基于S3C2440A+SDRAM(K4M51163)

本系统是采用两片K4M51163-BG75的SDRAM，大小为2*64M。

1. SDRAM的工作原理

1.1 SDRAM概述

SDRAM：Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器。同步是指其时钟频率(CLK)与CPU的AHB总线时钟频率(HCLK)相同，并且内部的命令的发送于数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据的读写。

1.2 SDRAM的相关概念

⑴bank

一个SDRAM芯片一般由4个bank组成，下图是K4M51163-BG75功能结构图的关于bank的部分

上图中间可见K4M51163-BG75有4个bank，一个bank的大小是8M*16bite，8M表示这个bank有8M个存储单元，而每个单元可以存储16bit的数据。SDRAM的基本存储单位就是存储单元，最小的存储单位就是bit。

⑵位宽

上面提到一个存储单元包含16bit，这就是bank的位宽，也是一个SDRAM芯片的位宽，位宽表示每个传输周期(在这里是指送进CLK端的时钟的一个周期)传送的数据量(16bit)。

⑶SDRAM的容量

SDRAM的容量就是指存储单元的数量，计算公式如下

SDRAM的容量=bank的数量*(行数*列数)

在这里bank的数量是4个，而行数及列数的相关说明见下图

可以行数是用A0~A12总共13根地址线表示，可表达的行数达2的13次方(8192)；列数是用A0~A9总共10根地址线来表示，可表达的列数达2的10次方(1024)，同时看出行和列地址线是分时复用的。

1.3 SDRAM的寻址原理

SDRAM的内部是一个存储阵列，阵列就如何表格一样，和表格的检索原理一样，先指定一个行row，再指定一个列column，这样我们就可以准确找到所需要的单元格了，这就是SDRAM芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格被称为存储单元，那么这个表格(存储阵列)叫什么呢？它就是bank。我们的系统是采用两片K4M51163-BG75，那么这两片K4M51163-BG75是如何工作的呢？见下图

通过nSCS0来选择当前是哪个SDRAM芯片在工作，选定了指定的SDRAM芯片之后，通过BA0和BA1来选择特定的bank，选择了特定的bank，接着就选择特定行，然后在选择列，这样就可以找到特定的存储单元了。

注：SDRAM一次传输一个存储单元的数据，也就是16bit的数据，通过DQ0~DQ15读出或写入数据，这里的读出就是存储电容的放电，而写入就是存储电容的充电，每一位对应的数据保存在存储电容中，也就是一位能表示的高低电平，下图是有助于理解这点

2 K4M51163PG-BG75

2.1 SDRAM的引脚

SDRAM要想工作，必须要于内存控制器有所联系，同时对于一个电气元件，电源供应也是必不可少的，而且数据的传输要有一个时钟来同步数据的传送。因此电源与时钟引脚是必须的，那么还需要哪些控制引脚呢？

I：首先，我们知道内存控制器要先确定选择系统使用的两个SDRAM芯片的哪一个，然后才能对被选定的芯片进行寻址操作。因此要有一个片选的信号，它一次选择一个SDRAM芯片。

II：接下来就是对所选择的芯片进行bank的寻址，目前SDRAM中bank的数量最高为4个，所以需要两个bank的地址信号。

III：然后就是要对被选择的bank进行行和列(存储单元)寻址，其中所需要的地址线数量根据SDRAM芯片容量大小及组织结构分别设计了，但在相同容量下，行数不变，只有列数会根据位宽的变化而变化，位宽越大，列数越小，因为所需的存储单元减少了。

IV：找到存储单元后，就要把这个单元的数据读出或者写入，那么肯定要有与位宽相同的数据I/O通道才行，所以要有相应数量的数据引线。

2.1 K4M51163PG-BG75的功能结构图

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