nand flash 读写操作

本文详细介绍了NAND Flash的读写操作,包括页读、随机数据输出、页编程和随机数据输入四个步骤。在页读过程中,通过特定命令和地址读取数据;随机数据输出时,可连续读取同一页内不同位置的数据;页编程涉及将数据写入页缓存,随后确认开始编程;随机数据输入允许在编程前输入任意位置的数据,最后确认编程开始。
摘要由CSDN通过智能技术生成
1、页读
如下所示,先输入读命令 0x00 ,然后输入5个地址,分为2个列地址(页内地址)和3个行地址(页和block地址),再输入读确认地址0x30,nand硬件会自动从指定的页的主存储区读数据到页缓存(页寄存器),此时R/B#为低电平,当内部读完成后,  R/B# 恢复为高电平,此时便可以通过NFC的数据寄存器读取想要的数据。

2、Random data output (随机读)
如下图,前部分跟上面提到的一致,再输入30确认读后,读出想要的页的内容。此时若想继续读此页怎么办???
输入05、2个页内地址、E0,然后硬件会从指定的页内地址继续读出数据。

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