u-boot
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CFI Flash, JEDEC Flash ,Parellel Flash, SPI Flash, Nand Flash,Nor Flash的区别和联系
简单说就是,Flash,按照内部访问接口不同,分为两种,一种是就像访问SDRAM一样,按照数据/地址总线直接访问的Nor Flash,另一种是只有8位(X8)/16位(X16)或者更多(X32/...)位宽的总线,每次访问,都要将长地址分成几部分,一点点的分别传入才能访问的Nand Flash。Nand和Nor的使用寿命,块擦除的速度,数据存储的出错几率等,都有很大区别。而其中的Nor Fla转载 2010-05-14 13:55:00 · 2897 阅读 · 0 评论 -
flash info.
32 typedef struct { 33 ulong size; /* total bank size in bytes */ 34 ushort sector_count; /* number of erase units */ 35 ulong flash_id; /* combined device & manufacturer code */ 36 ulong start[CONF原创 2010-11-26 18:24:00 · 3015 阅读 · 1 评论 -
深入研究移植u-boot.
从并行flash移植到串行flash(winbond 25Q64BVF1C(G)?)http://www.winbond.com.tw/NR/rdonlyres/591A37FF-007C-4E99-956C-F7EE4A6D9A8F/0/W25Q64BV.pdfhttp://www.spansion.com/Support/Datasheets/S25FL129P_00_06_e.pdfenv_relocate_spec()的定义处有: # line filename / context / l原创 2010-11-22 16:33:00 · 2761 阅读 · 0 评论 -
NAND flash组成结构及驱动解读
一、NAND flash的物理组成NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell,一般来说,一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page,(NAND Flash 有多种结构,我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M),每页528Bytes(512byte(Main Are原创 2011-01-07 10:39:00 · 1282 阅读 · 0 评论 -
nand flash ref board preparition.
K9F1G08U0C-PCB0,128Mbytes的.评价板是32M nand flash, cs1.原创 2010-12-22 18:21:00 · 661 阅读 · 0 评论 -
U-boot on 64M pflash.
32 typedef struct { 33 ulong size; /* total bank size in bytes */ 34 ushort sector_count; /* number of erase units */ 35 ulong flash_id; /* combined device & manufacturer code */ 36 ulong start[CONF原创 2010-12-21 16:03:00 · 667 阅读 · 0 评论 -
U-boot内存结构。
U-boot,除非在RAM中调试,一般情况下都是从flash中执行一段代码,然后将flash中储存的代码和数据搬移到ram中,然后跳转到ram中执行。当然这应该也是一般的bootloader的执行方式,大家都差不多,但是各个bootloader的内存规划(栈,堆之类的)也 不太一样,而且u-boot还在内存空间中规划了一些用于存放环境变量和一些数据结构的空间,所以如果不了解一下的话,直接看代码的话转载 2010-05-18 13:36:00 · 1298 阅读 · 0 评论 -
CFI(Common Flash Interface)详解
【什么是CFI】CFI(Common Flash Interface),是JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council,电子器件工程联合委员会)制定的一个接口,用来帮助程序读取Flash的制造商ID和设备ID,确定Flash的大小,获得flash的各个物理特性,比如block块的擦除时间等等。【为什么需要这个CFI】在应用CFI之前,Flash转载 2010-05-14 14:02:00 · 7445 阅读 · 0 评论 -
NAND FLASH学习(一) nand flash操作概述
由于NAND FLASH擦除时,只能按按块擦除,因此在写扇区时,首先要擦除一个块。在擦除块前,必须将块内其他数据复制出来,由于一个块比较大(128KB),无法在MCU内开辟如此大的缓冲区。只好借助该NAND FLASH内的页复制命令,将原来的块暂时复制到一个交换用的交换块中。但是如果仅用一个块作为交换的话,它就会被频繁擦写,因而寿命会大大降低。所以在该系统中,保留了10个块用来作为交换区,轮流使用转载 2010-05-14 14:03:00 · 1288 阅读 · 0 评论 -
Porting u-boot on v2 RAM256M+S-Flash16M.
chdrv_config_params.c中的宏定义要改为16M的.board_init_r()中对BROI ROM的配置寄存器设置代码,改为16M flash.flash_init()是cfi_flash.c中的,被注释掉了,直接改为设定为8Mflash.肯定需要改,要用sf_probe()?.182 init_fnc_t *init_sequence[] = {183 board_early_init_f,184 timer_init,185 env_init, /*原创 2010-11-24 18:12:00 · 1012 阅读 · 0 评论