EEPROM、FLASH和其它存储器有何不同？

      最初的存储器有随机存取的（RAM）和只读的（ROM）,现每一种都有亚型,甚至有混合型的第三类存储器。RAM系列中有静态的（SRAM）和动态的（DRAM）。ROM从掩膜ROM演化到PROM（可编程的ROM）和EPROM（可擦写可编程ROM）。混合型的存储器有EEPROM、FLASH和NVRAM。EEPROM和FLASH存储器是ROM的子代,而NVRAM是SRAM的改版。 EEPROM是电可擦除的、可编程的ROM。FLASH存储器是存储器技术最新的发展。FLASH和EEPROM技术十分类似,是EEPROM的变种。它们主要的差别是：FLASH一次只能擦除一个块,而不是一字节一字节地擦除。典型的块大小在256B~16KB范围。FLASH容量可以做得很大,且价格适中。FLASH比EEPROM要流行得多,并且还迅速地取代了很多ROM、PROM和EPROM。 NVRAM通常只是一个带有后备电池的SRAM,价格昂贵。它的使用次数没有限制,而EPROM、EEPROM和FLASH都有擦写次数的限制。