如何对半导体器件执行三维仿真分析

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本系列文章主要讲解如何对半导体器件执行三维仿真分析的相关知识，希望能帮助更多的同学认识和了解半导体器件执行三维仿真分析。

若有相关问题，欢迎评论沟通，共同进步。(*^▽^*)

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在改进半导体器件研发流程和制造技术的过程中，仿真具有巨大的应用潜力。通过仿真分析可以减少设计过程中所需的试验和制造次数。由于必须解决器件的长度尺度问题，以及半导体物理现象的非线性特性，对三维半导体器件进行建模具有一定的挑战性，往往需要进行计算量非常大的仿真工作。本篇文章中，我们将通过一个建立的三维双极晶体管的示例，介绍建立半导体器件三维仿真模型（以下简称半导体模型）的一般思路与步骤，并提出重要建议，希望对大家的建模工作有所启发。

1. 双极晶体管

双极晶体管（注：一种电流控制器件，起放大、振荡、开关等作用）最初是在 20 世纪 40 年代末发明的，被广泛应用于第一批集成电路中。尽管在数字逻辑电路中，现代场效应器件已经基本上取代了双极晶体管，但双极晶体管仍广泛用于模拟应用。它们在功率调节电路中应用特别多，用作开关和电流放大器。

2. 掺杂结构和设备对称性

像许多半导体器件一样，掺杂对于双极晶体管的运行至关重要。掺杂有两种类型： p 型掺杂（其中一个区域具有额外的空穴）和 n 型掺杂（其中一个区域具有额外的电子）。

双极晶体管由三个交替的p型和n型掺杂区域组成。尽管有两种可能的掺杂结构，n-p-n 或 p-n-p，但本文我们将重点介绍 n-p-n 配置，因为这是最常见的一种结构。通过将 p 型层夹在两个 n 型层之间形成 n-p-n 结构。可以认为该器件具有三个不同的区域，分别称为发射极、基极和集电极。可以通过三个单独的金属触点分别对每个区域进行电寻址，这些触点根据它们所连接的区域进行标记。

下图为显示了 n-p-n 掺杂结构、设备区域和电连接的示意图：

图 1 双极晶体管器件的几何形状和结构

由于三个区域的交替掺杂，双极晶体管形成了两个紧挨着的 p-n 结，它们共享基极区。载流子通过这些 p-n 结时的行为对于双极晶体管的工作至关重要。

1. 对称平面

设计三维半导体模型时首要考虑的问题是：“我可以使用对称性来减小模型尺寸吗？”

许多类型的器件具有对称平面，绕轴旋转对称甚至轴对称几何。如果可能的话，建议使用轴对称设计，因为这样可以将三维仿真降低到二维。

在此示例中，我们要模拟的器件具有两个对称平面，这些对称平面在 x-z 和 y-z 平面中将设备一分为二。这意味着我们只需要对一个象限建模。如下图所示，右上象限被选为建模对象：