MOSFET的半桥驱动电路设计要领详解

1 引言

　　MOSFET凭开关速度快、导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用。要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能，就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数。在应用中MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下，如图1所示。由于下桥MOSFET驱动电压的参考点为地，较容易设计驱动电路，而上桥的驱动电压是跟随相线电压浮动的，因此如何很好地驱动上桥MOSFET成了设计能否成功的关键。半桥驱动芯片由于其易于设计驱动电路、外围元器件少、驱动能力强、可靠性高等优点在MOSFET驱动电路中得到广泛应用。

　　2 桥式结构拓扑分析

　　图1所示为驱动三相直流无刷电机的桥式电路，其中LPCB、 LS、LD为直流母线和相线的引线电感，电机为三相Y型直流无刷电机，其工作原理如下。

　　

　　直流无刷电机通过桥式电路实现电子换相，电机工作模式为三相六状态，MOSFET导通顺序为Q1Q5→Q1Q6→Q2Q6→Q2Q4→Q3Q4→Q3Q5。

　　系统通过调节上桥MOSFET的PWM占空比来实现速度调节。Q1、Q5导通时，电流（Ion）由VDD经Q1、电机线圈、Q5流至地线，电机AB相通电。Q1关闭、Q5导通时，电流经过Q5，Q4续流（IF），电机线圈中的电流基本维持不变。Q1再次开通时，由于Q3体二极管的电荷恢复过程，体二极管不能很快关断，因此体二极管中会有反向恢复电流（Irr）流过。由于Irr的变化很快，因此在Irr回路中产生很高的di/dt。

　　3 半桥驱动电路工作原理

　　图2所示为典型的半桥驱动电路。