模拟IC设计
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STI、LOD与WPE概念:形成机理及对电路设计的影响
根据网络资料综合文章目录LOD的概念STI的概念WPE的概念STI、WPE效应对电路设计的影响STI效应WPE效应LOD的概念LOD是 Length of Diffusion的缩写,当拥有相同的Gate Length和Gate Width的两个MOS,因为扩散区长度不同造成其电流不同所产生的效应为LOD效应。如下图,两个MOS (A和B)其Gate Length Gate Width皆为0....原创 2019-06-17 15:39:57 · 54639 阅读 · 3 评论 -
STI、LOD与WPE概念2:减少或避免WPE/STI效应对IP模块设计的影响
根据网络资料整理文章目录电路设计中减小STI、WPE的影响版图设计中如何减小STI、WPE的影响总结随着深亚微米工艺的发展,CMOS制造工艺对设计的影响也越来越大。在0.18um以前都可以忽略的工艺影响,在工艺一步一步发展的情形下,制造工艺所带来的影响变成了芯片设计中不可忽视的因素。本文诠释了制造工艺的两个重要效应:STI、WPE。通过对两种效应的分析,提出了在芯片设计阶段考虑它们的必要性。特...原创 2019-06-17 15:55:30 · 12055 阅读 · 0 评论 -
STI、LOD与WPE概念:STI效应对SPICE Model的影响
STI效应主要影响SPICE的Stress Effect Model,应力对MOS特性的影响主要体现在迁移率和饱和速度两个参数上,但是由于掺杂分布也会受到不同SIT尺寸和应力的影响,因此阈值电压和一些二级效应例如DIBL、体效应都会相应受到影响。BSIM4在对Stress Effect进行建模时,主要考虑其对迁移率、饱和速度、阈值电压、体效应和DIBL的影响。BSIM4使用STIMOD对STI...原创 2019-06-17 16:10:37 · 9717 阅读 · 0 评论 -
STI、LOD与WPE概念:WPE效应对SPICE Model 的影响
WPE效应主要影响SPICE的Well Proximity Effect Model,WPE对MOS特性的影响主要体现在阈值电压、迁移率和体效应上。WPE效应与FET和MASK边缘距离强相关,BSIM4中WPE效应影响的阈值电压、迁移率、和体效应所对应Model参数分别为VTH0、U0、K2,通过SCA、SCB和SCC三个参数对上面三个参数产生影响。在对WPE的建模主要考虑时FET与阱四周的距...原创 2019-06-17 16:14:50 · 12360 阅读 · 0 评论 -
Cadence Project Design Management(I): OverView
Cadence 有内部的项目管理和版本管理工具,即TDM,在设计的时候用上TDM工具可以方便的进行项目管理和电路/版图版本管理,最明显的好处就是可以通过版本管理追溯以前的修改,可以防止手贱改错了电路而又不知道如何恢复原状的问题。以下是结合Cadence Project Design Management帮助文档摘录的TDM简易设置使用方法,分四个部分呈上,第一部分先对TDM进行简略的介绍,供大家...原创 2019-06-24 15:41:15 · 939 阅读 · 0 评论 -
Cadence Project Design Management(II): TDM Directory Structure
TDM Directory StructureIn the Team Design Manager hierarchy, the following directories are organized under the project directory, project_name.Fprj.DirectoryUNIXNameContentsData Repositor...原创 2019-06-24 15:52:00 · 652 阅读 · 0 评论 -
Cadence Project Design Management(III): Project Setup Example
Cadence 有内部的项目管理和版本管理工具,即TDM,在设计的时候用上TDM工具可以方便的进行项目管理和电路/版图版本管理,最明显的好处就是可以通过版本管理追溯以前的修改,可以防止手贱改错了电路而又不知道如何恢复原状的问题。以下是结合Cadence Project Design Management帮助文档摘录的TDM简易设置使用方法,分四个部分呈上,第三部分通过一个例子设置了一个简易可用的...原创 2019-06-24 16:10:34 · 807 阅读 · 0 评论 -
S***1版图赏析(I)
S***1是S公司一颗1节电池用电池保护IC,其特点如下(大家可以猜猜是那一颗):S***1核心电路功能为检测电池过压、欠压并提供相应保护,过压需要关闭充电管防止过冲因此安全问题,欠压需要关闭放电管防止电池进一步放电导致无法启动;在提供基础的电压保护功能S***1还提供两级放电过流保护和以及充电过电流保护并提供相应保护,放电过流保护需要关闭放电管,放电过流保护需要关闭充电管,其内部框图如下:...原创 2019-07-31 10:41:47 · 1507 阅读 · 0 评论