一个mos管驱动电路的分析

最新推荐文章于 2021-09-05 14:29:15 发布
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分类专栏： 模拟电路

Q10和Q9是轮流导通。
PWM信号为正的时候，Q9导通，因为D5，Q10的基极电位比发射极电位低。Q10截止，Q9的栅极的电位被钳位在0V左右， PWM信号为0或者负的时候，Q9截止，Q10导通，15V电压通过R10加到R1和Q8的栅极

电平转换是精髓

我觉得这个二极管最大的作用还是让上面的三极管形成射极跟随，不然vbe,无压降，mos只能靠10k电阻打开

gtkknd
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专栏目录
一个比较经典的MOS管驱动电路
01-30
一个比较经典的MOS管驱动电路 一个比较经典的MOS管驱动电路 一个比较经典的MOS管驱动电路 一个比较经典的MOS管驱动电路 一个比较经典的MOS管驱动电路 一个比较经典的MOS管驱动电路
MOS管驱动变压器隔离电路分析和应用
08-10
在设计单端变压器耦合MOS管驱动电路时，需要考虑磁芯复位时间，以确保其在整个开关周期内能够正确恢复。隔直电容的添加是为了提供重启电压，避免因占空比和磁化电压关系导致的磁性饱和。另一方面，双端变压器耦合则...
mos管驱动电路
gtkknd的专栏
10-27 1907
注意Q10的基极和D5的阴极直接相连 Q10和Q9是轮流导通。 PWM信号为正的时候，Q9导通，因为D5，Q10的基极电位比发射极电位低。Q10截止，Q9的栅极的电位被钳位在0V左右， PWM信号为0或者负的时候，Q9截止，Q10导通，15V电压通过R10加到R1和Q8的栅极。 我觉得这个二极管最大的作用还是让上面的三极管形成射极跟随，不然vbe,无压降，mos只能靠10k电阻打开 ...
MOS管驱动电路，看这里就啥都懂了！
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天下对手教会少林武僧
08-23 11万+
一、MOS管驱动电路综述 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MO...
MOS管（三极管）——一些常用的硬件设计电路分析
霁风AI
07-11 8539
前言： 为了方便查看博客，特意申请了一个公众号，附上二维码，有兴趣的朋友可以关注，和我一起讨论学习，一起享受技术，一起成长。 1. 概述 芯片的集成度虽然越来越高，但是整个电路功能的实现，还是离不开分离器件的搭配，本文就针对笔者在实际工作中的关于 MOS 管（三极管）的应用做一些整理。 本文所介绍的功能，使用三极管也是可以的，但是实际应用中，多使用 MOS 管，故本文多以 MOS 管进行说明。 2. 应用 2.1 NMOS 开关控制 如图，通过 NMOS 的开关作用，完成对 LED 的亮灭控制。此时
MOS驱动电路
今天好像忘写了
09-05 8323
MOS驱动电路图 MOS驱动有许多种，下面是常见的一种MOS驱动电路。 电路详解 MOS是电压控制型器件，当栅极G端电压达到开启电压时，DS端就会有电流通过；反之，栅极G端电压低于开启电压时，DS端呈现断开状态，因此可以通过控制栅极电压的大小来控制MOS管的导通。 由MOS管的特性可知，寄生电容Cgs两端的电压决定着栅极电压的大小，所以MOS开通关断的过程即寄生电容Cgs充放电的过程。 10Ω电阻：由于驱动IC输出与MOS之间存在电感，与MOS的寄生电容会产生振荡，需要电阻来增大振荡阻尼，避免
mos管h桥电机驱动电路图
07-14
实践驱动电路中通常要用硬件电路便当地控制开关，电机驱动板主要采用两种驱动芯片，一种是全桥驱动HIP4082，一种是半桥驱动IR2104，半桥电路是两个MOS管组成的振荡，全桥电路是四个MOS管组成的振荡。其中，IR2104型
MOS管驱动电路详解.docx
09-02
MOS管驱动电路是电子行业中一个非常重要的部分，它广泛应用于开关电源、马达驱动、照明调光等领域。为了设计优秀的MOS管驱动电路，需要了解MOS管的种类、结构、导通特性、驱动方式等知识点。 一、MOS 管种类和结构 ...
MOS管驱动电路设计总结.docx
10-03
### MOS管驱动电路设计总结 #### 一、MOS管驱动设计概述 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作为电子系统中的关键元件，在电力电子设备的设计中扮演着极其重要的角色。为了确保MOS管能够...
基于MOS管驱动变压器隔离电路分析和应用
08-10
在单端变压器耦合MOS管驱动电路中，隔直电容放置在源边，提供重启电压，防止变压器磁饱和。如果没有这个电容，磁化电压将与占空比相关，可能导致变压器饱和。另一方面，双端变压器耦合驱动电路提供了更复杂的解决...
MOS管驱动电路详解
07-26
本文采用自举升压电路，设计了一种BiCMOS Totem结构的驱动电路。该电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计，可在1.5V电压供电条件下正常工作，而且在负载电容为60pF的条件下，工作频率可达5MHz以上。
MOS管驱动电路图
08-31
MOS管驱动电路图 NMOS PMOS 刚开始可能都不知道从电源正极出来，是应该先接负载还是MOS管 那是因为还没有真正理解MOS管的驱动原理，学习下吧。
电源设计经验之MOS管驱动电路分享
01-12
在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、电压、电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。开关导
电源设计经验之MOS管驱动电路篇.doc
09-13
电源设计经验之MOS管驱动电路篇doc,MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。
FD6288 6路MOS管驱动
07-27
FD6288是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET和IGBT设计，可在高达+250V电压下工作。 FD6288内置VCC/VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD6288内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET或IGBT直通，有效保护功率器件。FD6288内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。
MOS管常用驱动电路
tingyu522的博客
08-25 9328
在使用MOSFET设计开关电源时，或是使用MCU驱动MOS管时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。 当IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接IC与MOS管就显得尤其重要了。 一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求： 开关管开通瞬时，驱动
MOS管驱动电路设计与分析
"MOS管驱动电路" MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）在电子电路设计中扮演着至关重要的角色，尤其是作为开关元件在开关电源和电机驱动电路中。MOS管有多种类型，包括增强型N沟道MOS管、增强型P沟道MOS管，而...
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