【FSMC】SRAM芯片介绍

本文详细介绍了STM32如何与SRAM进行通信,包括SRAM的寻址方式、读写流程及关键时间。在读取过程中,地址线需保持稳定,通过片选、读使能信号完成数据传输。写入操作涉及TWC、TPWE和TSD、THD等关键时间。适用于嵌入式硬件开发者理解存储器操作。
摘要由CSDN通过智能技术生成

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只有F429以上的芯片才能扩展SDRAM

SRAM内部框图

SRAM属于易失性存储器
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存储器

信号线

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存储地址

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由于我们的SRAM比较小,不需要列地址

数据线部分(橙色部分)

“#”代表低电平有效
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能寻址512行16位即1M,地址线是针对一行来进行寻址的
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在我们寻址的时候
0地址可以访问第0字节和第1字节
1地址可以访问第2字节和第3字节

至于想要修改那个字节需要通过UB和LB线,UB代表高位,LB代表低位,两条线都是低电平有效,可以同时修改。

SRAM时序

读流程

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参考文档 IS6WV51216

在访问过程,地址线地址需要一直保持

1.发送地址之前需要先片选
2.掩码信号选择
3.片选有效之后读使能(写使能方向为STM32→SRAM)
4.读使能过了TDOE传输数据(SRAM→STM32)

各个通讯时间
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ISSI芯片写有1-55说明Taa为55ns

写流程

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TWC写周期
关键时间TPWE
TSD(数据出现之前到采样),THD(采样)
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总结

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