NAND flash阵营ToggleDDR和ONFI

NAND 闪存:目前闪存制造厂主要分为三星东芝、海力士联合的ToggleDDR阵营英特尔美光为首的ONFI阵营

IM Flash Technologies(IMFT):由Intel和Micron合资兴办的半导体制造公司,主要生产NAND型闪存芯片产品。

 

ONFI(open NAND FLASH Interface):

ONFI 1.0制定于2006年12月,制定闪存的物理接口、封装、工作机制、控制指令、寄存器等规范,增加对ECC的支持,传输带宽从传统的Legacy接口的40MB/s提升到50MB/s

ONFI 2.0标准诞生于2008年2月,133MB/s。

 ONFI 2.1,带宽提升到166MB/s和200MB/s(工作模式不同速度不同)

ONFI 3.0 接口带宽提升到400MB/s

 

ToggleDDR:

Toggle DDR 1.0,2010年6月,Toggle DDR NAND采用双向DQS信号控制读写操作,信号的上升与下降沿都可以进行资料的传输,能使传输速度翻倍,接口带宽为133MB/s,而且没有内置同步时钟发生器(即NAND还是异步设计),因此其功耗会比同步NAND更低。

Toggle DDR以DQS为时钟信号,驱动输入

Toggle DDR 2.0,2010年8月,传输带宽上升到400MB/s。

闪存的同步与异步

ONFI 2.0标准在NAND中加入了同步时钟发生器,主控可以通过发送同步指令激活闪存上的同步时钟信号,使闪存工作在同步模式 ,此时闪存的数据传输速率会大幅度提升,异步模式相当于ONFI 1.0,闪存的带宽为50MB/s,而同步模式下闪存至少也符合ONFI 2.0,闪存带宽可达到133MB/s以上。

 

下面是镁光NAND在异步与同步模式下的部分针脚定义:

开机时SSD是运行在异步模式的,只有当主控发送同步指令给闪存后,才激活闪存上的源同步时钟,然后针脚定义发生改变,激活DQS信号, 让其工作在同步模式,并将异步模式下的WE#信号变为CLK信号,RE#变为W/R信号,同步模式下DQS信号的上升沿与下降沿都能控制信号的传输,使传输速度翻倍。

企业级SSD:常用 slc类型的flash

转载于:https://www.cnblogs.com/Caden-liu8888/p/7112019.html

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