高级体系结构之flash storage

首先现在的falsh存在两种：NOR FLASH和NAND FLASH。他们各有优缺点：

NOR FLASH：最早提出来的一种FLASH，由intel研发。NOR Flash需要很长的时间进行抹写，但是它提供完整的定址与数据总线，并允许随机存取存储器上的任何区域，这使的它非常适合取代老式的ROM芯片。当时ROM芯片主要用来存储几乎不需更新的代码，例如计算机的BIOS或机顶盒（Set-top Box）的固件。NOR Flash可以忍受一万到一百万次抹写循环。根据NOR Flash提出了NAND FLASH来提高擦除时间和读取时间等。

NAND FLASH：具有较快的抹写时间，而且每个存储单元的面积也较小，这让NAND Flash相较于NOR Flash具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash的I/O接口并没有随机存取外部