NVDIMM为存储加速

随着存储技术的不断发展及人们对存储性能的不懈追求，高性能存储开始探索向内存通道的迁移。在这样的背景下，NVDIMM（Non-Volatile Dual In-Line Memory Module）技术便应运而生了。

NVDIMM是一种可以随机访问的非易失内存。非易失内存是指即使在不通电的情况下数据也不会消失，即在计算机掉电、系统崩溃和正常关机的情况下，依然可以保留数据。

NVDIMM同时表明它使用的封装是双内联存储器模块封装，与标准双内联存储器模块插槽兼容，并且能通过标准的DRAM硬件接口进行通信。使用NVDIMM可以提高应用的性能和数据安全性，也可以减少系统启动或恢复的时间。目前，根据JEDEC标准化组织的定义，有以下3种NVDIMM的实现。

·　NVDIMM-N：指在一个模块上同时放入传统DRAM和Flash闪存，计算机可以直接访问传统DRAM，既支持按字节寻址，也支持块寻址。通过使用一个小的后备电源，可以做到在断电时，将数据从传统DRAM复制进闪存中，当电力恢复时重新将数据加载到DRAM中。同时，使用两种介质的做法使成本急剧增加。

NVDIMM-N的主要工作方式和传统DRAM是一样的，因此它的延迟也在101纳秒级；它的容量受限于体积，相比传统的DRAM并没有什么提升；它的工作方式决定了它的Flash部分是不可寻址的。但是，NVDIMM-N为业界提出了持久性内存的新概念。

·　NVDIMM-F：指使用了DRAM的DDR3或DDR4总线的Flash闪存。我们知道，由NAND Flash作为介质的固态硬盘一般使用SATA、SAS或PCIe总线。DDR总线可以提高最大带宽，在一定程度上降低协议带来的延迟和减少开销，但是NVDIMM-F只支持块寻址。NVDIMM-F的主要工作方式在本质上和固态硬盘是一样的，因此它的延迟为101微秒级，它的容量也可以轻松达到TB级。

·　NVDIMM-P：NVDIMM-P支持DDR5总线，采用全新介质，如英特尔和Micron联合开发的3D XPoint技术，在理论上，速度和耐用性可以达到普通NAND Flash的1000倍以上。

NVDIMM-P实际上是DRAM和Flash的混合，既支持块寻址，也支持类似传统DRAM的按字节寻址。它既可以在容量上达到类似NANDFlash的TB以上，也能把延迟保持在102纳秒级。通过将数据介质直接连接至内存总线，CPU可以直接访问数据，无须任何驱动程序或PCIe开销。而且由于内存是通过64字节的Cache Line访问的，CPU只需要访问它需要的数据，而不是像普通块设备那样每次都按块访问。应用程序可以直接访问NVDIMM-P，就像对于传统DRAM那样。这也消除了传统块设备和内存之间进行页交换的需求。