第一代、第二代，第三代半导体材料分别有哪些

第一代半导体材料主要是硅,第二代半导体材料则以砷化镓为代表。

相比于前两代,第三代半导体材料主要有以下几类:

1.   GaN (氮化镓)

 属于第三代半导体材料,具有非常重要的应用价值:

• GaN 具有宽带隙(3.4eV),可以发光波长覆盖整个可见光谱。
• GaN 的热导率高,结合硅制作功率器件,大大提高了功率密度。
• GaN 可以工作在高温、高功率、高频环境。
• GaN 在制作发光二极管方面应用广泛,如蓝光 LED、全色 LED 显示屏等。
• 基于 GaN 的高电子迁移率晶体管(HEMT)工作频率可达数百GHz,用于制作无线基站等高频器件。
• GaN 也是制作紫外线检测器和发射器的理想材料
• 2.碳化硅(SiC)

具有更宽的带隙、更高的热导率、更强的热稳定性。用于高功率、高频、高温电子设备。

 3.砷化镓(GaAs)

具有更高的电子迁移率,可工作于更高频率。用于制作微波和光电子器件。

4.磷化铟(InP)

带隙宽度使其可用于1.3 μm와1.55 μm的光纤通信系统。

5.碲化镉(CdTe)

具有很高的光电转换效率,可用于薄膜太阳能电池。

6.砷化铝镓(AlGaAs)

可制作发光二极管和半导体激光器。

7.砷化铟镓(InGaAs)

具有高迁移率,应用于高速器件。

8.砷化铟磷(InGaAsP)

可制作1.3μm和1.55μm波段的半导体激光。

第三代半导体材料性能优异,在微电子学、光电子学等领域有广泛应用。