射频相关知识

基础概念
1、功率/电平（dBm）：放大器的输出能力，一般单位为w、mw、dBm
注：dBm是取1mw作基准值，以分贝表示的绝对功率电平。换算公式：
电平（dBm）=10lgw
5W → 10lg5000=37dBm
10W → 10lg10000=40dBm
20W → 10lg20000=43dBm
从上不难看出，功率每增加一倍，电平值增加3dBm
2、增益（dB）：即放大倍数，单位可表示为分贝（dB）。
即：dB=10lgA（A为功率放大倍数）
3、插损：当某一器件或部件接入传输电路后所增加的衰减，单位用dB表示。
4、选择性：衡量工作频带内的增益及带外辐射的抑制能力。-3dB带宽即增益下降3dB时的带宽，-40dB、-60dB同理。
5、驻波比（回波损耗）：行驻波状态时，波腹电压与波节电压之比。（VSWR）
6、三阶交调：若存在两个正弦信号ω1和ω2 由于非线性作用将产生许多互调分量，其中的2ω1-ω2和2ω2-ω1两个频率分量称为三阶交调分量，其功率P3和信号ω1或ω2的功率之比称三阶交调系数M3。
即M3 =10lg P3/P1 （dBc）
7、噪声系数：一般定义为输出信噪比与输入信噪比的比值，实际使用中化为分贝来计算。单位用dB。
8、耦合度：耦合端口与输入端口的功率比, 单位用dB。
9、隔离度：本振或信号泄露到其他端口的功率与原有功率之比，单位dB。
10、天线增益（dB）：指天线将发射功率往某一指定方向集中辐射的能力。一般把天线的最大辐射方向上的场强E与理想各向同性天线均匀辐射场场强E0相比，以功率密度增加的倍数定义为增益。Ga=E2/ E02。
11、天线方向图：是天线辐射出的电磁波在自由空间存在的范围。方向图宽度一般是指主瓣宽度即从最大值下降一半时两点所张的夹角。
E面方向图指与电场平行的平面内辐射方向图；
H面方向图指与磁场平行的平面内辐射方向图。
一般是方向图越宽，增益越低；方向图越窄，增益越高。
12、天线前后比：指最大正向增益与最大反向增益之比，用分贝表示。
13、单工：亦称单频单工制，即收发使用同一频率，由于接收和发送使用同一个频率，所以收发不能同时进行，称为单工。
14、双工：亦称异频双工制，即收发使用两个不同频率，任何一方在发话的同时都能收到对方的讲话。
单工、双工都属于移动通信的工作方式。
15、放大器：（amplifier）用以实现信号放大的电路。
16、滤波器：(filter)通过有用频率信号抑制无用频率信号的部件或设备。
17、衰减器：(attenuator) 在相当宽的频段范围内一种相移为零、其衰减和特性阻抗均为与频率无关的常数的、由电阻元件组成的四端网络，其主要用途是调整电路中信号大小、改善阻抗匹配。
功分器：进行功率分配的器件。有二、三、四….功分器；接头类型分N头（50Ω）、SMA头（50Ω）、和F头（75Ω）三种，我们公司常用的是N头和SMA头。
18、耦合器：从主干通道中提取出部分信号的器件。按耦合度大小分为5、10、15、20…. dB不同规格；从基站提取信号可用大功率耦合器。（300W），其耦合度可从30~65dB中选用；耦合器的接头多采用N头。
19、负载：终端在某一电路（如放大器）或电器输出端口，接收电功率的元/器件、部件或装置统称为负载。对负载最基本的要求是阻抗匹配和所能承受的功率。
20、环形器：使信号单方向传输的器件。
21、转接头：把不同类型的传输线连接在一起的装置。
22、馈线：是传输高频电流的传输线。
23、天线：(antenna)是将高频电流或波导形式的能量变换成电磁波并向规定方向发射出去或把来自一定方向的电磁波还原为高频电流。
射频PCB设计的EMC规范
1 层分布
1.1 双面板，顶层为信号层，底面为地平面。
1.2 四层板，顶层为信号层，第二层为地平面，第三层走电源、控制线。特殊情况下（如 射频信号线要穿过屏蔽壁），在第三层要走一些射频信号线。每层均要求大面积敷地。
2 接地
2.1 大面积接地 为减少地平面的阻抗，达到良好的接地效果，建议遵守以下要求：a) 射频 PCB 的接地要求大面积接地；b) 在微带印制电路中，底面为接地面，必须确保光滑平整；c) 要将地的接触面镀金或镀银，导电良好，以降低地线最抗；d) 使用紧固螺钉，使其与屏蔽腔体紧密结合，紧固螺钉的间距小于λ/20（依具体情 况而定）。
2.2 分组就近接地 按照电路的结构分布和电流的大小将整个电路分为成相对独立的几组，各组电路就 近接地形成回路，要调整各组内高频滤波电容方向，缩小电源回路。注意接地线要短而直， 禁止交叉重叠，减少公共地阻抗所产生的干扰。
2.3 射频器件的接地 表面贴射频器件和滤波电容需要接地时，为减少器件接地电感，要求：a) 至少要有 2 根线接铺地铜箔；b) 用至少 2 个金属化过孔在器件管脚旁就近接地。c) 增大过孔孔径和并联若干过孔。d) 有些元件的底部是接地的金属壳，要在元件的投影区内加一些接地孔，表面层 不得布线。
2.4 微带电路的接地 微带印制电路的终端单一接地孔直径必须大于微带线宽，或采用终端大量成排密布小孔 的方式接地。
2.5 接地工艺性要求
a) 在工艺允许的前提下，可缩短焊盘与过孔之间的距离；
b) 在工艺允许的前提下，接地的大焊盘可直接盖在至少 6 个接地过孔上（具体数量因 焊盘大小而异）；
c) 接地线需要走一定的距离时，应缩短走线长度，禁止超过λ/20，以防止天线效应 导致信号辐射；
d) 除特殊用途外，不得有孤立铜箔，铜箔上一定要加地线过孔；
e) 禁止地线铜箔上伸出终端开路的线头。
3 屏蔽
3.1 射频信号可以在空气介质中辐射。空间距离越大，工作频率越低，输入输出端的寄 生耦合就越小，隔离度则越大。PCB 典型的空间隔离度约为 50dB。
3.2 敏感电路和强烈辐射源电路要加屏蔽，但如果设计加工有难度时（如空间或成本限 制等），可不加，但要做试验最终决定。这些电路有：
a) 接收电路前端是敏感电路，信号很小，要采用屏蔽。
b) 对射频单元和中频单元须加屏蔽。接收通道中频信号会对射频信号产生较大干扰， 反之，发射通道的射频信号对中频信号也会造成辐射干扰。
c) 振荡电路：强烈辐射源，对本振源要单独屏蔽，由于本振电平较高，对其他单元形 成较大的辐射干扰。
d) 功放及天馈电路：强烈辐射源，信号很强，要屏蔽。
e) 数字信号处理电路：强烈辐射源，高速数字信号的陡峭的上下沿会对模拟的射频信 号产生干扰。
f) 级联放大电路：总增益可能会超过输出到输入端的空间隔离度，这样就满足了振荡 条件之一，电路可能自激。如果腔体内的电路同频增益超过 30－50dB，必须在 PCB 板 上焊接或安装金属屏蔽板，增加隔离度。实际设计时要综合考虑频率、功率、增益情况 决定是否加屏蔽板。
g) 级联的滤波、开关、衰减电路：在同一个屏蔽腔内，级联滤波电路的带外衰减、级 联开关电路的隔离度、级联衰减电路的衰减量必须小于 30－50dB。如果超过这个值， 必须在 PCB 板上焊接或安装金属屏蔽板，增加隔离度。实际设计时要综合考虑频率、功 率、增益情况决定是否加屏蔽板。
h) 收发单元混排时应屏蔽。
i) 数模混排时，对时钟线要包地铜皮隔离或屏蔽。
4 屏蔽材料和方法
4.1 常用的屏蔽材料均为高导电性能材料，如铜板、铜箔、铝板、铝箔。钢板或金属镀 层、导电涂层等。
4.2 静电屏蔽主要用于防止静电场和恒定磁场的影响。应注意两个基本要点，即完善的 屏蔽体和良好的接地性。
4.3 电磁屏蔽主要用于防止交变磁场或交变电磁场的影响，要求屏蔽体具有良好的导电 连续性，屏蔽体必须与电路接在共同的地参考平面上，要求 PCB 中屏蔽地与被屏蔽电路地要 尽量的接近。
4.4 对某些敏感电路，有强烈辐射源的电路可以设计一个在 PCB 上焊接的屏蔽腔，PCB 在 设计时要加上“过孔屏蔽墙”，就是在 PCB 上与屏蔽腔壁紧贴的部位加上接地的过孔。要求 如下：
a) 有两排以上的过孔；
b) 两排过孔相互错开；
c) 同一排的过孔间距要小于λ/20；
d) 接地的 PCB 铜箔与屏蔽腔壁压接的部位禁止有阻焊。
4.5 射频信号线在顶层穿过屏蔽壁时，要在屏蔽腔相应位置开一个槽门，门高大于 0.5mm, 门宽要保证安装屏蔽壁后信号线与屏蔽体间的距离大于 1mm。
5 屏蔽罩设计
5.1 金属屏蔽腔的基本结构
5.1.1 此类屏蔽罩被广泛使用，如图 27。材料一般为薄的铝合金，制造工艺一般采用冲 压折弯或压力铸造工艺，这种屏蔽罩有较多的螺钉孔，便于螺钉固定。部分需铝合金盖子和 吸波材料增强屏蔽性能。射频 PCB 需装在屏蔽腔内，要选择合适的屏蔽腔尺寸，使其最低 谐振频率远高于工作频率，最好 10 倍以上，详见附录 G“金属屏蔽腔的尺寸设计”。
5.1.2 屏蔽腔的高度一般为第一层介质厚度 15－20 倍或以上，在屏蔽腔面积一定时，要 提高屏蔽腔的最低谐振频率，需增加长宽比，避免正方形的腔体。
5.2 金属屏蔽腔对 PCB 布局的工艺要求
5.2.1 屏蔽罩与 PCB 板接触的罩体设计时应考虑 PCB bottom 面的器件高度，特别是插 件器件引脚伸出的高度。
5.2.2 需考虑螺丝禁布区的大小，防止组装时损坏表层线路或器件。射频功放板由于结 构尺寸的限制，其单板尺寸相对较小，故一般要求螺钉安装空间（禁布区）至少在安装孔焊 盘外侧。
5.2.3 金属屏蔽罩自身成本和装配成本很贵，并且外形不规则的金属屏蔽罩在制造时很 难保证高精度和高平整性，又使元器件布局受到一些限制；金属屏蔽罩不利于元器件更换和 故障定位。
5.2.4 尽可能保证屏蔽罩的完整非常重要，进入金属屏蔽罩的数字信号线应该尽可能走 内层，RF 信号线可以从金属屏蔽罩底部的小缺口和地缺口处的布线层上走出去，不过缺口 处周围要尽可能地多布一些地，不同层上的地可通过多个过孔连在一起。
5.2.5 为保证装配和返修，金属屏蔽罩周围５ｍｍ范围内不能有超过其高度的器件，Chip 小器件到屏蔽罩的距离应该２ｍｍ以上，其它器件距离要求３ｍｍ以上，并且放置朝向最好 符合方便维修方向。
5.2.6 金属屏蔽罩内部不能有超过其高度的器件，并且器件顶部到屏蔽罩面的距离要符 合安全规范要求。
5.2.7 需考虑 SMA 微带插座与 PCB 板接触时的高度匹配，否则焊接可靠性存在影响。设计时须考虑PCB板厚的公差（±10%），金属屏蔽腔的加工误差(±0.05mm)。建议 SMA 微带插座与 PCB 板的高度间隙不超过 0.5mm，插座与焊盘不允许有明显偏差。