2015年12月_jmprelf

转载 stm32模拟iic——引脚配置、代码

我的工程里要用到iic总线扩展rom，stm32是有硬件iic的，但是，网上有很多人说这个硬件iic有漏洞，甚至于有bug。http://bbs.21ic.com/icview-184741-1-1.html http://blog.gkong.com/more.asp?name=zjcsharp&id=112878。《例说stm32》的表述是：“非常复杂，不太好用”。那么我判断这个硬件iic可能

2015-12-30 15:49:51 17574 4

转载有源晶振与无源晶振的区别

简介电路中的有源晶振即石英晶体震荡器，简称晶振；无源晶振即石英晶体谐振器，简称晶体或水晶。由于石英晶体震荡器具有非常好的频率稳定性和抗外界干扰的能力，所以，石英晶体震荡器是用来产生基准频率的。通过基准频率来控制电路中的频率的准确性。石英晶体震荡器的应用范围是非常广的，它质量等级、频率精度也是差别很大的。通讯系统用的信号发生器的信号源（震荡源），绝大部分也用的是石

2015-12-25 09:00:47 7913

转载电源的输出纹波噪声究竟该取多少才合适？

在设计或应用电源时，大家都会关心电源的输出纹波噪声，但取多少合适呢?若要求放宽了，纹波噪声过大，电路不能正常工作，还费时间调试修改。要求高了，自然滤波器的成本上升，且可能变成是杀鸡用牛刀式的过度设计。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/264512.htm　　下面根据一些常规的应用，推荐一些能容忍纹波噪声的值，可做一些参考。　　1、普通

2015-12-23 16:40:01 9676

原创肖特基二极管和普通二极管的区别

肖特基二极管与普通二极管的区别硅管的初始导通压降是0.5V左右，正常导通压降是0.7V左右，在接近极限电流情况下导通压降是1V左右；锗管的初始导通压降是0.2V左右，正常导通压降是0.3V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.4V左右，肖特基二极管的初始导通压降是0.4V左右，正常导通压降是0.5V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.8V左

2015-12-23 14:39:55 10095

转载 SWD 仿真

1) SWD 仿真模式概念简述先所说 SWD 和传统的调试方式有什么不一样:首先给大家介绍下经验之谈:(一): SWD 模式比 JTAG 在高速模式下面更加可靠. 在大数据量的情况下面 JTAG 下载程序会失败, 但是 SWD 发生的几率会小很多. 基本使用 JTAG 仿真模式的情况下是可以直接使用 SWD 模式的, 只要你的仿真器支持. 所以推荐大家使用这个模式.(二):

2015-12-23 11:26:52 2597

转载 JLink、JTAG接口详细图解

说明：1脚：通常连接到目标板的vdd，用来检测目标系统是否供电；检测原理上图中有简单的说明。2脚：原版的JLink这个引脚没有使用，不提供Vsupply输出，而很多改造版的JLink通过跳线选择从该引脚输出3.3V的电压给外边，我的就是这样的。可以到网上找JLink的原理图看看。http://infocenter.arm.com/help/index.jsp?top

2015-12-23 09:36:48 33531

转载电源抑制比DC-PSRR

在理想运放中，运放的特性不会随电源电压的变化而变化。当然，分析理想运放时，我们使用的电源，也会被假设成理想电源。但实际情况并非如此，实际的运放，电源电压发生变化时，总会引起运放参数的变化。这就引出运放的一个重要参数，运放的电源抑制比PSRR。维基百科中给出了PSRR的详细定义，就是当运放的电源电压发生变化时，会引起运放的输入失调电压的变化，（又是失调电压），这两个变化的比就是运放的PSRR。如下式

2015-12-20 08:56:11 6021

转载开关电源与线性电源的区别

一、线性电源的原理线性电源主要包括工频变压器、输出整流滤波器、控制电路、保护电路等。如图1。图1线性电源是先将交流电经过变压器变压，再经过整流电路整流滤波得到未稳定的直流电压，要达到高精度的直流电压，必须经过电压反馈调整输出电压，这种电源技术很成熟，可以达到很高的稳定度，波纹也很小，而且没有开关电源具有的干扰与噪音。但是它的缺点是需要庞大而笨重的变压器，所需的滤波电

2015-12-18 17:50:49 7502

转载 NMOS和PMOS

在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。NMOS和PMOS我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。NMOS和PMOS1.导通特性

2015-12-18 17:02:37 2208

原创关于防反接保护电路设计的讨论

1、通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。如下图1示：　　这种接法简单可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达到2A，如选用Onsemi的快速恢复二极管 MUR3020PT，额定管压降为0.7V，那么功耗至少也要达到：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，这样效率低，发热量大，要加散热器。　　2、另外还可以用二极管桥对输入

2015-12-18 16:38:40 1140 1

转载关键的LDO指标和定义

备注：制造商数据手册首页一般是一些摘要信息，通常突出了一些吸引人的器件特性。关键参数经常强调典型的性能特征，但只有查阅了文档中的完整指标和其它数据后才能得到更完整的理解。另外，由于制造商提供指标的方式几乎没有标准可言，因此电源设计师需要理解用来获得电气指标表格中列出的关键参数的定义和方法。系统设计师应该密切关注关键参数，如环境和结点温度范围、图形信息中的X-Y刻度值、负载、瞬态信号的上升和下

2015-12-18 11:04:29 5143

转载气体放电管设计及使用

气体放电管设计及使用：　　1）气体放电管的加入不能影响线路的正常工作，这就要保证气体放电管的直流击穿电压的下限值必须高于线路的最大正常工作电压。据此确定所需放电管的标称直流击穿电压值。　　2）确定线路所能承受的最高瞬时电压值，要确保放电管的冲击击穿电压值必须低于此值。以确保当瞬间过压来临时，放电管的反映速度快于线路的反映速度，抢先一步将过电压限制在安全值。这是放电管的一个最重要的指标。

2015-12-18 10:06:43 3480

转载气体放电管的应用

气体放电管的原理　　气体放电管的工作原理可以简单地总结为气体放电。当两级间产生足够大的电量,则会造成极间间隙被放电击穿,这时其便由绝缘状态转变成为导电状态,这种现象与短路较为相似。当处于导电状态下时,两极间的电压会较低,一般是在20～50V之间,因此,其能够对后级电路起到很好的保护作用。　　气体放电管采用陶瓷密闭封装，内部由两个或数个带间隙的金属电极，充以惰性气体(氩气或氖气)构成

2015-12-17 15:28:01 5350

转载 RJ45隔离变压器作用

在以太网设备中，通过PHY接RJ45时，中间都会加一个网络变压器。有的变压器中心抽头接电源，有的又接电容到地。而且接电源时，电源值又可以不一样，3.3V，2.5V，1.8V都有。这个变压器的作用到底是什么呢？下面是一个大概的解答：1、中间抽头为什么有些接电源？有些接地？这个主要是与使用的PHY芯片UTP口驱动类型决定的，这种驱动类型有两种，电压驱动和电流驱动。电压驱动的就要接电源；

2015-12-16 16:55:32 2598

转载超强整理！PCB设计之电流与线宽的关系

关于pcb线宽和电流的经验公式，关系表和软件网上都很多，本文把网上的整理了一下，旨在给广大工程师在设计PCB板的时候提供方便。以下总结了八种电流与线宽的关系公式，表和计算公式，虽然各不相同（大体相近），但大家可以在实际的PCB板设计中，综合考虑PCB板的大小，通过电流，选择一个合适的线宽。一、PCB电流与线宽 PCB载流能力的计算一直缺乏权威的技术方法

2015-12-16 15:53:24 27970 8

转载 keil-mdk arm 中program size的解析

KEIL RVMDK编译后的信息 Program Size: Code=86496 RO-data=9064 RW-data=1452 ZI-data=16116 Code是代码占用的空间，RO-data是 Read Only 只读常量的大小，如const型，RW-data是（Read Write）初始化了的可读写变量的大小，ZI-data是（Zero Init

2015-12-08 11:21:39 4755 2

转载 SWD与JTAG之间的区别

很多时候，我们做在线仿真的时候，有时候能用Jtag，有时候是Jlink，有时候又是ST-Link，哈哈，这么多接口，你分得清吗。。。对了，还有本文提到的SWD。SWD 仿真模式概念简述一、SWD 和传统的调试方式区别1. SWD 模式比 JTAG 在高速模式下面更加可靠。在大数据量的情况下面 JTAG 下载程序会失败, 但是 SWD 发生的几率会小很多。基本使用 JT

2015-12-08 11:08:22 1310

转载串联型或并联型电压基准的选择

本文介绍了不同类型电压基准芯片的选择，提供了选择串联型和并联型电压基准时需要考虑的几项指标。串联型电压基准串联型电压基准具有三个端子：VIN、VOUT和GND，类似于线性稳压器，但其输出电流较低、具有非常高的精度。串联型电压基准从结构上看与负载串联(图1)，可以当作一个位于VIN和VOUT端之间的压控电阻。通过调整其内部电阻，使VIN值与内部电阻的压降之差(等于VOUT端

2015-12-07 15:23:03 7373

转载零欧姆电阻的十二种作用

我们经常在电路中见到0欧的电阻，对于新手来说，往往会很迷惑：既然是0欧的电阻，那就是导线，为何要装上它呢?还有这样的电阻市场上有卖吗?其实0欧的电阻还是蛮有用的。　　零欧姆电阻又称为跨接电阻器，是一种特殊用途的电阻，0欧姆电阻的并非真正的阻值为零(那是超导体干的事情)，正因为有阻值，也就和常规贴片电阻一样有误差精度这个指标。　　以下总结了零欧姆电阻的一系列用法。　　1.

2015-12-07 11:22:17 641

转载电源芯片选择DC/DC还是LDO？

这个取决于你的应用场合。比如用在升压场合，当然只能用DC/DC，因为LDO是压降型，不能升压。另外看下各自的主要特点：DC/DC:效率高，噪声大；LDO:噪声低，静态电流小；所以如果是用在压降比较大的情况下，选择DC/DC，因为其效率高，而LDO会因为压降大而自身损耗很大部分效率；如果压降比较小，选择LDO，因为其噪声低，电源干净，而且外围电路简单，成本低。LDO是low dr

2015-12-07 11:05:37 24848 3

转载晶振与负载电容总结

1．匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。2．负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精

2015-12-07 10:04:42 17330

转载测温芯片DS18B20详细解读

第一部分：DS18B20的封装和管脚定义首先，我们来认识一下DS18B20这款芯片的外观和针脚定义，DS18B20芯片的常见封装为TO-92，也就是普通直插三极管的样子，当然也可以找到以SO（DS18B20Z）和μSOP（DS18B20U）形式封装的产品，下面为DS18B20各种封装的图示及引脚图。了解了这些该芯片的封装形式，下面就要说到各个管脚的定义了，如下

2015-12-06 11:15:26 17978

转载原码, 反码, 补码详解

本篇文章讲解了计算机的原码, 反码和补码. 并且进行了深入探求了为何要使用反码和补码, 以及更进一步的论证了为何可以用反码, 补码的加法计算原码的减法. 论证部分如有不对的地方请各位牛人帮忙指正! 希望本文对大家学习计算机基础有所帮助! 一. 机器数和真值在学习原码, 反码和补码之前, 需要先了解机器数和真值的概念.1、机器数一个数在计算机中的二进制表示形式

2015-12-06 11:04:23 316

转载 STM32学习：GPIO的模式

最近在看数据手册的时候，发现在Cortex-M3里，对于GPIO的配置种类有8种之多：（1）GPIO_Mode_AIN 模拟输入（2）GPIO_Mode_IN_FLOATING 浮空输入（3）GPIO_Mode_IPD 下拉输入（4）GPIO_Mode_IPU 上拉输入（5）GPIO_Mode_Out_OD 开漏输出（6）GPIO_Mode_Out_PP 推挽输出

2015-12-04 16:03:25 877

转载 STM32学习：stm32的总线AMBA、AHB、APB

AMBAAMBA（Advanced Microprocessor Bus Architecture）是ARM公司提出的一种开放性的SoC总线标准，现在已经广泛的应用于RISC的内核上了。 AMBA定义了一种多总线系统（multilevel busing system），包括系统总线和等级稍低的外设总线。 AMBA支持32位、64位、128位的数据总线，和32位的地址总线，同时支持byt

2015-12-04 15:31:17 1519

原创 LDO和DC-DC的区别

DCtoDC包括boost(升压)、buck(降压)、Boost/buck(升/降压)和反相结构，具有高效率、高输出电流、低静态电流等特点，随着集成度的提高，许多新型DC-DC 转换器的外围电路仅需电感和滤波电容；但该类电源控制器的输出纹波和开关噪声较大、成本相对较高。 2.LDO：低压差线性稳压器的突出优点是具有最低的成本，最低的噪声和最低的静态电流。它的外围器件也很少，通常只有一两个旁路电

2015-12-04 09:58:06 6997

转载稳压二极管原理及使用

要理解稳压二极管的工作原理，只要了解二极管的反向特性就行了。所有的晶体二极管,其基本特性是单向导通。就是说，正向加压导通，反向加压不通。这里有个条件就是反向加压不超过管子的反向耐压值。那么超过耐压值后是什么结果呢?一个简单的答案就是管子烧毁。但这不是全部答案。试验发现，只要限制反向电流值(例如，在管子与电源之间串联一个电阻)，管子虽然被击穿却不会烧毁。而且还发现，管子反向击穿后，电流从大往小变，电

2015-12-03 16:13:14 9378

转载常用电压基准芯片

常用电压基准芯片： LM236D-2-5：2.5V基准电压源 400uA~10mA宽工作电流 LM236DR-2-5：2.5V基准电压源 400uA~10mA宽工作电流 LM236LP-2-5：2.5V基准电压源 400uA~10mA宽工作电流 LM285D-1-2：微功耗电压基准. 10uA~20mA宽工作电流 LM285D-2-5：微功耗电压基准. 10uA~20mA宽

2015-12-03 15:55:21 6736

原创 LDO与DCDC的区别与选择

传统的线性稳压器，如78xx系列的芯片都要求输入电压要比输出电压高出2v~3V以上，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5v转3.3v,输入与输出的压差只有1.7v，显然是不满足条件的。针对这种情况，才有了LDO类的电源转换芯片。LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所

2015-12-03 14:51:59 3782

转载用GPIO模拟SPI协议的实现

一 SPI协议概括SPI，是英语Serial Peripheral interface的缩写，顾名思义就是串行外围设备接口。是Motorola首先在其MC68HCXX系列处理器上定义的。SPI接口主要应用在 EEPROM，FLASH，实时时钟，AD转换器，还有数字信号处理器和数字信号解码器之间。SPI，是一种高速的，全双工，同步的通信总线，并且在芯片的管脚上只占用四根线，节约了芯片的管脚，

2015-12-03 10:48:04 4119

转载 SPI 三线与四线区别总结

关于SPi协议的三线和四线区分一直都比较疑惑.今天总结一下.在维基网上有如下一段话:Three-wire serial buses As mentioned above, one variant of SPI uses single bidirectional data line (slave out/slave in, called SISO)

2015-12-02 16:17:12 41337

转载 I2C串联保护电阻和上拉电阻的选择

中断，GPIO,I2C等一般都是OC或者OD门，芯片内部无上拉电阻时，则外部必须加上拉电阻才能输出高电平。一般I/O端的驱动能力在2～4mA量级，OC或者OD门的导通电压为0.4V左右，手机中加在上拉电阻上的电压一般都是2.8V，上拉电阻的最小值不能低于800R（2.8-0.4V/3mA=0.8K），5V电压时，则不能低于1.5K(5-0.4V/3mA=1.5K)。中断和GPIO信号本身，只需要产

2015-12-01 17:30:06 20469 3

Big crazy