OneNand是针对消费类电子和下一代移动手机市场而设计的,一种高可靠性嵌入式存储设备。
随着过去几十年的Nand技术的发展,一些公司,基于原先的NAND的架构,
设计出一种理想的单存储芯片,其集成了SRAM的缓存和逻辑接口。
OneNand既实现NOR Flash的高速读取速度,又保留了Nand Flash的大容量数据存储的优点。
与OneNand对应的是之前早就出现的Nand Flash和Nor Flash。
OneNand Nand Nor 三种Flash的区别:
应用需求 | NAND | OneNAND | NOR |
快速随机读取 |
|
| √ |
快速顺序读取 | √ | √ | √ |
快速 写/编程 | √ | √ |
|
同时擦除多个块 |
| √ (最大64个块) | √ |
擦除的挂起/恢复 |
| √ | √ |
写回 | √(错误检测) | √ (错误检测与纠正) |
|
锁/解锁/紧锁 |
| √ | √ |
错误纠正 | 外部 (硬件/软件) | 内置 | 不需要 |
扩展性 | √ | √ |
|
OneNAND闪存,由Samsung开发,支持更快速数据吞吐和更高的密度,这两点是满足高分辨率摄影、视频和其他媒体应用的两个主要要求。
OneNAND可看作NOR和NAND技术的一种混合。从本质上来讲,一个单独的OneNAND芯片集成了一个NOR闪存接口,NAND闪存控制器逻辑、一个NAND闪存阵列,以及高达5 KB的缓冲RAM。至于速度,它能以高达108 MB/s的持续读数据率传输。
OneNAND器件有两种类型:muxed和demuxed。对于muxed型,地址引脚和数据引脚结合在一起,而demuxed型芯片这两个引脚是分开的。当关注的是减少引脚数时,选择muxed OneNAND可能好一些。另外,muxed OneNAND只工作在1.8V,demuxed的密度较低,不到1 Gbit,demuxed有1.8V 和3.3V两种选择。如果muxed或demuxed器件的密度超过1 Gbit,则只能选择1.8V的工作电压。
基于OneNAND的芯片组的主要目标将是3G电话。写速度为17MB/s的这种存储器能保证对超过HSDPA规定的连续数据流无线下载。除多媒体手机设计外,OneNAND肯定是混合硬盘用非易失性缓冲器一个有价值的选择。目前,采用60nm工艺技术的芯片可提供高达2 Gb的存储容量,并且在今年晚些时候,将可能出现采用50nm工艺技术容量达4Gb的芯片。
总之,NOR闪存适合代码存储,就是说,固件、器件应用等,而NAND闪存处理存储量大的类似于硬盘驱动的例行工作。OneNAND闪存两个优点都具备,它能胜任代码和海量数据存储,同时效率更高。
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