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锂电池保护芯片
深圳市晶立弘泰电子
这个作者很懒,什么都没留下…
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LN61CN3002MR XC61CN3002MR SOT23丝印CNZL 3.0V电压复位检测芯片
客户可选择 CMOS 输出或 Open Drain 输出。LN61C 系列芯片是使用 CMOS 技术开发的高精度、低功耗、输出配置:N-channel open drain 或 CMOS。小封装电压检测芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持。检测电压范围:1.0V~6.0V,100mV 步进。检测电压温度特性:±100ppm(typ.)低功耗:2.0µA(Vin=1.5V)工作电压范围:0.7V~7.0V。系统电池寿命和充电电压监视。原创 2024-01-08 11:31:08 · 362 阅读 · 0 评论 -
LN61CN2702MR XC61CN2702MR丝印CNVL 2.7V电压检测芯片 检测/复位
客户可选择 CMOS 输出或 Open Drain 输出。LN61C 系列芯片是使用 CMOS 技术开发的高精度、低功耗、输出配置:N-channel open drain 或 CMOS。小封装电压检测芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持。检测电压范围:1.0V~6.0V,100mV 步进。检测电压温度特性:±100ppm(typ.)低功耗:2.0µA(Vin=1.5V)工作电压范围:0.7V~7.0V。系统电池寿命和充电电压监视。原创 2024-01-08 10:09:05 · 582 阅读 · 0 评论 -
LN61CN2502MR SOT23-3L丝印CNTL 2.5V电压检测芯片IC高精度低功耗
客户可选择 CMOS 输出或 Open Drain 输出。LN61C 系列芯片是使用 CMOS 技术开发的高精度、低功耗、输出配置:N-channel open drain 或 CMOS。小封装电压检测芯片。检测电压在小温度漂移的情况下保持。检测电压范围:1.0V~6.0V,100mV 步进。检测电压温度特性:±100ppm(typ.)低功耗:2.0µA(Vin=1.5V)工作电压范围:0.7V~7.0V。系统电池寿命和充电电压监视。原创 2024-01-05 18:20:35 · 338 阅读 · 0 评论 -
LN8236AMR SOT23-6L 丝印6AMA过充4.3V 二合一单节锂电池保护芯片
LN8236 具有非常小的 SOT23-6L 的封装,这使得该器。LN8236 包括了先进的功率MOSFET,高精度的电压检测电。件非常适合应用于空间限制得非常小的可充电电池组应用。LN8236 产品是单节离子/聚合物可充电电池组保护的高集成。有过充、过放、过流、短路等所有的电池所需保护功能,并且工作时。该芯片不仅仅是为手机而设计,也适用于一切需要离子。或鲤聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合。原创 2023-12-23 11:02:09 · 488 阅读 · 0 评论 -
LN8232C5FMR替换XB5352A SOT23-5 二合一单节锂电保护IC芯片 CFMB
用于锂离子/聚合物电池保护。LN8232提供了高度集成的解决方案。集成高级功率MOSFET(50mΩ)包含先进的功率MOSFET,高精度。在储存期间从电池中消耗很少的电流。该设备适用于任何锂离子和锂聚合物。0V0V电池充电启用/禁用功能。LN8232具有所有保护功能。过充电、过放电、过电流和负载。操作模式:典型3.0μA。断电模式:最大0.1μA。电压检测电路和延迟电路。电池应用中所需的,包括。需要电池供电的信息设备。电池单元反向连接的保护。短路保护等低待机电流。原创 2023-12-21 16:21:05 · 600 阅读 · 0 评论 -
LN8232C5AMR替换DW03 SOT23-5丝印CAMB 二合一单节锂电保护芯片IC
用于锂离子/聚合物电池保护。LN8232提供了高度集成的解决方案。集成高级功率MOSFET(50mΩ)包含先进的功率MOSFET,高精度。在储存期间从电池中消耗很少的电流。该设备适用于任何锂离子和锂聚合物。0V0V电池充电启用/禁用功能。LN8232具有所有保护功能。过充电、过放电、过电流和负载。操作模式:典型3.0μA。断电模式:最大0.1μA。电压检测电路和延迟电路。电池应用中所需的,包括。需要电池供电的信息设备。电池单元反向连接的保护。短路保护等低待机电流。原创 2023-12-21 15:48:20 · 456 阅读 · 0 评论 -
LN8238AMR替换DW01 SOT23-6L 8AMA 单节锂离子保护芯片 0V可充电
1S2181 具有高精观度的电压检测与时间能迟电路,替。W充电功论《电独电压30,7》和白恢复功能。[%238元是一款程电他保护电降,为看免理山他为过充。电,过放电,电筑过大导致电池寿备墙忽院电油银损坏自没。我和射期信号排有及屏蔽太笨的产晶,另请客产恒用本产品。过免电巨晚测 4.20V,这允电压释攻 4.10V。过放电丘险测 2.4V,这成电压科咸 30V。过流枪测 0.16v,路电该检测 1.3。采同 SOT23-8L 封装。南务必做成品整机验证,小封张:SOT23-6。原创 2023-12-21 10:55:31 · 440 阅读 · 0 评论