利用cst反推材料电磁参数
- 建模一个结构,材料设置如图。
- 设置频率、边界条件、背景条件
边界z方向设置为open,
- 然后在背景里z周上下增加10的距离;
- 更改port设置,点开详细信息,到参考面的距离设置为-10,zmax和zmin都同样设置;
- 后处理模块,s参数,选择求解电导率和磁导率,弹出的内容框,更改上面的s11和s21,然后介质厚度改为你设置的介质厚度,确定,evaluate就会出现结果。
- 结果在tables文件下,epsilon_r就是所需要的数据,在1dplot中可以选择呈现方式,可以分别输出实部和虚部。
- 下面是拟合的电磁参数和输入参数对比,看个人需要判断是否需要这个步骤
反推的和原来的重叠了,这是最理想的状况。
实际应用,还要用反推出来的电磁参数,求一下反射率,看看跟之前的反射率对比,如果基本符合,就可以用这组电磁参数,不符合,要对电磁参数进行修整。