SSDsim源码分析之make_aged

SSDsim是一个针对SSD进行模拟仿真的软件系统，所以针对已经使用过的SSD也需要进行一定程度的模拟，因为SSD存在着磨损耐性的问题。在SSD上存储的数据，除了无法进行覆盖写操作之外，其擦除数据的操作也是对块级block为单位进行整块擦除的，因此每一个block都会有一个对应的擦除上限。一旦该block的擦除次数达到了 earse_limit，则该block便无法像正常的block一样能够保证数据的存储正确率。也就是说虽然此时可以继续写入数据，但是这种状态下的block下无法保证数据的正确率。因此，不同的SSD具有不同的磨损程度。这篇博文我们先简单介绍下关于SSD的存储原理以及存储单元的物理特性，接着介绍下SSDsim中针对磨损程度进行的模拟函数make_aged。

SSD存储原理

而今常见的SSD为基于Flash介质的SSD，所有类型的ROM和Flash芯片都使用了一种名为“浮动门场效应晶体管”的基本存储介质。与传统的HDD使用磁性介质不同，这种晶体管(也称为cell)是使用了电荷来标识数据的存储情况。在计算机中的数据只有0和1这两种状态，所以传统的磁盘介质是使用了一块磁粒子区来保存1或者0，而SSD的cell当充电时表示状态0，放电后表示状态1。cell是一个逻辑电路，这个电路通过被二氧化硅绝缘层包裹着，通过外部的门电路进行控制，在Word_line（即字线）上抬高电荷电势产生一个电场，这个电场就被这个绝缘层所填充，由于电势的抬高，电子从这一电极流向另一个源电极，在其流动中具有足够动能的电子便会穿过该绝缘层到达浮动门。在这个充电过程中电子便会存储在这个浮动门中，而且由于绝缘层的物理特性，在字线恢复电势后控制门便会断开电场，此时电子可以保存在被绝缘层包裹的浮动门中长达数年之久。这就是SSD的存储介质的存储原理。下面是关于浮动门的相关图解：

而cell主要有两种类型：MLC（Multi Level Cell）和SLC（Single Level Cell）,其中SLC的cell可以保存1B的数据，而MLC可以保存2B的数据。所以MLC容量是SLC的两倍，但是SLC的IO速度却比MLC要快得多。而且无论是SLC还是MLC都需要有一个额外的区域ECC作为存储校验信息。

至此我们可以了解到，Cell是通过浮动门中的充电情况来判断是存储1或0的。以上的cell存储情况便是SLC的cell，而MLC的cell则是通过让cell具备4个阀值，其中每个阀值都表示了一种状态。每次充电时都利用特定电路控制充电程度，充电至一定阀值之上而低于特定的某一阀值。这样可以用MLC的cell表示4中状态分别是00、01、10、11.
如下图所示是cell 的阵列示意图。我们可以看到每一个cell串都是由多个cell串联而成，每一次读/写时只能在一个cell串中读写其中的某一个cell，而多个cell串并联就可以实现同时并行读写多位数据。所以SSD读写的基本单元是page，故每一个page中的所有bit都会位于一个cell串中相同的位置上，从而形成了字线的长度。字线便是将每个cell串上属于同一个page的所有cell串联起来的导线，而将每个cell串中所有cell串联起来的称为位线。

在SSD的数据写入过程中，待写入的数据必须经过ECC校验后才可以和校验完成后的ECC数据一齐写入存储芯片中，而读取数据过程中，数据则会和ECC信息一起读出同时做校验，只有校验成功后才会通过外部总线发送出去。因此ECC校验计算有一个专用的运算器，这个会定制在SSD的内部处理器中。而SSD会有一块很大容量的DRAM。并且还有专属于自己的CPU操作代码和体系。

旧化模拟函数make_aged

从上面关于SSD存储原理的介绍我们可以了解到浮动门电路的物理存储特性，对于整个block的page上所有浮动门电路来说，都会有一个最大的充放电次数的限制。因此SSD的耐性通常比HDD要差很多就是因为这种物理特性。

SSDsim提供了一个模拟函数make_aged进行旧化率的模拟，主要的功能是模拟真实使用过一段时间的SSD，此时的SSD中有部分物理特性参数会发生改变，这个函数便是通