2020年01月_EVERSPIN

原创 Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南

自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）是一种持久性存储技术，可利用各种工业标准接口提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM产品，该产品利用称为JE-DDR4的JEDEC标准DDR4接口的变体，它包含了对完整系统支持所需的独特功能。本文将帮助工程师了解Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南2.启用ST-DDR4为了使设计人员...

2020-01-20 16:30:23 1110

原创 Everspin串口串行mram演示软件分析

MRAM演示软件分析MRAM低级驱动程序通过操作系统和调度程序集成到动力总成应用程序中。读写周期由系统时钟（300MHz）测量。图1＆2显示了针对动力总成应用的具有不同非易失性存储器接口的每个分区的读/写时间。这些表显示大多数读/写周期小于2ms。毫不奇怪，该表确认35ns并行接口以比40MHz串口串行mram更快的速率传输数据。Figure 1 SPI MRAM; CLK 40MHz使用...

2020-01-19 14:59:19 258

原创 STT-MRAM存在的两个弊端

随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化，基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。自从自旋转移矩效应被证实以来，一方面研究人员通过大量的努力尝试降低磁化反转的临界电流，增加热稳定性.早期的磁隧道结采用面内磁各向异性（In-Plane Magnetic Anisotropy）。它存在如下两个弊端：1）随着工艺减小，热稳定性恶化。采用面内磁各向异性磁隧道结的存储寿命取决于热稳定性势垒...

2020-01-15 14:07:16 2852

原创 MRAM技术进入汽车应用

在整个地址空间范围内读写各种类型的数据。通常MRAM的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比，当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。与当今的DFLASH相比，未来的汽车动力总成控制器可能需要更快，更加强大的非易失性和保活内存。在非易失性存储器中使用MRAM可以显着提高时间紧迫状态下的写入数据传输性能。MRAM设备可用的增加的内存存储空间还可以存储更多诊断...

2020-01-14 11:35:01 514

原创企业SSD中everspin的DDR3 STT-MRAM

随着企业固态驱动器（SSD）在系统性能和更小的外形尺寸方面不断前进，SSD解决方案提供商面临着更大的挑战。在提高密度及耐用性，性能和添加重要的新功能的同时，还需要继续保护飞行中的数据免受电源故障的影响。通过使用更多具有更快接口速度的闪存通道和更高密度的闪存设备，下一代SSD将迅速增长到32TB甚至更高。如果采用具有DRAM工作存储器的控制器的传统体系结构，这将大大增加对能量存储以提供电源故障保护...

2020-01-13 11:46:47 307

原创 everspin展示28nm单机1Gb STT-MRAM芯片

Everspin向市场展示了其28nm单机1Gb STT-MRAM芯片。everspin在磁存储器设计，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。本文主要介绍描述了图1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的产品化和优异的性能，是产品其能够在-35C至110C的工业温度范围内使用。图1. Everspin 40nm 1...

2020-01-08 14:37:19 425

原创基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-MRAM

自旋转矩磁阻随机存取存储器（ST-MRAM）有望成为一种快速，高密度的非易失性存储器，可以增强各种应用程序的性能，特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。为此，everspin基于90nmCMOS技术的全功能64Mb DDR3 STT-MRAM。存储器以8个存储区的配置进行组织，可支持1.6Giga Transfers/s（DDR3-1600）。已经在800MHz的全64Mb上运行了标...

2020-01-07 15:04:25 309

原创案例研究RAID控制器应用程序中的everspin mram

everspin MRAM是为LSI Corporation（现在的Avago Technologies）RAID控制器卡上的日志存储器选择的存储器，该RAID卡具有6Gb/s和12Gb/sSAS存储连接。Everspin MRAM在其RAID磁盘阵列中执行写日志或数据日志功能。MRAM实时捕获事务信息，以便在发生系统故障时可以恢复数据。写入MRAM的数据日志还可以捕获系统状况和状态，以进行远程...

2020-01-06 13:40:51 179

原创 ARM Cortex-M内核微处理器测试向量生成

测试向量生成用自动测试设备(ATE)测试ARM芯片是一种传统的测试技术，其优点是可以灵活编制测试向量，专注于应用相关的功能模块和参数。但是由于ARM芯片的功能与应用有相当的复杂性，因此对测试系统所具有的能力也要求较高。这就要求测试设备本身必须要具备测试各种不同功能模块的能力，包含对逻辑、模拟、内存、高速或高频电路的测试能力等等。同时测试系统最好是每个测试通道都有自己的独立测试能力，避免采用资源...

2020-01-02 11:40:44 569

EVERSPIN的博客