AMEYA360：罗姆将亮相2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会

最新推荐文章于 2024-09-13 19:36:07 发布

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　全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)将于8月28日～30日参加在深圳国际会展中心(宝安新馆)举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会(以下简称PCIM Asia)(展位号：11号馆D14)。届时，将聚焦碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时，罗姆工程师还将在现场举办的“宽禁带半导体器件— 氮化镓及碳化硅论坛”以及“电动汽车论坛”等同期论坛上发表演讲，分享罗姆最新的功率电子技术成果。

　　罗姆拥有世界先进的碳化硅为核心的功率元器件技术，以及充分发挥其性能的控制IC和模块技术，在提供电源解决方案的同时，为工业设备和汽车领域的节能化、小型化做出贡献。在本次PCIM Asia展会上，针对日益增长的中国市场需求，罗姆将重点展示以下产品和解决方案：

　　碳化硅：

　　罗姆在碳化硅功率元器件和模块的开发领域处于先进地位，并推出了EcoSiC™品牌。其中，先进的第4代SiC MOSFET技术实现了业界领先的低导通电阻，充分地减少了开关损耗，并支持15V和18V的栅极-源极电压，有助于在包括汽车逆变器和各种开关电源在内的各种应用中实现显著的小型化和低功耗。在本次展会上，罗姆将在首次推出其适用于车载牵引逆变器的新型二合一SiC功率模块“TRCDRIVE pack™”。该系列产品为小型封装，内置第4代SiC MOSFET，实现了业界超高功率密度，助力xEV逆变器小型化发展。除此之外，罗姆还将展示生产工艺向8英寸SiC晶圆工艺的转换，并探讨有关SiC产品的未来发展方向。

　　TRCDRIVE pack™和EcoSiC™ 是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

　　氮化镓：

　　GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。在本次PCIM Asia展会上，罗姆会通过多个评估套件展示EcoGaN™系列150V和650V级的GaN HEMT。Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(包含内置650V GaN HEMT和栅极驱动器)能够实现集成度更高、体积更小的PFC和QR(准谐振)反激转换器。这些器件能为各种需要高功率密度和效率的电子系统提供更佳解决方案。罗姆还将展示多种EcoGaN™系列产品的相关电路板及其在工业解决方案中的贡献。