存储器分类

存储器分类

为了缩小存储器与处理器两者之间在性能方面的差距，通常在计算机内部把各种不同容量和不同存取速度的存储器按一定的结构邮寄地组织在一起，以形成层次化的存储器体系结构。
通常存储器的速度越快则容量越小，就越将其靠近CPU。因此，最快的寄存器离ALU最近，然后是在CPU内部的cache，然后是在CPU芯片外的贮存，离CPU再远一点的就是磁盘，最后是海量后备存储器。
常见的存储器的分类如下：

SRAM

SRAM存储原件所用的MOS管多，占硅片面积大，因而功耗大，集成度低；因为采用一个正负反馈触发器电路来存储信息，所以只要直流供电电源一直加载电路上，就能一直保持记忆状态不变，因此无需刷新；也不会因为读操作而使状态发生改变，故无需读后再生；其存储原理可看做是对带时钟的RS触发器的读写过程；读写速度快，适合做高速小容量的半导体存储器。

DRAM

DRAM存储元件所用MOS管少，占硅片面积小，因而功耗小，集成度高；因为采用电容存储电荷来存储信息，会发生漏电现象，所以需要定时刷新；因为读操作会使状态发生改变，故需读后再生；其存储原理可看做是对电容充、放电的过程；读写速度相对SRAM慢，适合做慢速大容量的半导体存储器，如主存。

只读存储器

可分为MROM，PROM，EPROM，EEPROM等类型。其中MROM（掩膜只读存储器）存储内容固定，所以可靠性高，但灵活性差，生成周期长，可用于定性批量生成；PROM（可编程只读存储器）为一次编程型只读存储器；EPROM（可擦除可编程只读存储器）允许用户通过某种编程器向ROM芯片中写入信息，并可擦除所有信息后重新写入；EEPROM（电擦除可编程只读存储器）可用电来擦除和重编程，并可选择只删除个别字。

Flash存储器

Flash存储器（闪存），是高密度非易失性读写存储器，兼有ROM和RAM的优点，而且功耗低，集成度高，不需要后备电源，常用的有U盘和存储卡。

磁盘存储器

不是半导体材料的存储器，访问速度慢，存储容量大，非易失的，不存在写损耗问题。