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原创 分享一款可兼容STM32F103C8T6的国产32位单片机MM32F103C8T6
MM32F103C8T6使用高性能的ARM CortexTM-M3 为内核的32 位微控制器，工作频率最高可达168MHZ，内置高速存储器，丰富的增强型I/O 端口和外设连接到外部总线。该产品系列工作电压为2.0V~ 5.5V，工作温度范围包含-40◦C~ +85◦C 常规型和-40◦C~+105◦C 扩展型。多种省电工作模式保证低功耗应用的要求。本产品提供LQFP100、LQFP64、LQFP48、LQFP32 和QFN32 共5 种封装形式；根据不同的封装形式，器件中的外设配置不尽相同。该产品器件完美兼
2020-06-22 14:26:06
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转载 分享一款高性能Cortex®-M0内核32单片机
灵动MM32SPIN05TW产品使用高性能的Cortex®-M0 为内核的 32 位微控制器，最高工作频率可达 72MHz，内置高速存储器，丰富的增强型 I/O 端口和外设连接到外部总线。该产品系列工作电压为 2.0V ∼ 5.5V，工作温度范围包含-40◦C ∼ +85◦C 常规型和-40◦C ∼ +105◦C 扩展型。多种省电工作模式保证低功耗应用的要求。 还提供 LQFP48、LQFP32、QFN32、QFN20 和 TSSOP20 共 5 种封装形式。 根据不同的封装形式，器件中的外设配置不尽相同。
2020-05-12 14:06:18
3439
原创 基于NOR Flash芯片的无线通信设备解决方案
英尚微代理的GT25Q80A-U NOR Flash芯片专为5G通信设备设计，具备8Mb容量、1.65-3.6V宽电压和超低功耗特性。支持最高416MHz等效速率，提供多通道I/O接口和XIP模式，确保快速系统启动。该芯片通过车规认证，具有50年数据保持能力，并提供多种紧凑封装选项，适用于工业、车载等高可靠性场景。其安全功能和防护特性使该产品成为无线通信存储方案的理想选择。
2025-12-19 14:51:50
361
原创 低功耗蓝牙芯片BLE透传模块应用方案
摘要：BLE透传模块凭借高度集成、低功耗和灵活配置优势，成为物联网设备无线通信的理想解决方案。该模块支持BLE、UART和USB三向透明传输，具有主从一体、150米传输距离、极低功耗（最低1μA）等特点，适用于智能家居、仪器仪表、消费电子和工业控制等场景。英尚微电子提供包括BLE模块在内的多种电子元件及技术支持服务。（150字）
2025-12-15 17:03:09
167
原创 汽车空调系统应用的高边驱动器
汽车空调系统的核心部件空调控制器依赖高边驱动器实现精准控制与安全保护。以车规级双通道高边驱动器HD70xx2Q为例，该芯片具备两路独立输出，集成过流、过温、欠压等智能保护功能，并提供负载电流检测及多种故障诊断能力。其支持3V/5V电平输入，提供多种内阻型号和封装选择，显著提升系统可靠性。作为连接控制器与执行器的关键元件，高边驱动器正推动汽车空调向更智能、更安全的方向发展。
2025-12-11 14:26:49
141
原创 基于以太网芯片的应用层方案
摘要：以太网芯片在物联网发展中扮演关键角色，沁恒微电子的CH394/CH395及CH32V317等芯片通过集成协议栈与PHY，提供了高效网络解决方案。这些芯片支持Web服务器、MQTT云连接、邮件通信、FTP/TFTP文件传输及SNTP时间同步等多种应用，具有开发简便、成本低、集成度高等优势。其灵活架构适配不同项目需求，显著提升嵌入式设备的联网能力与附加值，为智能设备开发提供可靠支持。（149字）
2025-12-09 14:54:22
905
原创 国产32位MCU语音识别方案
摘要：国产32位MCU CH32V307为离线语音识别提供高效解决方案。该芯片采用RISC-V内核，支持向量指令集，可运行轻量级AI模型，实现快速准确的离线识别。内置运放和ADC简化外围电路，支持I2S接口扩展音频功能。方案支持离线指令识别，也可扩展为在线系统，适用于家电、工业设备等多种场景。英尚微电子提供相关产品服务。
2025-12-04 15:01:48
361
原创 SRAM与DRAM的结构差异和特性区别
在内存技术持续革新的今天，SRAM（静态随机存取存储器）和DRAM（动态随机存取存储器）依然是计算系统中最核心的存储组件。尽管出现了MRAM、ReRAM等新兴存储方案，但二者凭借成熟的设计与明确的定位，仍是高性能计算场景下的重要基石。理解二者的根本差异，有助于我们在不同应用场景中做出更合适的技术选型与优化策略。接下来我们就来讲讲SRAM与DRAM具体有哪些区别。
2025-12-02 13:48:51
216
原创 DRAM和SRAM、SDRAM相比有什么特点？
本文对比了DRAM、SRAM和SDRAM三种存储器的特性与应用。DRAM成本低、容量大但需刷新，适合主内存；SRAM速度快但成本高，主要用于高速缓存；SDRAM通过时钟同步提升带宽，适用于高性能系统。选择存储器需权衡速度、成本和功耗：SRAM适合小容量高速场景，DRAM适用于大容量存储，SDRAM面向高带宽需求。英尚微电子提供相关芯片技术支持。
2025-11-18 11:46:38
239
原创 高速数据存取同步SRAM与异步SRAM的区别
摘要：同步SRAM是一种基于时钟信号的高性能静态存储器，相比异步SRAM具有时序精准、支持突发传输等优势，广泛应用于通信设备和高性能计算领域。其核心特点是所有操作都与时钟同步，简化了高速系统的时序设计。英尚微电子提供相关技术支持和芯片解决方案。
2025-11-18 11:11:16
321
原创 MCU微控制器是什么（mcu微控制器芯片原理）
MCU微控制器是将处理器、存储器和I/O接口集成在单一芯片上的微型计算机，具有4位到64位不同处理能力。其工作原理包括指令读取解码、执行运算、数据存取、设备交互等流程，通过时钟同步实现高效控制。MCU优势在于高度集成、节能小巧、性价比高和灵活可编程，广泛应用于嵌入式系统。深圳市英尚微电子作为专业供应商，提供MCU等电子元件及技术支持服务。
2025-11-17 17:20:19
263
原创 温度传感器IC,数字温度传感器IC的工作原理
数字温度传感器IC集成敏感元件与数字处理功能，通过单总线接口实现温度数字化测量。其工作原理基于热电/电阻效应，工作流程包含温度感知、信号转换、处理优化和数字输出四个精密阶段。优势包括抗干扰性强（±0.1°C高精度）、系统集成便捷（直接连接MCU）、内置校准补偿、数据处理简化及优异的稳定性。深圳市英尚微电子提供专业IC传感器解决方案，整合全球资源为客户提供技术支持。（149字）
2025-10-31 16:50:59
338
原创 什么是离线语音识别芯片（离线语音识别芯片有哪些优点）
离线语音识别芯片，是一种集成了语音信号采集、前端处理和本地识别功能的专用集成电路，无须联网也可以进行语音控制。以英尚微电子推出的语音识别芯片为例，其采用32位RISC-V或ARM内核，具备识别精准、远场降噪等方面的优势，支持硬件浮点运算，并内设大容量存储，在保证高性能的同时控制成本。如果您想了解更多离线语音识别芯片的信息，请搜索英尚微。离线语音识别芯片所有语音数据的处理均在设备端完成，语音信息无须上传至云端，从根本上杜绝了信息泄露的风险，特别适合应用于家庭、医疗、安防等对网络信息安全要求高的场景。
2025-10-31 15:23:24
330
原创 类比半导体的模拟前端AFE型号有哪些
摘要：英尚微电子代理类比半导体的模拟前端AFE芯片，重点介绍LB2032BQFP48型号产品特性。该芯片具有32个12位DAC、6/5个可配置I/O引脚，支持500kSPS采样率，驱动电流达±20mA，并集成温度监测功能。同时列举ADX920QAQFN32、AFE964AQFP64等系列型号，提供48引脚QFP和64引脚QFP等多种封装选择，适用于严苛环境下的低功耗监控系统。英尚可为客户提供专业的产品选型与设计支持服务。
2025-10-31 13:49:14
361
原创 如何选择合适的语音识别芯片型号
摘要：语音识别芯片是智能设备的关键组件，具有主动识别和处理语音的能力。选择合适的芯片需考量应用场景、性能需求、开发资源和成本等因素。英尚微电子提供AT600、AT700、AT800和AT900系列产品，覆盖从家电控制到高端AI应用的不同需求，具备优异的AFE性能、采样精度和能耗表现。该系列适用于智能家居、自动驾驶等多个领域，并提供专业技术支持（150字）。
2025-10-30 16:29:55
396
原创 模拟前端AFE影响采样精度的因素有哪些？
模拟前端（AFE）作为连接模拟与数字系统的关键接口，其采样精度直接影响信号处理质量。核心影响因素包括：采样频率设置需符合奈奎斯特定理、内部/外部噪声干扰、温度漂移、ADC分辨率及传输线路质量。提升精度的方法有：优化采样频率2.5倍以上信号频率、采用屏蔽滤波降噪、温度补偿、选择高分辨率ADC、优化传输路径及系统校准。英尚微电子提供AFE等半导体产品及技术支持。
2025-10-30 14:32:27
297
原创 AFE模拟前端芯片是什么（模拟前端芯片作用）
摘要：AFE模拟前端芯片是处理模拟信号的关键集成电路，位于传感器和数字系统之间，负责信号采集、调理和转换。其核心优势包括高集成度、高速高精度转换、低噪声设计和低功耗特性，广泛应用于锂电池管理等实时监测系统。选择AFE芯片需关注分辨率、采样率、输入范围、噪声性能和功耗等关键参数，确保系统性能与可靠性。英尚微电子提供专业AFE芯片解决方案及全流程技术支持。
2025-10-29 16:19:23
325
原创 蓝牙芯片选型需要注意哪些方面
蓝牙芯片选型需综合考量技术参数与应用场景，英尚微电子提供专业选型支持。蓝牙版本、功耗表现、开发难度和成本结构是关键评估要素，低功耗场景宜采用BLE芯片。代理的巨微芯片支持宽温工作与私有协议，沁恒产品集成度高且开发便捷。选型建议从实际需求出发，在性能、功耗和成本间寻求最佳平衡。英尚微配备专业团队，可提供完整解决方案与技术支持服务。
2025-10-29 14:51:10
207
原创 类比半导体高速模数转换器的作用
摘要：类比半导体ADX320Q是一款24位高精度模数转换器，专为汽车BMS系统设计。其核心优势包括：16Ksps采样速率、-40°C至125°C宽温工作范围、1-128倍可编程增益，支持SPI通信。集成PGA放大器和全局斩波技术，有效提升小信号采集精度并抑制温漂。采用QFN-32封装，具有电源监控、温度传感等智能诊断功能，并通过CRC校验确保数据可靠性，是汽车级高精度信号采集的理想解决方案。（149字）
2025-10-28 15:15:40
186
原创 了解ADC模拟数字转换器的工作原理
ADC（模数转换器）是将模拟信号转换为数字信号的关键组件，其转换过程包括采样、保持、量化和编码四个步骤。主要类型包括：逐次逼近型（平衡速度与成本）、双积分型（高精度）、流水线型（高速）、Σ-Δ型（高分辨率）和闪存型（超高速）。选型需考虑分辨率、转换速率、信噪比和功耗等因素。英尚微电子是专业的电子元件供应商，提供ADC及相关技术支持服务。
2025-10-28 14:21:27
416
原创 如何在物联网产品应用串行psram
文章摘要：PSRAM是一种结合SRAM接口和DRAM架构的伪静态存储器，具有封装小、容量大、成本低的优势。在物联网和语音交互领域，PSRAM能有效缓冲云端数据，确保语音流畅播放。新一代串行PSRAM（SPI、QPI、OPI）提供多种封装和带宽选择，在数据缓冲应用中可替代SRAM或SDRAM，平衡性能与成本。英尚微提供多型号PSRAM解决方案。
2025-10-27 16:00:28
336
原创 Everspin存储器8位并行总线MRAM概述
在需要高速数据写入与极致可靠性的工业与数据中心应用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM树立了性能与耐用性的新标杆。这款Everspin存储器MRAM与SRAM引脚兼容的存储器，以高达35/45纳秒的访问速度，结合无限次读写与20年数据保存能力，成为替代传统SRAM与NOR Flash的理想选择。
2025-10-24 16:30:18
250
原创 Everspin串口MRAM存储芯片有哪些型号
MRAM是一种结合SRAM高速性和Flash非易失性的新型存储技术。Everspin推出的四通道SPI MRAM具有52MB/s极速传输、16引脚紧凑封装和双电压支持等优势，适用于数据中心、存储设备和嵌入式系统等场景。英尚微作为官方代理提供MR25H系列等十余款串口MRAM型号的正品货源和技术支持。该存储方案在性能与可靠性上实现重大突破，是严苛应用的理想选择。
2025-10-24 15:42:55
197
原创 SOT-MRAM的独特优势
SOT-MRAM凭借自旋轨道力矩驱动技术，展现出高速写入（纳秒级）、高能效（三端分离架构）和高可靠性三大优势，成为替代SRAM的潜力存储方案。英尚微电子作为15年芯片技术企业，提供高精度温度传感器IC产品，支持可编程阈值及数字监控功能，满足各类应用需求。
2025-10-24 14:27:43
267
原创 外置SRAM与芯片设计之间的平衡
存储解决方案中，并行接口SRAM虽数据传输率高，但体积大、引脚多（4Mb SRAM需43引脚），难以满足紧凑设计需求。嵌入式SRAM占芯片空间90%，但制程缩小滞后于逻辑区域，推动外置并行SRAM成为经济方案。串行接口存储器体积小、功耗低，适合移动设备，但性能低于并行接口。当前存储方案需在性能、尺寸和功耗间平衡：并行SRAM适用于高性能领域，串行接口则主导移动和物联网设备。
2025-10-23 16:54:02
325
原创 QSPI PSRAM伪静态随机存储器选型攻略
摘要：QSPI PSRAM是一种结合高速QSPI接口与PSRAM存储的芯片，具有大容量、快速读写和低功耗特点，适用于智能设备、网络设备和工业自动化等领域。选型需考虑封装、操作模式、跨页读取能力、高速模式支持和初始化流程。建议选择技术实力强、供货稳定的厂家，如英尚微电子，可提供专业选型支持和技术服务，满足各类嵌入式系统的高效存储需求。
2025-10-23 15:31:59
350
原创 spi psram伪静态存储器的特点是什么
PSRAM（伪静态随机存储器）结合了DRAM的高密度和SRAM的易用性，采用类SRAM接口无需刷新，简化了设计。其特点包括高密度、低成本、低功耗和简化接口，适用于智能语音、嵌入式图形处理和工业自动化等领域。英尚微电子的EMI系列PSRAM专为物联网和AI设备设计，提供多种容量选择，兼具紧凑尺寸和高性价比优势。
2025-10-23 14:21:02
361
原创 易失性SRAM与非易失性存储器NAND Flash之间的区别
半导体存储器分为易失性（RAM）和非易失性（ROM）两大类。RAM包括高速SRAM（用于CPU缓存）和低成本DRAM（用于主存），断电数据丢失；ROM如NAND/NOR Flash则能持久存储，用于固态硬盘和嵌入式系统。SRAM凭借高速特性在汽车电子、AI芯片、5G基站等领域发挥关键作用。英尚微电子专注存储芯片及半导体解决方案，提供专业技术支持。
2025-10-22 15:42:19
381
原创 VTI串行接口高速sram芯片型号
本文介绍了串行SRAM芯片的特点及应用。该类存储器采用8引脚封装，具有低功耗、高性能、无限次读写等优势，兼容多种总线模式，适用于音视频处理、网络缓存等场景。重点分析了其核心优势：高速接口、多协议支持、紧凑结构、低成本扩展和低功耗特性。文章列举了VTI品牌的16款具体型号，并提供了工业级工作温度范围。最后介绍了供应商英尚微电子的业务范围，包括温度传感器IC等产品。
2025-10-22 14:19:38
386
原创 SRAM,SRAM静态随机存储器基本介绍
SRAM（静态随机存储器）是一种高速随机存取存储器，采用双稳态触发器结构存储数据，无需刷新即可保持稳定。其六晶体管单元结构实现快速读写，具有高速、低静态功耗、无需刷新等优势，但集成度较低、成本较高。SRAM广泛应用于CPU高速缓存、网络设备、图像处理及嵌入式系统等领域。英尚微电子提供相关存储芯片及解决方案。
2025-10-22 13:49:00
454
原创 SRAM 3D堆叠技术与DRAM封装的优势
SRAM与DRAM存储技术发展现状与创新趋势 摘要：SRAM和DRAM作为半导体存储核心技术持续演进。SRAM凭借高速优势应用于CPU缓存，正通过3D堆叠技术突破容量瓶颈；DRAM则通过LPDDR和HBM在低功耗与高带宽方向取得突破，但面临HBM高成本等技术挑战。二者技术融合催生了GC-eDRAM等创新方案，为系统设计提供多样化选择，共同推动计算技术发展。（149字）
2025-10-21 11:19:55
510
原创 MRAM磁阻式随机存取存储器的核心特性
MRAM（磁阻式随机存取存储器）是一种基于隧穿磁阻效应的新型非易失性存储技术，具有无限读写、高速（2.3纳秒级）、低功耗等优势，特别适用于物联网等嵌入式场景。自1990年代摩托罗拉启动研发以来，STT-MRAM已成为产业化主流，而SOT-MRAM被视为下一代方向。虽然MRAM在功耗和性能上显著优于传统存储，但仍需在成本、耐久性等方面突破。目前Everspin等厂商已实现STT-MRAM商用，该技术通过磁隧道结的电阻变化实现高速稳定存储，展现出巨大发展潜力。
2025-10-21 10:44:02
354
原创 温度传感器IC的设计优势
温度传感器IC凭借集成化、高精度和数字接口等优势成为现代电子系统的优选方案。这类传感器集成感温元件和信号处理电路，具有免校准、低功耗、抗干扰等特点，支持I²C/SPI数字输出，测量范围达-55°C至+125°C。相比传统热敏电阻，IC方案能简化设计、降低成本并提升稳定性，广泛应用于充电桩、工业设备、医疗仪器等领域。RAMSUN作为专业芯片企业，提供多款高性能温度传感器IC产品和技术支持服务。
2025-10-17 11:42:52
297
原创 传感器,温湿度传感器的主要技术分类
两个不同的金属接触过程中产生的热电效应；现代温湿度传感器通过精密的数字电路设计，将这些微小的物理变化转换成标准的电信号输出，从而实现精准的温度测量与控制。（2）热电阻传感器：利用金属导体电阻随温度的变化特性，最常见的就是铂电阻（如PT100、PT1000）。铂的电阻-温度关系呈良好的线性特性，在-200℃至+850℃范围内具有良好的稳定性和精确度，适用于工业自动控制等高精场合。（3）热电偶传感器：基于塞贝克效应，当两个不同的金属的连接功能处存在温度梯度时，会产生与温差成比例的热电动势。
2025-10-16 13:42:23
320
原创 如何精准判断温度传感器的性能状态？
本文系统介绍了高精度温度传感器的全面检测方法，包括外观检测、电阻检测法、替代法、温度响应检测和专业仪器检测五个方面。通过外观检查物理损伤，电阻测试验证温度特性，替代法快速排查故障，温度响应测试评估测量精度，以及专业仪器确保极限性能，形成了一套完整的传感器检测流程。这些方法可有效评估传感器状态，确保测量数据的可靠性和系统稳定性，尤其适用于中科银河芯等高精度温度传感器的性能验证。
2025-10-16 11:06:29
468
原创 国产高性能psram伪静态存储器选型优势
PSRAM伪静态存储器在接口设计上实现了类SRAM的简洁体验：通过地址、命令管脚与I/O管脚的复用技术，大幅减少了管脚数量，降低了系统设计的复杂性。PSRAM采用与DRAM相同的1T1C（一晶体管一电容器）架构，而SRAM则采用6T（六晶体管）架构。在选择适合的国产PSRAM产品时，建议综合考虑具体应用场景的性能需求、功耗预算和成本目标，以确保选择最优的内存解决方案。PSRAM（伪静态存储器）作为一种结合DRAM技术和SRAM性能优势的内存解决方案，正在成为众多应用场景的首选。（2）接口简洁性与功耗优势。
2025-10-11 10:13:19
430
原创 中科银河芯高性价比SRAM通用I/O扩展芯片
摘要：在智能设备需求激增的背景下，SRAM通用GPIO扩展芯片GXA574成为解决传统MCU I/O资源瓶颈的理想方案。该芯片基于I2C总线，提供8位可配置GPIO端口，支持1.4V~5.5V宽电压，具有低功耗、高驱动能力等特点。英尚微电子作为代理商推广该系列国产芯片，已在通信、工业等领域广泛应用，其性价比优势显著，可助力客户实现高效系统设计。（149字）
2025-09-29 10:28:16
292
原创 EERAM是一种革命性的非易失性SRAM解决方案
新型EERAM技术将SRAM与EEPROM集成于单一芯片，实现无电池供电情况下的数据断电保护。该技术通过外部电容器临时供电，在断电时自动将SRAM数据转存至EEPROM，既保持SRAM的高速写入特性，又具备非易失性存储功能。这种创新方案既保证了系统高性能运行，又降低了成本，为通用型内存发展提供了可行路径，特别适合需要频繁快速写入且不能丢失数据的应用场景。
2025-09-28 10:11:23
251
原创 双稳态SRAM与SDRAM的功能性区别
SRAM和SDRAM是两种常见存储器类型，主要区别在于：SRAM采用双稳态触发器存储数据，无需刷新，速度快但成本高，适合高速缓存；SDRAM利用电容电荷存储，需定期刷新，集成度高、成本低，适合作为主存。SRAM访问速度优于SDRAM，但SDRAM在功耗和成本方面更具优势，两者在计算机系统中各有应用场景。
2025-09-26 10:19:20
241
原创 二维缩放的终结SRAM与DRAM
摘要：2D半导体缩放技术已面临瓶颈，DRAM和SRAM均遭遇物理极限。DRAM成本停滞导致其在服务器成本中占比攀升，SRAM则受限于原子尺度的晶体管尺寸。存储单元成本难以下降，海量存储必然昂贵。现代大尺寸处理器需更高效利用存储资源，片上缓存增长受限。
2025-09-25 09:28:27
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