裸板 nand flash K9F2G08U0C

存储类芯片的操作步骤：

1、初始化    (初始化  时序支持芯片运行周期)

2、识别      （读取设备id  验证是否初始化成功物理芯片是否正常）

3、读取或写入操作

4、擦除操作

 

初始化操作：初始化时序，使能soc nand控制器

nand flash时序图：

 

soc时序图:

nand flash 书序图中参数取值范围

由上图可以分析出:

1、竖着看第一个图每个变化的时间对对齐，

1）cle 从低到高变化：

    经过 tcls - twp 时间段后， we从高到低变化
    
2）ce 从高到低变化：
    经过 tcs - twp 时间段后，  we从高到低变化

3）ale从高到低变化：

    经过 tals  - twp 时间段后， we从高到低变化；

结合图三：

tcls 取值范围：  min  = 12ns   max 无所谓                

tcs取值范围：  min = 20 ns  max无所谓

twp取值范围： min = 12ns 

tds取值范围： min = 12ns

tal取值范围： min = 12ns

从取值范围可以看出：

如果都取到最小值，那么：

tcls - twp = 0;    tals - twp = 0;表示这些指令可以同时发出，发出CLE和WE间隔可以为0；

tcs  - twp =5;   表示一定要先发出 CE信号，延时5ns在发出写信号；

由上面两个图观察： 

 

 

 锁相环时钟分频系数： 我设置的如下

  FCLK : HCLK : PCLK = 400m : 100m : 50m 

 因此周期T =  1/HCLK = 1/100 S = 10ns   TACLS 刚好是一个周期  

图1,图2 分析:

TACLS 就是 发出写ALE之后多久发出写使能

故：TACLS (最小值) = tals - twp = 0；

TWRPH0 表示nWE拉低所持续的时间

故： TWRPH0(最小值)   twp = 12ns ;

 TWRPH1 表示 nWE拉高多久后 CLE拉低

故： TWRPH1 (最小值) = tclh = 5 ns ;

 

设置寄存器 NFCONF:

1、TACLS

duration 表示 设置参数反应所需时长, 也就是 

duration = HCLK * TACLS = 1/100 秒  * TACLS = tals  - twp     >>>>>>>>>>>>>    TACLS = 0

2、TWRPH0

duration = HCLK * TWRPH0 = 10 ns *( TWRPH0 + 1)  >= 12ns >>>>>>>>>>>  TWRPH0 = 1;

3、TWRPH1

duration = HCLK * TWRPH1 = 10 ns *( TWRPH1 + 1)  >= 5ns >>>>>>>>>>>  TWRPH1 =0;

 

 于是有代码如下：

void  nand_init()
{

    #define NFCONF  (*(volatile unsigned int *)(0x4E000000)) 
    #define NFCONT  (*(volatile unsigned int *)(0x4E000004)) 

/*设置NAND FLASH的时序*/
    NFCONF = (0<<12) | (1<<8) | (0<<4);

/*使能NAND FLASH控制器,初始化ECC，禁止片选*/
    NFCONT = (1<<4) | (1<<1) | (1<<0);
}

NFCONT:

NFCONT = (1<<4) | (1<<1)  |  (1<<0);

使能nand控制器；