存储器的种类:分为易失性存储器和非易失性存储器
易失性存储器(掉电数据会丢失、读写速度快):RAM(random access memory随机存储内存)又分为DRAM(动态随机存储内存)和SRAM(静态随机存储内存)
DRAM(动态随机存储内存)内部电路原理
SRAM(静态随机存储内存)内部电路原理
有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。 DRAM分为很多种,常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,这里介绍其中的一种DDR RAM
特性 | DRAM | SRAM |
存取速度 | 较慢 | 较快 |
集成度 | 较高 | 较低 |
生产成本 | 较低 | 较高 |
是否需要刷新 | 是 | 否 |
SDRAM(Synchronous DRAM):时钟同步动态随机存储内存,在上升沿时读写数据
DDR|| SDRAM(内存条DDR2):在上升/下降沿时读写数据,时钟极限频率可达800MHZ
DDR||| SDRAM(内存条DDR3):在上升/下降沿时读写数据,时钟极限频率可达1600MHZ
程序运行时缓冲数据存放在RAM
非易失性存储器(掉电数据不会丢失、读写数据慢)
ROM(Read Only Memory)
EEROM:可重复擦写、电擦除、使用方便,并且读写数据是以位来读写。
FLASH(又称为闪存,可擦除、意是就是可以时常下载程序,比EEROM容量大,擦除一般以字节为单位。):分为NOR FLASH和NAND FLASH(SSD硬盘)。NOR flash一般用来存储程序;
像我们的单片机的FLASH都是NOR FLASH程序在片上执行,可理解随机读取里面的数据,读取速度快(地址和数据分开的)、并且优势是以字节为读写数据,NAND FLASH 是以快为读写。
NAND FLASH一般用来存储数据。
特性 | NOR FLASH | NAND FLASH |
同容量存储器成本 | 较贵 | 较便宜 |
集成度 | 较低 | 较高 |
介质类型 | 随机存储 | 连续存储 |
地址线和数据线 | 独立分开 | 共用 |
擦除单元 | 以“扇区块”擦除 | 以“扇区块”擦除 |
读写单元 | 可以基于地址字节读写 | 必须为“块”为单位读写 |
读取速度 | 较高 | 较低 |
写入速度 | 较低 | 较高 |
坏快 | 较少 | 较多 |
是否支持XIP | 支持 | 不支持 |
单片机中flash和sram都有存储功能,但是存储的类型的不一样,flash是闪存一般存储烧录的源码程序的,固化断电不要改变,相对于我们电脑的ROM功能(外存);而sram存储的一般是cup运行时产生的临时文件,相对于电脑的RAM功能(内存)