NandFlash手册梳理与操作流程 -- BadBlock检测

1、坏块的定义及坏块的出厂数量要求

我们以GD5F1GQ5REYIG为例：
1）在出厂时，就有一些blocks无效，官方会在手册中声明全部block数量和可用block的最小数量（NVB）；
2）坏块（invalid block）是至少有一页含有多个bad bit，且能够被ECC 校验出来的。虽然额外的坏块会随着使用增加，但在整个Flash芯片周期内，可用的block数量仍然满足NVB的要求。

2、坏块的检测方法

1）出厂坏块标记

在出厂时，工厂在each block的first spare area，将bad block设置mark（0x00)；

2）出厂坏块标记的使用

在进行烧写或者擦除操作时，应该首先检查each block的first page的first spare area location，看看是否是非0xFF的数据，如果是，代表这个block是坏块；

3）出厂坏块检测具体流程

对于flash的操作（读、擦除、写），流程中有3个关键地方，我们需要掌握，操作指令、操作地址和操作时序。
出厂坏块检测其实就是把每个block的第一页读到cache中，然后在cache中读出0x800位置的字节内容。

3-1 操作命令：

13H (PAGE READ to cache)
0FH (GET FEATURES command to read the status)
03H or 0BH (Read from cache)/3BH (Read from cache x2)/6BH (Read from cache x4)/BBH (Read from cache
dual IO)/EBH (Read from cache Quad IO)/EEH (Read from cache Quad IO DTR)

3-2 操作地址：

页地址：页地址和block地