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RSS订阅原创 Vivado安装包解压后双击xsetup完全没反应
1、解压后的路径是这个，无论是管理员运行，还是重启电脑，都没任何反应。2、改到这个路径下面，在点击安装文件，可以正常启动。
2026-05-30 20:21:03
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原创 华为硬件笔试和面试带给我的思考
博主在准备时发现，华为硬件笔试考察范围非常广，涉及内容不限于模电，数电，电源，PI和SI，DFM，PCB，示波器，单板测试，仿真，高速电路，还有控制系统，信号与系统等内容，可以说你用过的知识和没用过的知识都会考，而且还涉及行业最新技术发展。3月初简历筛选，3月中安排资格面试，紧接着是笔试和综合测评，这些都过了后，在3月底技术一面和技术二面，4月初完成业务主管面，4月中收集流水，前期背调，4月下旬是谈薪，然后是审批。比如遇到一个不会的题目，直接问千问，非常方便，答案非常全面，直接是整理好的知识点。
2026-05-26 07:57:04
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原创 最全教程cadence建立个人CIS数据库
此时如果你删除office365，再装Access数据库，可以安装上，然后你再装office365，系统又会把Access软件给你删除掉，因为冲突了。可以在自己的电脑上新建CIS库，主要包含下面几个内容：数据库文件，原理图封装，PCB封装，数据手册，另外建议做一个器件命名的说明。allegro在调用封装的时候，是看的.psm文件，而不是.dra文件，因此只要是c0402.psm，那么所有的内容都要保持一致。（1）文件夹不要有中文，不要有空格，否则无法识别，可以参考博主的方式，全部使用英文输入法下划线。
2026-05-03 09:22:53
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原创 这些题你能回答几个？
数据线，地址线，命令线，电源标准版 (DDR3)：1.5V ± 0.075V。低压版 (DDR3L)：1.35V ± 0.075V（常用于笔记本和嵌入式，兼容 1.5V）。超低压版 (DDR3U)：1.25V（较少见）。终止电压 (VTT)：通常为核心电压的一半（0.75V 或 0.675V），用于端接匹配。参考电压 (VREF)：通常为 0.5 × VDDQ，用于信号电平判决。ODT (On-Die Termination) 即片内端接。
2026-04-18 09:39:08
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原创 未来已来：机器人崛起，硬件工程师何去何从？
大家好，这里是大话硬件。时间过得很快，不知不觉中2026年已经来到了3月份。经过这几天的调整，相信大家应该都从过年的假期中恢复到了正常工作状态吧。班还是那个班，活也还是那个活，但是和2025年刚上班时，好像有点不太一样。博主发现在去公司食堂的路上和工位上很多同事都在谈论和机器人相关的话题。出现这个现象和春晚有比较大的关系，今年的春晚融入了非常多的科技元素和话题，最为亮眼的要属机器人。相信大家都看到了宇树科技机器人的表演节目。面对机器人崛起的这种现象，作为一名硬件工程师，应该如何应对？
2026-03-01 18:56:02
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原创 技术面试如果问你SPI/LPSPI/Dual SPI/Quad SPI/FlexSPI有什么差异，你能答出来吗？
大家好，这里是大话硬件。最近在NXP官网上看到比较好玩的MCU，叫跨界MCU。在参考手册里面出现了LPSPI和FlexSPI这两个词。之前学习的STM32或者SPI协议上都是SPI，在一些芯片厂家的规格书里面倒是见到过Dual SPI还有Quad SPI，怎么这里冒出来一个FlexSPI，到底是什么意思？经典SPI协议也被称为标准SPI协议（Standard SPI）或单线SPI协议（Single SPI），单线是指该SPI协议中使用单根数据线MOSI进行发送数据，单根数据线MISO进行接收数据。
2026-02-26 22:36:21
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原创 Wi-Fi 模组上的丝印你认识几个？
大家好，这里是大话硬件。Wi-Fi 已成为我们日常生活中不可或缺的一部分，它在家庭、工作及其他场所建立无缝互联网连接。但是，Wi-Fi 背后的技术相当复杂。平时在进行选型时，总是看到一堆的参数，有点云里雾里。不信你看下面Wi-Fi 模组上的丝印你认识几个？在解答上面丝印之前，需要了解Wi-Fi 一些相关知识。
2026-02-25 19:58:54
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原创 到底如何理解运算放大器的输入失调电压？
输入失调电压《你好，放大器》中的定义：在运放开环使用时，加载在两个输入端之间的直流电压使得放大器直流输出电压为 0。所以，为了在输入电压为0V时，使输出电压要为0V，必须给实际的运算放大器施加一个补偿电压，这个施加的补偿电压刚好让输出电压为0V，这个电压的就是输入失调电压。所以，在理解输入失调电压时，不是说运放输入端存在一个电压，而是说为了使输出端为0V，要单独增加一个电压来补偿输入级的不对称。所以，实际的运算放大器因为输入级无法完全做到匹配，导致无论有无输入信号，从上电至关断，输入失调电压会一直都存在。
2026-02-22 21:29:55
81
原创 SD卡上面的标识你认识几个？
SD卡，英文是Secure Digital Memory Card ，中文名称是安全数字卡，安全数码卡，是一种基于半导体快闪记忆器的存储卡。因为智能手机会使用SD卡，并且可以直接将APP装在SD卡上运行，为了说明用户直接在存储卡上执行APP应用程序的场景，使用随机存取时的IOPS性能标准，（Input/Output Operations Per Second 每秒输出入作业次数）来描述SD卡的性能，主要分为2个等级。博主在几年前买的手机，能支持装SD卡，现在的手机内存直接做到了TB，根本用不到SD卡。
2026-02-22 09:04:34
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原创 锂电池充电方案和电源拓扑
这个功能实现的原理是，在出厂之前，通过发命令让芯片关断和电池连接的FET管子，这时候电池就处于完全断电的状态，仅仅只给充电芯片一个极低的静态电流，最大程度的节约电池。充电电压能保持稳定的原因是电池电压在缓慢上升，充电电流和内阻都在减小，所以从外部看就是充电电压是恒定不变的，但是能继续以很小的电流给电池继续充电。电池充电芯片主要分为两种类型，线性充电IC和开关型IC，开关型的IC根据输入电压和VBAT电压的不同，分为降压型，升压型，升降压型。在设计时，要综合考虑成本，充电速度，整机拓扑等来选择充电方案。
2026-02-16 19:40:27
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原创 运放负端噪声电流的噪声计算
本文探讨了运算放大器负端电流噪声的三种计算方法。方法一利用虚短虚断原理得出Vout=IBn*Rf；方法二采用等效电阻法，通过Rg//Rf和放大倍数1+Rf/Rg计算，结果相同但理解不同；方法三基于电路原理，通过KCL方程和运放特性推导出相同结果。作者更推荐电路原理法，认为其能更本质地理解噪声产生机制。最终结论是负端电流噪声电压可直接用反馈电阻乘以噪声电流计算，但推导过程体现了运放内部电流噪声的平衡机制。
2026-01-16 20:22:12
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原创 信号链中第一级放大电路的输出电压影响因素
大家好，这里是大话硬件。最近在做的项目里面遇到一个问题：信号链路上第一级选择多大放大倍数？分析竞品发现，不同的厂家第一级的放大倍数不一样，反馈电阻也不一样。在设计好电路方案后，有人提出疑问，为什么我们电路放大倍数是设计成这样？下面主要从反馈电阻，失调电压，偏置电流这三个参数如何影响输出电压来介绍。其实还涉及到信号带宽，滤波范围，噪声等因素，这里暂不做说明。
2026-01-03 22:51:33
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原创 2025年终复盘——靠谱是个人IP必备的名片
《2025年复盘：靠谱是人生与职场的关键词》 在2025年的人生回顾中，"靠谱"成为核心关键词。这一年完成了结婚大事，体会到靠谱是维系婚姻的重要品质；在工作中接手重要项目，通过规范化设计和闭环管理实现"一板定型"，证明了靠谱在职场中的价值。文章对比了两位同事的工作表现，指出靠谱不仅是完成基本要求，更是获得信任和机会的关键。引用《靠谱》一书的定义："凡事有交代，件件有着落，事事有回音"，强调靠谱在人际关系和职业发展中的重要性。新的一年，作者将继续以&
2026-01-02 21:07:46
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原创 cadence 报错Cannot perform annotation of heterogeneous part ‘U?B(Value G1)
Cadence原理图设计出现ORCAP-1376报错，原因是多part器件未被正确识别。本文提供两种解决方案：1.复杂方法是为器件添加描述和package属性，但操作繁琐；2.简易方法是先自动编号，对无法识别的器件手动指定第一个bank的位号，再执行自动编号即可完成剩余编号。该方法通过分步处理解决了多part器件识别问题，比修改封装属性更简便高效。
2025-10-28 14:20:59
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原创 UART模块关键标志位
大家好，这里是大话硬件。最近在项目中遇到了STM32串口的问题，复习一下这块的知识点。UART模块的内部框图如下：学习串口的时候，主要有以下几点核心内容。
2025-10-26 13:44:07
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原创 随机存取存储器的历史：从磁鼓存储器到 DDR5
大家好，这里是大话硬件。看到一篇介绍内存发展历史的文章，分享给大家。计算机的随机存取存储器 （RAM） 在允许计算机执行进程和程序方面发挥着典型作用。与对应的 ROM（只读存储器）不同，RAM 的内存实际上不是永久性的或易失性的。因此，一旦计算机关闭，RAM 的内容将不复存在。因此，RAM 不用于存储作系统程序、输入/输出系统和其他必要实用程序等永久信息。相反，它充当 CPU 可以执行其计算并运行您的程序或游戏的临时空间。
2025-10-02 17:14:59
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原创 高速电路逻辑电平转换设计
现在很多SOC器件为了降低功耗，都把IO口的电平设计成了1.8V，核电压0.85V，当这种SOC做主平台时，在做接口设计需要格外关注电平的匹配。单板中经常需要将1.8V的电平转换成3.3V或者转成5V。如果没有注意到输入和输出信号之间的电平匹配，系统就无法正常工作。这篇文章主要从两个简单的案例入手，分析电平转换电路需要注意的一些问题，以及在此类芯片数据手册中几个重要参数的解读，对开发人员来说，掌握这些器件的参数是器件选型必须关注的点。1. 三极管做电平转换以常见的三极管做1.8V转3.3V为案例。电路图如下
2025-09-30 11:48:40
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原创 如何阅读英文数据手册Datasheet
这篇文章结合在平时工作中需要经使用的一项技能——如何阅读数据手册来分享。文章的结构和目录如下：整篇文章阅读大约需要10分钟。一直关注我公众号的朋友应该比较清楚，平时在“大话硬件”群里面，好几次有朋友提到希望我分享一些学习硬件，提升专业能力的经验。不是我不愿意分享，是我感觉自己经验还不足，而且也不想说一些自己没有验证过，还确实有效的，所谓的经验。其实在刚开始学习任何一门相对专业的技能时，或多或少都会面临这样相似的困境。正如那句话说的，师傅领进门，修行在个人。刚入门时，有个师傅带一带上手还是要稍等的快一点。不是
2025-09-30 11:48:12
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原创 一次讲全所有电平转换芯片原理和使用！
本文深入解析电平转换芯片的内部架构与工作原理，通过多张示意图详细展示不同电平转换方案的设计实现。内容涵盖各类电平转换技术的核心原理、电路结构及应用场景，为硬件工程师提供全面的技术参考。文末提供相关资料获取方式，助力开发者深入理解电平转换技术并应用于实际项目。
2025-09-21 09:21:22
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原创 Npass gate transistor是什么器件？
本文探讨了一种特殊的NMOS器件——N-channel pass-gate transistor。作者通过对比传统NMOS管的结构差异，发现该器件衬底B未与源极S相连而是直接接地。结合TI电平转换芯片的应用实例，详细分析了其工作原理：当栅极固定偏置时，器件在低压下呈现导通特性，当电压超过阈值（1.2V）时自动关断。文章揭示了该器件在电平转换电路中的关键作用，并反思工程师需突破惯性思维，深入理解器件本质特性。通过解构特殊符号的NMOS管，展现了硬件设计中注重细节的重要性。
2025-09-20 19:18:36
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原创 SDRAM详细分析- 10内存特性对比
在上面对比中，有两个概念需要理清楚，带宽和速率。速率是指单根数据线上每秒传输数据的速度，而带宽并不限制数据线的总数，带宽是单位时间内总线上每秒传输数据速度。简单理解就是速率以单根线为基础，带宽以所有的线为基础。提升内存颗粒的数量就能提高带宽吗？并不是，如果这些内存都是用的一个通道，那么只能提升容量，提升不了带宽。所以，要提升带宽，要么增加速率，要么增加通道数假设一个SOC的DDR通道数为2，对应DDR4x16，使用最高频率是3200Mbps，则总带宽是216。
2025-09-15 12:52:53
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原创 SDRAM详细分析—09 DDR3器件管脚描述
橙色框是额外配置管脚，在ZQ上要接240Ω的电阻，简单的理解就是这个电阻可以让DDR进行校准的时候作为参考，更好的输出信号，提高信号完整性。基于上面对DDR3原理图的分析，再看DDR4的原理图，是不是就完全没问题，功能管脚和DDR3基本一样，这里DQS分了低8位和高8位而已。前面一系列的文章，对SDRAM器件内部的原理进行了分析，今天这篇文章结合DDR3 SDRAM 颗粒，具体看看这个课题管脚的描述。在网上下载海思开发板的原理图，可以看到海思原理图DDR3的连线如下，将其分为5个部分。
2025-09-14 22:24:23
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原创 SDRAM详细分析-08 数据手册解读
三星等厂商将停产DDR4内存颗粒，转向利润更高的DDR5等产品。国内内存厂商多依赖进口晶圆，面临产能受限问题。文章以MT46V型号512Mb DDR内存为例，详细解析其内部结构：4位宽、4bank设计，每个bank容量32Mbx4。通过计算得出行地址8192行、列地址16384列，并说明数据读取时的8位预取机制。最后介绍行/列地址通过RAS#和CAS#信号区分的原理，为国产内存替代方案提供技术储备。
2025-09-06 22:10:58
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原创 SDRAM详细分析—07 存储器阵列寻址
大家好，这里是大话硬件这篇文章将分析实际SDRAM内部是如何进行寻址以及内存单元分布方式。根据前面的内容，从小容量到大容量进行迭代分析。
2025-09-06 15:23:41
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原创 SDRAM详细分析—06 存储单元架构和放大器
大家好，这里是大话硬件。在前面文章中提到，SDRAM最小存储单元是一个晶体管和一个电容，下面具体分析一下这些存储单元到底是如何构成SDRAM。
2025-09-05 22:36:04
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原创 SDRAM详细分析——04 内存控制器
大家好，这里是大话硬件。前面文章中提到了内存要想高效的工作，需要精心安排各种指令和解决冲突。这些工作任务的都是由内存控制器来完成。通用的内存控制器主要分为2个部分，前端和后端。前端是内存控制器和系统内部打交道的接口，主要响应CPU和其他部分的读写请求。前端的设计是独立于内存类型，无论后面是接DDR2还是DDR4，前端的工作方式不会发生变化。后端是内存控制器直接和内存颗粒打交道的接口，它高度依赖于内存类型，也就是说如果单板上是DDR2颗粒，后端就必须懂DDR2所有专用指令集，时序参数和操作协议。
2025-08-24 19:43:15
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原创 SDRAM详细分析——03 流水线内存访问和内存效率
大家好，这里是大话硬件。在上一篇文章中介绍了SDRM读写数据最基础的内存访问周期，其中提到了因为电容漏电，SDRAM工作时需要不停的刷新，这无疑是会降低DDR的效率。为了进一步提升DDR的效率，目前采用的技术是流水线内存访问方式。对硬件开发人员来说，流水线内存访问的实现的基础是SDRAM的命令总线和数据总线分开。下面的图解释了流水线操作指令的核心。
2025-08-24 10:35:12
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原创 SDRAM详细分析——02 内存访问周期
大家好，这里是大话硬件。上一篇文章介绍了SDRAM基础，了解到SDRAM的发展历程。这篇文章主要总结SDRAM内部的构造和最基础的内存访问周期。打开DDR的数据手册，在Diagram这一页如下所示：上面的框图说明SDRAM内部有大量banks，即多bank架构。这个多Bank有点像图书馆里面的书架。下面是1Gb内存DDR3手册，可以看到有8个Banks，对应到框图里面的Bank0~Bank7将Bank类比成书架，如下所示在Bank内部，存在不同的行Rows，而每一行又有很多列columns。
2025-08-23 08:52:42
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原创 SDRAM详细分析——01 SDRAM基础
本文介绍了SDRAM的工作原理及其发展历程。SDRAM是在DRAM基础上演变的同步动态随机存取内存，通过内存控制器与CPU交互。与片内SRAM相比，SDRAM成本低但速度慢，需要定期刷新。文章对比了DRAM（单管+电容）和SRAM（六管）的结构差异，并介绍了从SDR到DDR系列的技术演进，包括DDR2/3/4/5等为提升带宽所做的改进。最后指出实际应用中需平衡内存容量、带宽、速度和成本等因素。下篇将探讨SDRAM的Bank结构。
2025-08-11 22:25:21
266
原创 Allegro软件光绘文件Artwork到底如何配置？
大家好，这里是大话硬件。今天这篇文章主要写一下Allegro软件在设计多层板时，这个切换视图的Film是怎么来的。在软件中，设置切换视图的功能是Artwork，在出光绘文件时需要用到，画PCB时因为切换层视图同样要使用，因此，在设计之初就需要配置好。在我们公司这一块全部由PCB工程师完成，但是一直很好奇这里面需要配置哪些东西，于是就有了这篇文章。经过学习发现，对于任何一个PCB的artwork都需要设置这6个层的底片。
2025-07-25 23:06:42
896
原创 allegro软件如何完成一个贴片封装的制作
本文详细介绍了SMD封装制作流程，以SOT-223封装为例。首先解析了封装的四个关键要素：焊盘、位号丝印、阻焊层和钢网。然后通过LM1117芯片的实例，演示了封装制作过程：包括焊盘尺寸设计（考虑阻焊层和钢网层）、焊盘位置摆放、丝印框绘制、Place Bound区域设置以及装配层丝印添加。文章强调制作封装的关键是准确理解器件规格书中的尺寸要求，并正确使用Allegro软件中的各图层功能。最后总结了封装制作的五个核心步骤：识别焊盘类型、制作焊盘、摆放焊盘、添加丝印信息和保存封装库。
2025-07-24 08:57:04
1333
原创 allegro 16.6配置CIS库报错 ORCIS-6129 ORCIS-6469
配置CIS库一直出现问题，查看了capture.ini的路径是对的，数据库的配置也是对的，但是就是无法识别。经过多次的尝试和思考发现，是库文件存放的文件夹我加了空格符号，路径无法被识别。另外建数据库的时候，没有使用系统DSN使用的是用户DSN。
2025-07-22 22:06:03
636
原创 LP wizard 软件安装教程
成功安装LP Wizard软件的关键在于正确选择安装包和破解方法。必须确保安装包与教程匹配，并默认安装在C盘。推荐使用馒头破戒大师最新版进行一键破解，安装完成后需重启电脑才能正常使用。文中提供了详细的安装截图和注意事项，帮助用户避免常见错误，顺利完成软件安装和破解。
2025-07-19 17:49:18
337
原创 手把手教你DC-DC 布局注意事项
本文分享了非隔离式开关电源PCB布局的关键要点。首先强调电源模块应远离敏感电路，避免干扰和热损坏。布局设计需注意三点：1) 模块位置和叠层设计，建议将小信号置于地平面间屏蔽噪声；2) 功率器件布局要最小化面积和环路，降低辐射和寄生电感影响；3) 控制信号需差分走线，缩短驱动线长度。文中提供了具体布局示例和设计规范，包括开尔文连接采样、多路电源地线分离等实用技巧。这些措施能有效改善EMC性能，减少振铃和损耗。完整英文文档可通过公众号获取。
2025-07-12 09:53:01
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原创 自恢复式保险丝如何实现自恢复？
自恢复保险丝（PPTC）是一种基于聚合物材料的正温度系数热敏电阻，具有自动恢复特性。其工作原理是通过导电微粒在聚合物基体中形成导电网络，当电流或温度异常时，聚合物膨胀导致导电通道断开，呈现高阻态保护电路；故障消除后自动恢复低阻状态。关键参数包括维持电流、动作电流、耐压值、耐流值和初始/动作后电阻等。其性能受温度显著影响，动作时间随温度升高而缩短，且复位后电阻会随时间逐渐恢复至初始值。这种元件广泛应用于电路过流保护领域。
2025-06-14 22:11:26
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原创 保险丝工作原理
本文介绍了保险丝的基本知识，包括其物理结构（熔体、电极、支架三部分）和工作原理（电流发热导致熔断）。重点解析了保险丝选型的7个关键参数：额定电压需高于电路峰值电压2.5倍；额定电流应考虑温度影响；允通能量决定抗浪涌能力；中断能量需大于最大故障电流；温度折减系数；快慢熔特性选择；以及使用寿命的降额系数（0.6-0.8）。通过分析2kV共模浪涌测试中的保险丝断开现象，文章为电路保护设计提供了实用参考。
2025-06-14 22:07:51
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空空如也
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