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原创 汽车电子测试标准:ISO 7637-2 & ISO 16750-2

图16示意汽车中典型的电源瞬态脉冲的波形,在设计中要预留足够的手段以保护设备,提高系统的可靠性。在项目前期中,可以通过理论分析和电路仿真等手段确定合适的电路保护方案,

2023-04-07 19:13:16 8139 1

原创 一个用稳压二极与MOS管构成的过压保护电路

1.当输入端是5V左右的电压的时候(VDD-IN=5V),稳压二极管D1没有被反向击穿,Q1三极管处于截止状态。PMOS管的G极与S极有4.8V压差。PMOS管导通,所以D极输出的就是5V电压。2.假设输入端输入的电压大于5V很多,比如12V或者24V,此时稳压二极管D1处于反向击穿区,Q1三极管导通,PMOS管截止。如图,利用稳压管和PMOS管组成一个保护电路,起过压保护和防反接的的作用。3.当输入端的+和-接反了的时候同样PMOS也会截止。所以具有防反接功能。

2023-04-07 15:25:45 3581 1

原创 硬件技术:DCDC开关电源实战经验之静态纹波及动态响应调试方法

对于DC-DC开关电源,在设计阶段需要进行一些电源常规测试,确保电源系统的稳定性和性能可以满足要求,本文主要从原理上分析静态纹波和动态响应时产生的过冲/下冲,并提供一些改善方法。BPSemiDC-DC-开关电源基本原理-首先,对DC-DC开关电源的原理进行简单的分析,以buck电路为例:如下为buck电路的基本框图,由功率转换,采样反馈,逻辑驱动这几个主要部分组成。产生纹波的主要是功率转换部分,将功率转换部分电路简化为如下模型:Buck电路工作可以分为两个阶段:

2023-04-07 15:23:09 4011

原创 硬件基础:MOS管工作区间及开通过程分析——以N沟道增强型MOS为例

t3~t4:t3时刻后,由于VGD>Vth,MOS管进入可变电阻区,在密勒平台的持续时间里,VDS的压降会降至基本等于饱和导通压降(否则栅极电流应该还是大部分会给Cgd充电,Cgs电压不会抬高),此时VGS不变,VDS下降,MOS管工作在可变电阻区,那么按照MOS管的工作特性曲线,ID应略有下降。恒流区 (饱和区):当VDS>VGS-Vth(即VGD<Vth)时,MOS管进入恒流区,在此工作区内,VDS增大时,ID仅略微增大,因此可将ID看作是受VGS控制的电流源,当MOS管做放大管使用时,工作在此区域。

2023-04-07 15:18:03 2030

原创 汽车电子:TVS在汽车抛负载应用选型设计

相比于抛负载专用TVS,常规TVS并没有给出SOA曲线,细心的小伙伴可以发现前面浪涌尖峰电压是工作电压Va与浪涌电压Vs的叠加,这是抛负载里面常用的尖峰电压公式,实际普通应用场景浪涌电压无需叠加,给出监测到的浪涌电压Vs即可,通过Vs=Vbr+Ipp*(Ri+Rt)公式直接算出浪涌电流,其余步骤与前面一样,如果算出来的Ppp_act小于所选定的TVS功率,那就表示选型合适,鉴于实际工况浪涌尖峰可能会比预估的要高,条件允许的条件下,留有充足的裕量有助于提高产品整体的可靠性。Us表示5A浪涌冲击峰值电压;

2023-04-07 15:16:52 1959 1

原创 硬件基础:电解电容寿命计算公式

电解电容是电容的一种,金属箔为正极(铝或钽),与正极紧贴金属的氧化膜(氧化铝或五氧化二钽)是电介质,阴极由导电材料、电解质(电解质可以是液体或固体)和其他材料共同组成,因电解质是阴极的主要部分,电解电容因此而得名。纹波电流是指流过电解电容器的交流分量电流,他受环境温度和交流频率的影响,环境温度不同,纹波电流的最大允许值不同。由于热应力对电解电容器的使用寿命有决定性的影响,因此,由纹波电流产生的热损耗是影响电解电容器使用寿命的重要因素。电解电容器的使用寿命不仅与环境温度的高低有关,还与纹波电流的大小有关。

2023-04-07 15:14:41 5428

原创 硬件技术:浪涌测试中通讯端口TVS管损坏机理分析

TVS参数表参见表1。SURGE噪声在回路中的电流范围在16A~19.7A之间,流过CAN-H和CAN-L的TVS管电流各为8A-9.85(A)左右,超过了TVS1的*大Ipp(3A),但小于TVS3的Ipp(24A)。CAN电路的参考地为A-GND,AE设备的电源参考地为A-GND ,EUT的15V电源地为P-GND,因EUT的DC15V给AE进行供电,使得A-GND与P-GND进行了互连,且P-GND对PE有跨接TVS管和电容,使得SURGE噪声沿着低阻抗路径流到大地。主要有三种方式,参见表6所示。

2023-04-07 14:35:32 1729 1

原创 硬件基础:带缓启动MOS管电源开关电路

1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时,三极管Q2的基极被拉低到地,为低电平,Q2不导通,进而MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管Q1不导通,+5V_OUT 无输出。此时将 Control 设为低电平,三极管Q2关闭,电容C1与G极相连端通过电阻R2放电,电压逐渐上升到5V,起到软关闭的效果。比如在电源电压是5V,负载是个大容量电容的时候,电源瞬间开启令电压瞬间上升达到5V,电容充电电流会非常大。从公式可以看出,当电容容量越大,电压越高,时间越短,电流就会越大,从而形成浪涌电流。

2023-04-07 14:29:48 9541 6

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