光折变三维全息存储技术与存储器

    该成果针对光折变三维全息存储器这一重要的高密度存储方案开展研究，改进了铌酸锂晶体生长加工技术，降低了晶体的光致光散射，提高了晶体的均匀性与响应速度，使晶体更适合于全息信息存储。在已开发的铌酸锂晶体基础上，该项目成功研制了紧凑的高存储密度、大存储容量光折变三维全息存储器。在所开发的存储器中，利用已开发的衍射效率均匀化技术、奇偶校验技术、两步记录技术等方法降低了光折变全息存储的误码率。通过波面调整等技术，实现了全息存储器的小型化，在优化记录系统光学参数基础上提高了存储器的存储密度。存储器密度可达到２０Ｍｂｉｔ／ｃｍ３以上，存储容量可达到Ｔｂｉｔｓ量级。光折变三维全息存储器在大数据量信息存储、大型数据库、加密信息存储等方面有着广泛的应用前景。通过光电子等设备的进一步发展，光折变全息存储器将很快进入商品化阶段，部分取代目前广泛使用的二维信息存储器。
    该项目解决了存储介质及信息存储技术问题，在解决光电子与机械等基础设备的设计制作问题后，三维存储器将很快实现商品化。