硅基光衰减器

硅基光衰减器主要是通过MZI或者ring结构来改变相位差实现干涉相长相消形成衰减。

传输矩阵法

传输矩阵法是用于计算微环谐振器频谱响应的一种简便有效方法，该方法将微环谐振器分成若干个部分，每部分的光场传输用一个矩阵表示，从而光信号在微环中的传输就可以表示为一系列矩阵的乘积，采用这种方法也可以很方便

地计算串联或并联的微环谐振器。

微环谐振腔可调光衰减器

在微环谐振器中有自由光谱范围(FSR)、半高全宽(FWHM)、消光比(ER)、精细度(F)、品质因子(Q)等参数来衡量其光学性能，

谐振波长是指微环谐振器满足谐振条件时所对应的光波长，其表达式为：

其中 R 为单环谐振器的环半径，neff为波导的有效折射率。通过附加调制(电光调制、热光调制)改变波导的有效折射率，可以使谐振峰沿着固定的方向进行漂移，利用该特性进行可调光衰减器的设计。 

热光效应引起的折射率和相位差的改变计算公式

半高全宽(FWHM) 

半高全宽是微环谐振器输出光谱峰值功率减小一半处两个频点的波长差，所

以也叫 3dB 带宽，表示为∆λFWHM

假设环内无传输损耗(α=1)且直波导几乎无光耦合进微环中时(k≈0,t≈1)，式

(3.13)可以简化为如下形式：

在实验中测得微环的输出光谱如图 3-2 所示，  透射-3dB 所对应的光谱宽度即为半高全宽。 

消光比(ER) 

消光比是微环谐振器中最大输出功率与最小输出功率的比值。其具体表达式如下： 

马赫-曾德可调光衰减器原理

马赫-曾德可调光衰减器由如图 4-1 所示的 2×2  多模干涉耦合器与 MZI 干涉

器结构组成。首先结合传输矩阵法分析区域 1 和区域 3 的多模干涉耦合器，它们的输入和输出光场分别满足公式 4.1 与公式 4.2

其中 t1和 k1分别代表区域 1 中多模干涉耦合器的自耦合系数及互耦合系数，

t2和 k2则分别代表区域 3 中定向耦合器的自耦合系数以及互耦合系数。当处于无损耦合的条件下，  t1和 k1满足 t12+k12=1，t2和 k2满足 t22+k22=1。对于 MZI 干涉器部分，满足下面的表达式：

其中∆φ 为 MZI 上下两臂的相位差。该结构本身两个臂长是相等的，假设两臂之间的初始相位差为 0，则∆φ 即是由在调制臂上附加的调制所导致的相位差。

由上式可知，当两个定向耦合器都是 3dB 耦合器时，即同时满足 t1=k1 和 t2=k2时，且仅从 port1 输入归一化光功率时，通过改变相位差∆φ 得到的输出光谱如图4-2 所示，

可以看出随着相位差∆φ 的变化，port3 和 port4 的输出光功率有图中所示的周期性变化，且光场强度满足 P3+P4=1，这时可以说在假设光路中没有额外损耗的情况下 port3 和 port4 的光能量是互补的。

当∆φ=0 时，即在假设两臂之间相移为 0 的前提下不附加外部调制时，可以看到 port4 输出光强为 1 而 port3 的输出光强为 0。这是由于光信号经过 2×2MMI 的时候直通部分的光强与耦合部分的光强相等，

但是经过一个耦合器之后，耦合端相对直通端会有 π/2 的相位滞后，对于从输出端 3 输出的信号，一路属于直通，另一路光经过两个耦合器的耦合，两路之间存在π 的相位差，从而发生干涉相消。

通过改变马赫-曾德干涉器两个调制臂的相位差，可以达到不同的应用目的，当调制臂间的相位差满足1/2+mπ(m=1,2,3…)时，port3 与 port4 的光强相等，该效应可以用于设计光功率分束器[44-45]。

而当∆φ 从 0 到 π 变化时，可以实现输出端 4 的光强从 1 到 0 的变化，利用该特性可以将该结构应用于设计可调光衰减器[46-49]。

参考文献：

基于SOI的可调光衰减器研究_焦林森——东南大学，2018