SDRAM
无锡的张工
这个作者很懒,什么都没留下…
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初学SDRAM笔记3--SDRAM的命令
接下来我们来看一下SDRAM的几个命令。初始化时的自动刷新、空操作、预充电等,都是这几个命令里面的。而这些命令是由信号线的状态组合产生的,具体见下图:1、命令禁止 只要CS引脚为高电平,即表示“命令禁止”。它用于禁止SDRAM执行新的命令,但它不能停止当前正在执行的命令。2、空操作 “空操作”,它是“命令禁止”的反操作,用于选中SDRAM,一原创 2018-01-20 20:36:53 · 2065 阅读 · 0 评论 -
初学SDRAM笔记5--配置FMC的SDRAM初始化结构体
大概搞清了一些比较重要的时序后,SRM32F429的FMC还有个SDRAM初始化结构体需要配置。这里面的参数我们一个一个来看。1、FMC的SDRAM存储区域,可以选区域1或区域2。 下面是资料上的: FMC把SDRAM的存储区域分成了Bank1和Bank2两块,这个的Bank与SDRAM芯片内部的Bank是不一样的概念,只是FMC的地址区域划原创 2018-01-31 08:26:47 · 2070 阅读 · 0 评论 -
初学SDRAM笔记1--SDRAM的初始化过程
2017年的9月份我学习了怎么操作SDRAM,然而仅仅过了三个月,现在就忘的一干二净了,又得从头来起。这个元件目前在工作中用不到,所以平时不接触就忘的快了。 这次我再次来操作SDRAM,把学习的经过记录下来,而且写的尽量详细一些。这样下个月、下下个月再要用它的时候,只要翻翻这些笔记就行了吧。 首先要了解的SDRAM的初始化流程: SDRAM并不是上电原创 2018-01-20 15:46:22 · 7266 阅读 · 0 评论 -
初学SDRAM笔记2--SDRAM的信号线及结构图
在“自我刷新”资料里,多次的提到CKE信号线。那我们就来看一下SDRAM的信号线吧。可以看到CKE是时钟使能。正常使用期间这个信号线都处于高电平。其他的都是常规信号线,如时钟线,行选通,列选通,地址线,数据线,写使能等。 既然说到了信号线,就来顺便看一下SDRAM芯片内部的结构框图:下面稍微解释一下这个结构框图1、逻辑控制原创 2018-01-20 19:36:58 · 7024 阅读 · 1 评论 -
初学SDRAM笔记4--初始化时序结构体
这个结构体里还有几个延时没说到,现在来看一下。1、TRCD 行到列延迟 在发送列读写命令时,必须要与行有效命令有一个间隔,这个间隔被定义为TRCD,即RAS to CAS delay,也可以理解为行选通周期,这应该是根据芯片存储阵列电子元件响应时间(从一种状态到另一种状态变化的过程)所制定的延迟。TRCD是SDRAM的一个重要的时序参数。通过查询数据手册可知,tRCD为15原创 2018-01-30 10:46:13 · 1600 阅读 · 0 评论