只有F429以上的芯片才能扩展SDRAM
SRAM内部框图
SRAM属于易失性存储器
存储器
信号线
存储地址
由于我们的SRAM比较小,不需要列地址
数据线部分(橙色部分)
“#”代表低电平有效
能寻址512行16位即1M,地址线是针对一行来进行寻址的
在我们寻址的时候
0地址可以访问第0字节和第1字节
1地址可以访问第2字节和第3字节
至于想要修改那个字节需要通过UB和LB线,UB代表高位,LB代表低位,两条线都是低电平有效,可以同时修改。
SRAM时序
读流程
参考文档 IS6WV51216
在访问过程,地址线地址需要一直保持
1.发送地址之前需要先片选
2.掩码信号选择
3.片选有效之后读使能(写使能方向为STM32→SRAM)
4.读使能过了TDOE传输数据(SRAM→STM32)
各个通讯时间
ISSI芯片写有1-55说明Taa为55ns
写流程
TWC写周期
关键时间TPWE
TSD(数据出现之前到采样),THD(采样)
总结