1 Nand flash 工作原理
S3C2410板的Nand Flash支持由两部分组成:Nand Flash控制器(集成在S3C2410 CPU)和Nand Flash存储芯片(K9F1208U0B)两大部分组成。当要访问Nand Flash中的数据时,必须通过Nand Flash控制器发送命令才能完成。所以, Nand Flash相当于S3C2410的一个外设,而不位于它的内存地址区.
1.1 Nand flash 芯片工作原理
Nand flash芯片型号为Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为64MB,采用块页式存储管理。8个I/O引脚充当数据、地址、命令的复用端口。
1.1.1 芯片内部存储布局及存储操作特点
一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为:
1设备(Device) = 4096 块(Blocks)
1块(Block) = 32页/行(Pages/rows) ;页与行是相同的意思,叫法不一样
1页(Page) = 528字节(Bytes) = 数据块大小(512Bytes分为前半页和和后半页) + OOB块大小(16Bytes)
在每一页中,最后16个字节(又称OOB)用于Nand Flash命令执行完后设置状态用,剩余512个字节又分为前半部分和后半部分。可以通过Nand Flash命令00h/01h/50h分别对前半部、后半部、OOB进行定位通过Nand Flash内置的指针指向各自的首地址。
存储操作特点:
1. 擦除操作的最小单位是块。
2. Nand Flash芯片每一位(bit)只能从1变为0,而不能从0变为1,所以在对其进行写入操作之前要一定将相应块擦除(擦除即是将相应块得位全部变为1).
3. OOB部分的第六字节(即517字节)标志是否是坏块,如果不是坏块该值为FF,否则为坏块。
4. 除OOB第六字节外,通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码(关于硬件ECC码请参看Nandflash 控制器一节).
1.1.2 重要芯片引脚功能
I/O0I/O7:复用引脚。可以通过它向nand flash芯片输入数据、地址、nand flash命令以及输出数据和操作状态信息。
CLE(Command Latch Enable): 命令锁存允许
ALE(Address Lactch Enable): 地址锁存允许
CE:芯片选择
RE:读允许
WE:写允许
WP:在写或擦除期间,提供写保护
R/B:读/忙输出
1.1.3 寻址方式
Samsung K9F1208U0B Nand Flash 片内寻址采用26位地址形式。从第0位开始分四次通过I/O0-I/O7进行
传送,并进行片内寻址。具体含义如下:
0-7位:字节在上半部、下半部及OOB内的偏移地址
8位:值为0代表对一页内前256个字节进行寻址
值为1代表对一页内后256个字节进行寻址
9-13位:对页进行寻址
14-25位:对块进行寻址
当传送地址时,从位0开始
1.1.4 Nand flash 主要内设命令详细介绍
Nand Flash命令执行是通过将命令字送到Nand Flash控制器的命令寄存器来执行。
Nand Flash的命令是分周期执行的,每条命令都有一个或多个执行周期,每个执行周期都有相映代码表示该周期将要执行的动作。
主要命令有:Read 1、Read 2、Read ID、Reset、Page Program、Block Erase、Read Status。
详细介绍如下:
1. Read 1:
功能:表示将要读取Nand flash存储空间中一个页的前半部分,并且将内置指针定位到前半部分的第一个字节。
命令代码:00h
2. Read 2:
功能:表示将要读取Nand flash存储空间中一个页的后半部分,并且将内置指针定位到后半部分的第一个字节。
命令代码:01h
3. Read ID:
功能:读取Nand flash芯片的ID号
命令代码:90h
4. Reset:
功能:重启芯片。
命令代码:FFh
5. Page Program:
功能:对页进行编程命令, 用于写操作。
命令代码:首先写入00h(A区)/01h(B区)/05h(C区), 表示写入那个区; 再写入80h开始编程模式(写入模式),接
下来写入地址和数据; 最后写入10h表示编程结束.
6. Block Erase
功能:块擦除命令。
命令代码:首先写入60h进入擦写模式,然后输入块地址; 接下来写入D0h, 表示擦写结束.
7. Read Status
功能:读取内部状态寄存器值命令。
命令代码:70h
2 Nand Flash 控制器工作原理
对Nand Flash存储芯片进行操作, 必须通过Nand Flash控制器的专用寄存器才能完成。所以,不能对NandFlash进行总线操作。而Nand Flash的写操作也必须块方式进行。对Nand Flash的读操作可以按字节读取。
2.1 Nand Flash 控制器特性
1. 支持对Nand Flash芯片的读、检验、编程控制
2. 如果支持从Nand Flash启动, 在每次重启后自动将前Nand Flash的前4KB数据搬运到ARM的内部RAM中
3. 支持ECC校验
2.2 Nand Flash 控制器工作原理
Nand Flash控制器在其专用寄存器区(SFR)地址空间中映射有属于自己的特殊功能寄存器,就是通过将NandFlash芯片的内设命令写到其特殊功能寄存器中,从而实现对Nand flash芯片读、检验和编程控制的。特殊功能寄存器有:NFCONF、NFCMD、NFADDR、NFDATA、NFSTAT、NFECC。寄存详细说明见下一节。
1. 配置寄存器(NFCONF):用于对Nand Flash控制器的配置状态进行控制。
2. 命令寄存器(NFCMD):用于存放Nand flash芯片内设的操作命令。
3. 地址寄存器(NFADDR):用于存放用于对Nand flash芯片存储单元寻址的地址值。
4. 数据寄存器(NFDATA):Nand flash芯片所有内设命令执行后都会将其值放到该寄存器中。同时,读出、写入Nand flash存储空间的值也是放到该寄存器。
5. 状态寄存器(NFSTAT):用于检测Nand flash芯片上次对其存储空间的操作是否完成。
6. ECC校验寄存器(NFECC):ECC校验寄存器。
3:实验代码:
3.1:NandFlash的初始化
void init_nand()
{
//时间参数设为:TACLS=0 TWRPH0=3 TWRPH1=0
NFCONF = 0x300;
/* 使能NAND Flash控制器, 初始化ECC, 禁止片选 */
NFCONT = (1<<4)|(1<<1)|(1<<0);
/* 复位NAND Flash */
NFCONT &= ~(1<<1); //发出片选信号
NFCMMD = 0xFF; //复位命令
wait_idle();//循环查询NFSTAT位0,直到它等于1
NFCONT |= 0x2; //取消片选信号
}
3.2:NandFlash的读操作
汇编代码:
ldr r0, =0x30000000 @1. 目标地址=0x30000000,这是SDRAM的起始地址
mov r1, #4096 @2. 源地址 = 4096,连接的时候,main.c中的代码都存在NAND Flash地址4096开始处
mov r2, #1024 @3. 复制长度= 1024(bytes),对于本实验的main.c,已经足够
bl nand_read_ll @调用C函数nand_read_ll
C部分:
/*buf:为目的地址;start_addr:为起始地址;size为复制的长度*/
void nand_read_ll(unsigned char *buf, unsigned long start_addr, int size)
{
int i, j;
if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK) || (size & NAND_BLOCK_MASK)) {
return ; /* 地址或长度不对齐 */
}
NFCONT &= ~(1<<1); //发出片选信号
for(i=start_addr; i < (start_addr + size);){
NFCMMD = 0; //发出READ0命令
s3c2440_write_addr(i); //Write Address
wait_idle(); //循环查询NFSTAT位0,直到它等于1
for(j=0; j < NAND_SECTOR_SIZE; j++, i++){
*buf = (unsigned char)NFDATA;
buf++;
}
}
NFCONT |= 0x2; //取消片选号
return ;
}
4:编译,下载测试。