超详细的IXFK48N50介绍超详细的IXFK48N50介绍

超详细的IXFK48N50介绍

特征
·国际标准包装
·成型环氧树脂符合La4V-0可燃性分类
·SOT-227B miniBLOC采用氮化铝隔离
·低Rac HDMOSu流程
·额定的非约束感应开关（UIS）
·F内在整流器

应用
·DC-DC转换器
·同步整流
·电池充电器
·开关模式和谐振模式电源
·直流斩波器
·温度和照明控制

好处
·易于安装
·节省空间
·功率密度高

规格参数
制造商: IXYS 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-264-3 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 500 V 
Id-连续漏极电流: 48 A 
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 500 W 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
商标名: HyperFET 
封装: Tube 
高度: 26.16 mm  
长度: 19.96 mm  
系列: IXFK48N50  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 5.13 mm  
商标: IXYS  
正向跨导 - 最小值: 42 S  
下降时间: 30 ns  
产品类型: MOSFET  
型号：IXFK48N50
上升时间: 60 ns  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 100 ns  
典型接通延迟时间: 30 ns

转载于:https://my.oschina.net/u/3948018/blog/3063337