Flash 读写

使用实验34 FLASH模拟EEPROM实验的Flash写操作函数 STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)    从0x08003000开始写入数据， 一次写入200个字节，刚开始写入正常，但是当起始地址为0x080033e8的时候，再写入200个字节时，从 0x08003400开始就再也写不进去了，   从0x08003000开始写 这是为什么， 我的芯片是 STM32F103RBT6 void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)  { u32 secpos;   //扇区地址 u16 secoff;   //扇区内偏移地址(16位字计算) u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)      u16 i;     u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址 if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址 FLASH_Unlock(); //解锁 offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址. secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6 secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.) secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小    if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围 while(1)  {  STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容 for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据 { if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除     } if(i<secremain)//需要擦除 { FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区 for(i=0;i<secremain;i++)//复制 { STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer ;   } STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区   }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.    if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了 else//写入未结束 { secpos++; //扇区地址增1 secoff=0; //偏移位置为0     pBuffer+=secremain;   //指针偏移 WriteAddr+=secremain; //写地址偏移      NumToWrite-=secremain; //字节(16位)数递减 if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完 else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了 }   };  FLASH_Lock();//上锁 解决：注意这句是关键： WriteAddr+=secremain*2; //写地址偏移(16位数据地址,需要*2)