对内存地址的认识

引用：http://wenda.tianya.cn/wenda/thread?tid=6c1da3e7f5ce0216

存储地址空间是指对存储器编码（编码地址）的范围。所谓编码就是对每一个物理存储单元（一个字节）分配一个号码，通常叫作 “ 编址 ” 。分配一个号码给一个存储单元的目的是为了便于找到它，完成数据的读写，这就是所谓的 “ 寻址 ” （所以，有人也把地址空间称为寻址空间）。
　　地址空间的大小和物理存储器的大小并不一定相等。举个例子来说明这个问题：某层楼共有 17 个房间，其编号为 801 ～ 817 。这 17 个房间是物理的，而其地址空间采用了三位编码，其范围是 800 ～ 899 共 100 个地址，可见地址空间是大于实际房间数量的。
　　对于 386 以上档次的微机，其地址总线为 32 位，因此地址空间可达 2 的 32 次方 , 即 4GB 。（虽然如此，但是我们一般使用的一些操作系统例如 windows xp 、却最多只能识别或者使用 3.25G 的内存， 64 位的操作系统能识别并使用 4G 和 4G 以上的的内存，
　　好了，现在可以解释为什么会产生诸如：常规内存、保留内存、上位内存、高端内存、扩充内存和扩展内存等不同内存类型。
[ 编辑本段 ]
【内存概念】
　　各种内存概念
　　这里需要明确的是，我们讨论的不同内存的概念是建立在寻址空间上的。
　　
IBM 推出的第一台 PC 机采用的 CPU 是 8088 芯片，它只有 20 根地址线，也就是说，它的地址空间是 1MB 。
　 　 PC 机的设计师将 1MB 中的低端 640KB 用作 RAM ，供 DOS 及应用程序使用，高端的 384KB 则保留给 ROM 、视频适配卡等系统使用。从此，这个界 限便被确定了下来并且沿用至今。低端的 640KB 就被称为常规内存即 PC 机的基本 RAM 区。保留内存中的低 128KB 是显示缓冲区，高 64KB 是系统 BIOS （基本输入／输出系统）空间，其余 192KB 空间留用。从对应的物理存储器来看，基本内存区只使用了 512KB 芯片，占用 0000 至 7FFFF 这 512KB 地址。显示内存区虽有 128KB 空间，但对单色显示器（ MDA 卡）只需 4KB 就足够了，因此只安装 4KB 的物理存储器芯片，占用了 B0000 至 B0FFF 这 4KB 的空间，如果使用彩色显示器（ CGA 卡）需要安装 16KB 的物理存储器，占用 B8000 至 BBFFF 这 16KB 的空间，可见实际使用的地址范围都小 于允许使用的地址空间。
　　在当时（ 1980 年末至 1981 年初）这么 “ 大 ” 容量的内存对 PC 机使用者来说似乎已经足够了，但是随着程序的不断增大，图象和声音的不断丰富，以及能访问更大内存空间的新型 CPU 相继出现，最初的 PC 机和 MS － DOS 设计的局限性变得越来越明显。
　　 ●1. 什么是扩充内存？
　 　到 1984 年，即 286 被普遍接受不久，人们越来越认识到 640KB 的限制已成为大型程序的障碍，这时， Intel 和 Lotus ，这两家硬、软件的杰出 代表，联手制定了一个由硬件和软件相结合的方案，此方法使所有 PC 机存取 640KB 以上 RAM 成为可能。而 Microsoft 刚推出 Windows 不久， 对内存空间的要求也很高，因此它也及时加入了该行列。
　　在 1985 年初， Lotus 、 Intel 和 Microsoft 三家共同定义了 LIM － EMS ，即扩充内存规范，通常称 EMS 为扩充内存。当时， EMS 需要一个安装在 I ／ O 槽口的内存扩充卡和一个称为 EMS 的扩充内存管理程序方可使 用。但是 I ／ O 插槽的地址线只有 24 位（ ISA 总线），这对于 386 以上档次的 32 位机是不能适应的。所以，现在已很少使用内存扩充卡。现在微机中的扩充 内存通常是用软件如 DOS 中的 EMM386 把扩展内存模拟或扩充内存来使用。所以，扩充内存和扩展内存的区别并不在于其物理存储器的位置，而在于使用什么 方法来读写它。下面将作进一步介绍。
　　前面已经说过扩充存储器也可以由扩展存储器模拟转换而成。 EMS 的原理和 XMS 不同，它采用了页帧方式。 页帧是在 1MB 空间中指定一块 64KB 空间（通常在保留内存区内，但其物理存储器来自扩展存储器），分为 4 页，每页 16KB 。 EMS 存储器也按 16KB 分页，每次可交换 4 页内容，以此方式可访问全部 EMS 存储器。符合 EMS 的驱动程序很多，常用的有 EMM386.EXE 、 QEMM 、 TurboEMS 、 386MAX 等。 DOS 和 Windows 中都提供了 EMM386.EXE 。
　　 ●2. 什么是扩展内存？
　　我们知道， 286 有 24 位地址线，它可寻址 16MB 的地址空间，而 386 有 32 位地址线，它可寻址高达 4GB 的地址空间，为了区别起见，我们把 1MB 以上的地址空间称为扩展内存 XMS （ eXtend memory ）。
　 　在 386 以上档次的微机中，有两种存储器工作方式，一种称为实地址方式或实方式，另一种称为保护方式。在实方式下，物理地址仍使用 20 位，所以最大寻址 空间为 1MB ，以便与 8086 兼容。保护方式采用 32 位物理地址，寻址范围可达 4GB 。 DOS 系统在实方式下工作，它管理的内存空间仍为 1MB ，因此它不 能直接使用扩展存储器。为此， Lotus 、 Intel 、 AST 及 Microsoft 公司建立了 MS － DOS 下扩展内存的使用标准，即扩展内存规范 XMS 。我们常在 Config.sys 文件中看到的 Himem.sys 就是管理扩展内存的驱动程序。
　　扩展内存管理规范的出现迟于扩充内存管理规范。
　　 ●3. 什么是高端内存区？
　　在实方式下，内存单元的地址可记为：
　　段地址：段内偏移
　 　通常用十六进制写为 XXXX ： XXXX 。实际的物理地址由段地址左移 4 位再和段内偏移相加而成。若地址各位均为 1 时，即为 FFFF ： FFFF 。其实际物 理地址为： FFF0 ＋ FFFF=10FFEF ，约为 1088KB （少 16 字节），这已超过 1MB 范围进入扩展内存了。这个进入扩展内存的区域约为 64KB ，是 1MB 以上空间的第一个 64KB 。我们把它称为高端内存区 HMA （ High Memory Area ）。 HMA 的物理存储器是由扩展存储器取得的。因此要使用 HMA ，必须要有物理的扩展存储器存在。此外 HMA 的建立和使用还需要 XMS 驱动程序 HIMEM.SYS 的支持，因此只有装入了 HIMEM.SYS 之后才能使用 HMA 。
　　 ●4. 什么是上位内存？
　　为了解释上位内存的概 念，我们还得回过头看看保留内存区。保留内存区是指 640KB ～ 1024KB （共 384KB ）区域。这部分区域在 PC 诞生之初就明确是保留给系统使用的，用户程序无法插足。但这部分空间并没有充分使用，因 此大家都想对剩余的部分打主意，分一块地址空间（注意：是地址空间，而不是物理存储器）来使用。于是就得到了又一块内存区域 UMB 。
　　 UMB （ Upper Memory Blocks ）称为上位内存或上位内存块。它是由挤占保留内存中剩余未用的空间而产生的，它的物理存储器仍然取自物理的扩展存储器，它的管理驱动程序是 EMS 驱动程序。
　　 ●5. 什么是 SHADOW （影子）内存？
　 　对于细心的读者，可能还会发现一个问题：即是对于装有 1MB 或 1MB 以上物理存储器的机器，其 640KB ～ 1024KB 这部分物理存储器如何使用的问题。由于这部分地址空间已分配为系统使用，所以不能再重复使用。为了利用这部分物理存储器，在某些 386 系统中，提供了一个重定位功能，即把这部分物理存储器的地址重定位为 1024KB ～ 1408KB 。这样，这部分物理存储器就变成了扩展存储器，当然 可以使用了。但这种重定位功能在当今高档机器中不再使用，而把这部分物理存储器保留作为 Shadow 存储器。 Shadow 存储器可以占据的地址空间与对应 的 ROM 是相同的。 Shadow 由 RAM 组成，其速度大大高于 ROM 。当把 ROM 中的内容（各种 BIOS 程序）装入相同地址的 Shadow RAM 中，就可以从 RAM 中访问 BIOS ，而不必再访问 ROM 。这样将大大提高系统性能。因此在设置 CMOS 参数时，应将相应的 Shadow 区设为允许使 用（ Enabled ）。
　　 ●6 、什么是奇 / 偶校验？
　　奇 / 偶校验（ ECC ）是数据传送时采用的一种校正数据错误的一种方式，分为奇校验和偶校验两种。
　 　如果是采用奇校验，在传送每一个字节的时候另外附加一位作为校验位，当实际数据中 “1” 的个数为偶数的时候，这个校验位就是 “1” ，否则这个校验位就是 “0” ，这样就可以保证传送数据满足奇校验的要求。在接收方收到数据时，将按照奇校验的要求检测数据中 “1” 的个数，如果是奇数，表示传送正确，否则表示 传送错误。
　　同理偶校验的过程和奇校验的过程一样，只是检测数据中 “1” 的个数为偶数。
　　 ●1. 什么是 CL 延迟？
　　 CL 反 应时间是衡定内存的另一个标志。 CL 是 CAS Latency 的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到 CPU 的指令后的反应速度。一般的参数值是 2 和 3 两种。数字越小，代表 反应所需的时间越短。在早期的 PC133 内存标准中，这个数值规定为 3 ，而在 Intel 重新制订的新规范中，强制要求 CL 的反应时间必须为 2 ，这样在一定 程度上，对于内存厂商的芯片及 PCB 的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。
　　还有另的诠释：内存延迟基本上可以解释成是系统进入数据进行存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。
　 　打个形象的比喻，就像你在餐馆里用餐的过程一样。你首先要点菜，然后就等待服务员给你上菜。同样的道理，内存延迟时间设置的越短，电脑从内存中读取数据 的速度也就越快，进而电脑其他的性能也就越高。这条规则双双适用于基于英特尔以及 AMD 处理器的系统中。由于没有比 2-2-2 -5 更低的延迟，因此国际内 存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现 0 或者 1 的延迟。
　　通常情况下，我们用 4 个连着的阿拉伯数字来表示一个内存延迟，例如 2-2-2-5 。其中，第一个数字最为重要，它表示的是 CAS Latency, 也就是内存存取数据所需的延迟时间。第二个数字表示的是 RAS-CAS 延迟，接下来的两个数字分别表示的是 RAS 预充电时间和 Act- to-Precharge 延迟。而第四个数字一般而言是它们中间最大的一个。
　　总结
　　经过上面分析，内存储器的划分可归纳如下：
　　 ● 基本内存 占据 0 ～ 640KB 地址空间。
　　 ● 保留内存 占据 640KB ～ 1024KB 地址空间。分配给显示缓冲存储器、各适配卡上的 ROM 和系统 ROM BIOS ，剩余空间可作上位内存 UMB 。 UMB 的物理存储器取自物理扩展存储器。此范围的物理 RAM 可作为 Shadow RAM 使用。
　　 ● 上位内存（ UMB ） 利用保留内存中未分配使用的地址空间建立，其物理存储器由物理扩展存储器取得。 UMB 由 EMS 管理，其大小可由 EMS 驱动程序设定。
　　 ● 高端内存（ HMA ） 扩展内存中的第一个 64KB 区域（ 1024KB ～ 1088KB ）。由 HIMEM.SYS 建立和管理。
　　 ●XMS 内存 符合 XMS 规范管理的扩展内存区。其驱动程序为 HIMEM.SYS 。
　　 ●EMS 内存 符合 EMS 规范管理的扩充内存区。其驱动程序为 EMM386.EXE 等。
　　内存：随机存储器（ RAM ），主要存储正在运行的程序和要处理的数据。
[ 编辑本段 ]
【内存频率】
　 　内存主频和 CPU 主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以 MHz （兆赫）为单位来计量的。内存主频 越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。目前较为主流的内存频率是 800MHz 的 DDR2 内 存，以及一些内存频率更高的 DDR3 内存。
　　大家知道，计算机系统的时钟速度是以频率来衡量的。晶体振荡器控制着时钟速度，在石英晶片上加上电 压，其就以正弦波的形式震动起来，这一震动可以通过晶片的形变和大小记录下来。晶体的震动以正弦调和变化的电流的形式表现出来，这一变化的电流就是时钟信 号。而内存本身并不具备晶体振荡器，因此内存工作时的时钟信号是由主板芯片组的北桥或直接由主板的时钟发生器提供的，也就是说内存无法决定自身的工作频 率，其实际工作频率是由主板来决定的。
　　 DDR 内存和 DDR2 内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作 频率，但是由于 DDR 内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍；而 DDR2 内存每个时钟能够以四倍于工作频率的 速度读 / 写数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的四倍。例如 DDR 200/266/333/400 的工作频率分别是 100/133/166/200MHz ，而等效频率分别是 200/266/333 /400MHz ； DDR2 400/533/667/800 的工作频率分别是 100/133/166/200MHz ，而等效频率分别是 400/533/667/800MHz 。
[ 编辑本段 ]
【内存发展】
　 　在计算机诞生初期并不存在内存条的概念，最早的内存是以磁芯的形式排列在线路上，每个磁芯与晶体管组成的一个双稳态电路作为一比特（ BIT) 的存储器 , 每一比特都要有玉米粒大小，可以想象一间的机房只能装下不超过百 k 字节左右的容量。后来才出线现了焊接在主板上集成内存芯片，以内存芯片的形式为计算机的 运算提供直接支持。那时的内存芯片容量都特别小，最常见的莫过于 256K×1bit 、 1M ×4bit ，虽然如此，但这相对于那时的运算任务来说却已经绰绰 有余了。
　　内存条的诞生
　　内存芯片的状态一直沿用到 286 初期，鉴于它存在着无法拆卸更换的弊病，这对于计算机的发展造成了现实的阻碍。有鉴于此，内存条便应运而生了。将内存芯片焊接到事先设计好的印刷线路板上，而电脑主板上也改用内存插槽。这样就把内存难以安装和更换的问题彻底解决了。
　 　在 80286 主板发布之前，内存并没有被世人所重视，这个时候的内存是直接固化在主板上，而且容量只有 64 ～ 256KB ，对于当时 PC 所运行的工作程序来说，这种内存的性能以及容量足以满足当时软件程序的处理需要。不过随着软件程序和新一代 80286 硬件平台 的出现，程序和硬件对内存性能提出了更高要求，为了提高速度并扩大容量，内存必须以独立的封装形式出现，因而诞生了 “ 内存条 ” 概念。
　　在 80286 主板刚推出的时候，内存条采用了 SIMM （ Single In-lineMemory Modules ，单边接触内存模组）接口，容量为 30pin 、 256kb ，必须是由 8 片数据位和 1 片校验位组成 1 个 bank ，正因如此，我们见到的 30pin SIMM 一般是四条一起使用。自 1982 年 PC 进入民用市场一直到现在，搭配 80286 处理器的 30pin SIMM 内存是内存领域的开山鼻祖。
　　随后，在 1988 ～ 1990 年当中， PC 技术迎来另一个发展高峰，也就是 386 和 486 时代，此时 CPU 已经向 16bit 发展，所以 30pin SIMM 内存再也无法满足需求，其较低的内存带宽已经成为急待解决的瓶颈，所以此时 72pin SIMM 内存出现了， 72pin SIMM 支持 32bit 快速页模式内存，内存带宽得以大幅度提升。 72pin SIMM 内存单条容量一般为 512KB ～ 2MB ，而且仅要求两条同时使用，由于其与 30pin SIMM 内存无法兼容，因此这个时候 PC 业界毅然将 30pin SIMM 内存淘汰出局了。
　 　 EDO DRAM （ Extended Date Out RAM 外扩充数据模式存储器）内存，这是 1991 年到 1995 年之间盛行的内存条， EDO DRAM 同 FPM DRAM （ Fast Page Mode RAM 快速页面模式存储器）极其相似，它取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给 CPU 的同时去访问下一个页面，故而速度 要比普通 DRAM 快 15~30% 。工作电压为一般为 5V ，带宽 32bit ，速度在 40ns 以上，其主要应用在当时的 486 及早期的 Pentium 电脑上。
　 　在 1991 年到 1995 年中，让我们看到一个尴尬的情况，那就是这几年内存技术发展比较缓慢，几乎停滞不前，所以我们看到此时 EDO DRAM 有 72 pin 和 168 pin 并存的情况，事实上 EDO 内存也属于 72pin SIMM 内存的范畴，不过它采用了全新的寻址方式。 EDO 在成本和容量上有所突破，凭借着制作工艺的飞速发展，此时单条 EDO 内存的容量已经达到 4 ～ 16MB 。由于 Pentium 及更高级别的 CPU 数据总线宽度都是 64bit 甚至更高，所以 EDO DRAM 与 FPM DRAM 都必须成对使用。
　　 SDRAM 时代
　　自 Intel Celeron 系列以及 AMD K6 处理器以及相关的主板芯片组推出后， EDO DRAM 内存性能再也无法满足需要了，内存技术必须彻底得到个革新才能满足新一代 CPU 架构的需求，此时内存开始进入比较经典的 SDRAM 时代。
　 　第一代 SDRAM 内存为 PC66 规范，但很快由于 Intel 和 AMD 的频率之争将 CPU 外频提升到了 100MHz ，所以 PC66 内存很快就被 PC100 内存取代，接着 133MHz 外频的 PIII 以及 K7 时代的来临， PC133 规范也以相同的方式进一步提升 SDRAM 的整体性能，带宽提高到 1GB/sec 以上。由于 SDRAM 的带宽为 64bit ，正好对应 CPU 的 64bit 数据总线宽度，因此它只需要一条内存便可工作，便捷性进一步提高。在性能方面，由于其输入输出信号保持与系统外频同步，因此速度明显超越 EDO 内存。
　 　不可否认的是， SDRAM 内存由早期的 66MHz ，发展后来的 100MHz 、 133MHz ，尽管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但此时 CPU 超频已经成为 DIY 用户永恒的话题， 所以不少用户将品牌好的 PC100 品牌内存超频到 133MHz 使用以获得 CPU 超频成功，值得一提的是，为了方便一些超频用户需求，市场上出现了一些 PC150 、 PC166 规范的内存。
　　尽管 SDRAM PC133 内存的带宽可提高带宽到 1064MB/S ，加上 Intel 已经开始着手最新的 Pentium 4 计划，所以 SDRAM PC133 内存不能满足日后的发展需求，此时， Intel 为了达到独占市场的目的，与 Rambus 联合在 PC 市场推广 Rambus DRAM 内存（称为 RDRAM 内存）。与 SDRAM 不同的是，其采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类 RISC(Reduced Instruction Set Computing ，精简指令集计算机 ) 理论，这个理论可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。
　　 在 AMD 与 Intel 的竞争中，这个时候是属于频率竞备时代，所以这个时候 CPU 的主频在不断提升， Intel 为了盖过 AMD ，推出高频 Pentium Ⅲ 以及 Pentium 4 处理器，因此 Rambus DRAM 内存是被 Intel 看着是未来自己的竞争杀手锏， Rambus DRAM 内存以高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量，因此内存带宽相当出色，如 PC 1066 1066 MHz 32 bits 带宽可达到 4.2G Byte/sec ， Rambus DRAM 曾一度被认为是 Pentium 4 的绝配。
　　尽管如此， Rambus RDRAM 内存生不逢时，后来依然要被更高速度的 DDR“ 掠夺 ” 其宝座地位，在当时， PC600 、 PC700 的 Rambus RDRAM 内存因出现 Intel820 芯片组 “ 失误事件 ” 、 PC800 Rambus RDRAM 因成本过高而让 Pentium 4 平台高高在上，无法获得大众用户拥戴，种种问题让 Rambus RDRAM 胎死腹中， Rambus 曾希望具有更高频率的 PC1066 规范 RDRAM 来力挽狂澜，但最终也是拜倒在 DDR 内存面前。
　　 DDR 时代
　　 DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM) 简称 DDR ，也就是 “ 双倍速率 SDRAM” 的意思。 DDR 可以说是 SDRAM 的升级版本， DDR 在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得 DDR 的数据传输速度为传统 SDRAM 的两倍。由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增 加。至于定址与控制信号则与传统 SDRAM 相同，仅在时钟上升缘传输。
　　 DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进，最终弥补内存带宽上的不足。第一代 DDR200 规范并没有得到普及，第二代 PC266 DDR SRAM （ 133MHz 时钟 ×2 倍数据传输＝ 266MHz 带宽）是由 PC133 SDRAM 内存所衍生出的，它将 DDR 内存带向第一个高潮，目前还有不少赛扬和 AMD K7 处理器都在采用 DDR266 规格的内存，其后来的 DDR333 内存也属于一种过度，而 DDR400 内存成为目前的主流平台选配，双通道 DDR400 内 存已经成为 800FSB 处理器搭配的基本标准，随后的 DDR533 规范则成为超频用户的选择对象。
　　 DDR2 时代
　　随着 CPU 性能不断提高，我们对内存性能的要求也逐步升级。不可否认，紧紧依高频率提升带宽的 DDR 迟早会力不从心，因此 JEDEC 组织很早就开始酝酿 DDR2 标准，加上 LGA775 接口的 915/925 以及最新的 945 等新平台开始对 DDR2 内存的支持，所以 DDR2 内存将开始演义内存领域的今天。
　 　 DDR2 能够在 100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少 400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于 1.8V 电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。此外， DDR2 将融入 CAS 、 OCD 、 ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。从 JEDEC 组织者阐述的 DDR2 标准来看，针对 PC 等市场的 DDR2 内存将拥有 400 、 533 、 667MHz 等不同的时钟频率。高端的 DDR2 内存将拥有 800 、 1000MHz 两种频率。 DDR-II 内存将采用 200- 、 220- 、 240- 针脚的 FBGA 封装形式。最初的 DDR2 内存将采用 0.13 微米的生产工艺，内存颗粒的电压为 1.8V ，容量密度为 512MB 。
　　内存技术在 2005 年将会毫无悬念， SDRAM 为代表的静态内存在五年内不会普及。 QBM 与 RDRAM 内存也难以挽回颓势，因此 DDR 与 DDR2 共存时代将是铁定的事实。
　　 PC-100 的 “ 接班人 ” 除了 PC 一 133 以外， VCM(VirXual Channel Memory) 也是很重
　 　要的一员。 VCM 即 “ 虚拟通道存储器 ” ，这也是目前大多数较新的芯片组支持的一种内存标准， VCM 内存主要根据由 NEC 公司开发的一种 “ 缓存式 DRAM” 技术制造而成，它集成了 “ 通道缓存 ” ，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时， VCM 还维持着对传统 SDRAM 的高度兼容性， 所以通常也把 VCM 内存称为 VCM SDRAM 。 VCM 与 SDRAM 的差别在于不论是否经过 CPU 处理的数据，都可先交于 VCM 进行处理，而普通的 SDRAM 就只能处理经 CPU 处理以后的数 据，所以 VCM 要比 SDRAM 处理数据的速度快 20 ％以上。目前可以支持 VCM SDRAM 的芯片组很多，包括： Intel 的 815E 、 VIA 的 694X 等。
　　 3 ． RDRAM
　　 Intel 在推出： PC-100 后， 由于技术的发展， PC-100 内存的 800MB ／ s 带宽已经不能满足需求，而 PC-133 的带宽提高并不大 (1064MB ／ s) ，同样不能满足日后的发展 需求。 Intel 为了达到独占市场的目的，与 Rambus 公司联合在 PC 市场推广 Rambus DRAM(DirectRambus DRAM) 。
　 　 Rambus DRAM 是： Rambus 公司最早提出的一种内存规格，采用了新一代高速简单内存架构，基于一种 RISC(Reduced Instruction Set Computing ，精简指令集计算机 ) 理论，从而可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。 Rambus 使用 400MHz 的 16bit 总线，在 一个时钟周期内，可以在上升沿和下降沿的同时传输数据，这样它的实际速度就为 400MHz×2 ＝ 800MHz ，理论带宽为 (16bit×2×400MHz ／ 8)1.6GB ／ s ，相当于 PC-100 的两倍。另外， Rambus 也可以储存 9bit 字节，额外的一比特是属于保留比 特，可能以后会作为： ECC(ErroI·Checking and Correction ，错误检查修正 ) 校验位。 Rambus 的时钟可以高达 400MHz ，而且仅使用了 30 条铜线连接内存控制器和 RIMM(Rambus In-line MemoryModules ， Rambus 内嵌式内存模块 ) ，减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的电磁干扰，从而快速地提高内存的工作频率。不过 在高频率下，其发出的热量肯定会增加，因此第一款 Rambus 内存甚至需要自带散热风扇。
　　 DDR3 时代
　　 DDR3 相比起 DDR2 有 更低的工作电压，从 DDR2 的 1.8V 降落到 1.5V ，性能更好更为省电； DDR2 的 4bit 预读升级为 8bit 预读。 DDR3 目前最高能够达到 2000Mhz 的速度，尽管目前最为快速的 DDR2 内存速度已经提升到 800Mhz/1066Mhz 的速度，但是 DDR3 内存模组仍会从 1066Mhz 起 跳。
　　一、 DDR3 在 DDR2 基础上采用的新型设计：
　　 1 ． 8bit 预取设计，而 DDR2 为 4bit 预取，这样 DRAM 内核的频率只有接口频率的 1/8 ， DDR3-800 的核心工作频率只有 100MHz 。
　　 2 ．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址 / 命令与控制总线的负担。
　　 3 ．采用 100nm 以下的生产工艺，将工作电压从 1.8V 降至 1.5V ，增加异步重置（ Reset ）与 ZQ 校准功能。
[ 编辑本段 ]
【内存区别】
　　 DDR2 与 DDR 的区别
　 　与 DDR 相比， DDR2 最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于 DDR 内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个 DRAM 核心来实现的。作为对比，在每个设备上 DDR 内存只能够使用一个 DRAM 核心。技术上讲， DDR2 内存上仍然只有一个 DRAM 核心，但是它可以并 行存取，在每次存取中处理 4 个数据而不是两个数据。
　　与双倍速运行的数据缓冲相结合， DDR2 内存实现了在每个时钟周期处理多达 4bit 的数据，比传统 DDR 内存可以处理的 2bit 数据高了一倍。 DDR2 内存另一个改进之处在于，它采用 FBGA 封装方式替代了传统的 TSOP 方式。
　 　然而，尽管 DDR2 内存采用的 DRAM 核心速度和 DDR 的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配 DDR2 内存，因为 DDR2 的物理规格和 DDR 是不兼 容的。首先是接口不一样， DDR2 的针脚数量为 240 针，而 DDR 内存为 184 针；其次， DDR2 内存的 VDIMM 电压为 1.8V ，也和 DDR 内存的 2.5V 不同。
　　 DDR2 的定义：
　　 DDR2 （ Double Data Rate 2 ） SDRAM 是由 JEDEC （电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代 DDR 内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟 的上升 / 下降延同时进行数据传输的基本方式，但 DDR2 内存却拥有两倍于上一代 DDR 内存预读取能力（即： 4bit 数据读预取）。换句话说， DDR2 内存 每个时钟能够以 4 倍外部总线的速度读 / 写数据，并且能够以内部控制总线 4 倍的速度运行。
　　此外，由于 DDR2 标准规定所有 DDR2 内存均采用 FBGA 封装形式，而不同于目前广泛应用的 TSOP/TSOP-II 封装形式， FBGA 封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为 DDR2 内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回 想起 DDR 的发展历程，从第一代应用到个人电脑的 DDR200 经过 DDR266 、 DDR333 到今天的双通道 DDR400 技术，第一代 DDR 的发展也走到 了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着 Intel 最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行 频率的 DDR2 内存将是大势所趋。
　　 DDR2 与 DDR 的区别：
　　在了解 DDR2 内存诸多新技术前，先让我们看一组 DDR 和 DDR2 技术对比的数据。
　　 1 、延迟问题：
　 　从上表可以看出，在同等核心频率下， DDR2 的实际工作频率是 DDR 的两倍。这得益于 DDR2 内存拥有两倍于标准 DDR 内存的 4BIT 预读取能力。换句话说，虽然 DDR2 和 DDR 一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式， 但 DDR2 拥有两倍于 DDR 的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样 100MHz 的工作频率下， DDR 的实际频率为 200MHz ，而 DDR2 则可以 达到 400MHz 。
　　这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的 DDR 和 DDR2 内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说， DDR 200 和 DDR2-400 具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上， DDR2-400 和 DDR 400 具有相同的带宽，它们都是 3.2GB/s ，但是 DDR400 的核心工作频率是 200MHz ，而 DDR2-400 的核心工作频率是 100MHz ，也就 是说 DDR2-400 的延迟要高于 DDR400 。
　　 2 、封装和发热量：