Poricom:漫画图片文字识别工具

Poricom:漫画图片文字识别工具

Poricom Optical character recognition in manga images. Manga OCR desktop application Poricom 项目地址: https://gitcode.com/gh_mirrors/po/Poricom

项目介绍

Poricom 是一款专注于漫画图片中文字识别的桌面应用程序。尽管其主要面向漫画OCR应用,但它同样可以识别其他类型图片中的文字。该项目是 Manga OCR 库 的 GUI 实现(仅支持日语),并且集成了 Tesseract-API 的 Python 包装器 tesserocr(支持其他语言)。以下演示视频可以帮助您了解其工作原理。

  • 检测本地存储的漫画图片中的文字: Poricom Demo

  • 通过按下 Alt+Q 在当前屏幕上执行 OCR: Poricom Global Snipping

项目技术分析

Poricom 使用 Python 作为其主要编程语言,并且集成了多个OCR库来实现其核心功能。以下是其技术架构的简要分析:

  • Manga OCR 库:用于识别漫画中的日语文字。
  • Tesseract OCR:通过 tesserocr 包装器,支持多种语言的文字识别。
  • GUI界面:使用 Python 的 GUI 库构建用户友好的操作界面。

项目利用了现代OCR技术的强大能力,不仅能够识别标准文本,还能够处理漫画中复杂且不规则的文字布局。

项目及技术应用场景

Poricom 的主要应用场景包括但不限于以下几种:

  1. 漫画内容数字化:对于漫画爱好者和研究者来说,将漫画中的文字数字化可以方便检索和分析。
  2. 内容提取:当需要提取漫画中的对话或说明文字时,Poricom 可以大大提高效率。
  3. 多语言支持:通过集成 Tesseract API,Poricom 支持多种语言的识别,使其在国际化内容处理上也具有应用潜力。

项目特点

以下是一些使 Poricom 在同类项目中脱颖而出的特点:

  • 多格式支持:支持 cbz、cbr、pdf 等多种漫画文件格式。
  • 快捷键操作:通过 Alt+Q 快捷键实现全局截图并识别文字,增加了使用的便捷性。
  • 模型加载:加载 Manga OCR 模型,提高日语文字识别的准确性。
  • 自定义设置:用户可以根据需要更改语言和识别方向。

安装说明

用户可以从 Poricom 下载页面 下载最新版本的 zip 文件,解压到指定的目录中,确保 app 文件夹与 Poricom 快捷方式位于同一文件夹内。

系统要求

  • 推荐配置:至少 800 MB 硬盘空间和 2 GB 内存。
  • 运行应用程序大约需要 250 MB 的空闲空间和 200 MB 的内存。使用 Manga OCR 模型时,需要额外的 450 MB 空间和 800 MB 内存。

开发环境

  • 克隆仓库并安装 conda
  • 通过运行 conda env create -f environment/base.yaml 安装依赖。
  • 使用 conda activate poricom-py39 激活环境,并运行 python main.py 启动应用。

通过以上介绍,我们可以看到 Poricom 是一款功能强大且实用的漫画文字识别工具,无论是对于漫画爱好者还是专业人士,都具有很高的实用价值。如果您经常需要处理漫画中的文字内容,Poricom 无疑是您不容错过的开源项目。

Poricom Optical character recognition in manga images. Manga OCR desktop application Poricom 项目地址: https://gitcode.com/gh_mirrors/po/Poricom

创作声明:本文部分内容由AI辅助生成(AIGC),仅供参考

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/d0b0340d5318 在模拟集成电路设计中,模拟CMOS集成电路是核心技术之一,其核心在于N沟道场效应晶体管(NFET)和P沟道场效应晶体管(PFET)的运用。本问题重点研究这两种器件在漏源电压(VDS)保持不变时,漏电流(ID)随栅源电压(VGS)变化的规律,主要以NFET为例进行分析。 当VDS固定为3 V时,NFET的漏电流与VGS的关系可通过以下步骤确定:首先,绘制NFET的电路图,此时器件处于关闭状态(off condition),漏电流ID近乎为零。其次,漏电流的通用表达式为ID = μnCox(W/L)(VGS - VT)^2(VDS - VGS),其中μn为电子迁移率,Cox为单位面积栅氧化层电容,VGS和VDS分别表示栅源电压和漏源电压,VT为阈值电压,λ为通道长度调制系数,W为宽度,L为长度(此处L = 0.5微米)。接着,计算Cox的表达式,它是氧化层介电常数εox与栅氧化层厚度tox的乘积。然后,将εox和tox的具体数值代入Cox公式,并从教科书表2.1中获取其他参数值,如μn、VT、λ等,以计算ID。之后,将所有数值代入ID公式,得到ID随VGS变化的函数关系,并针对VGS从0.8 V到3 V的不同取值,计算出对应的ID值,将这些数据整理成表格。最后,利用这些数据绘制VGS与ID之间的曲线,形成NFET的漏电流曲线。 对于PFET,其工作原理与NFET相似,但PFET仅在VGS > VTP时导通,VTP为P沟道的阈值电压。计算PFET的漏电流ID时,需考虑其特有的参数,如空穴迁移率(μp),并采用类似的步骤处理VGS和VDS的关系,最终绘制漏电流曲线。 通过这种分析,设计者能够理解并预测模拟CMOS集成电路中NFET和PFET在不同工作条件下的性能表现,这对于优化电路设计、降低功
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包

打赏作者

申梦珏Efrain

你的鼓励将是我创作的最大动力

¥1 ¥2 ¥4 ¥6 ¥10 ¥20
扫码支付:¥1
获取中
扫码支付

您的余额不足,请更换扫码支付或充值

打赏作者

实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值