

在其他交换应用中。

功能

VDS=-30V,ID=-4.2A

RDS(ON)<65mQ@VGS=-10V

RDS(ON)<90mQ@VGS=-4.5V

提供3针SOT23-3封装

评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值