硬件基础知识
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理解CPU/寄存器/内存三者关系
CPU/寄存器/内存 CPU,全名Central Processing Unit(中央处理器)。这是一块超大规模的集成电路,包含上亿的晶体管,是一台计算机的运算核心(Core)和控制核心(ControlUnit)。它的功能主要是解释计算机指令以及处理计算机软件中的数据。 它的主要构成是:运算器、控制器、寄存器 运算器:可以执行定点或浮点算术运算操作、移位操作以及...转载 2019-02-12 23:50:28 · 1121 阅读 · 0 评论 -
芯片阅读方法
Datasheet为何难读?难点有三:1、语言风格 —— 跟平常我们所阅读的新闻、报导都不一样,好多数据手册在 表达意思上的连贯性做得不好,没有太大联系的两句话就放在了一起,没办法,只得接受(莫非这也是中外思维的差异?)2、长句太多 —— 为保证严谨,不至于让读者产生误解,数据手册通常多用长句描述,并且长句所描述问题都比较关键。这很让人头疼,要连贯地理解这些长句,需要较好的记忆力。当然,俺...原创 2019-10-25 21:17:06 · 458 阅读 · 0 评论 -
芯片专业词汇总结
芯片专业词汇:Status Monitoring :状态检查Data Polling Status:数据轮询状态Common Flash Interface(CFI):公共flash接口Timing Specifications:时序特性Electrical Specifications:电气特性AC Characteristics:交流特性Ordering Infor...原创 2019-10-25 21:17:29 · 1797 阅读 · 0 评论 -
NOR FLASH和NAND FLASH基本结构和特点
非易失性存储元件有很多种,如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH,前两者已经基本被淘汰了,因此我仅关注后两者,本文对FLASH的基本存储单元结构、写操作、擦除操作和读操作的技术进行了简单介绍,对了NOR和NAND由存储结构决定的特性和应用场合的差异,对后续的硬件设计和驱动编程起到铺垫作用。1 FLASH基本存储单元---浮栅场效应管NOR FLASH和NAND...转载 2019-03-15 00:44:30 · 2422 阅读 · 0 评论 -
NAND FLASH 和NOR FLASH工作原理
存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极、漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而FLASH为双栅极结构,在栅极与硅衬底之间增加了一个浮置栅极。浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的,中间的氮化物就是可以存储电荷的电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于50埃,以避...翻译 2019-03-15 00:50:30 · 4141 阅读 · 2 评论 -
奇、偶校验原理
参见:“https://blog.csdn.net/zzqwater/article/details/53163300”原创 2019-03-20 22:04:03 · 14487 阅读 · 0 评论 -
RS232、RS485、USB等电平标准
常用的电平标准有:RS232、RS485、USB电平、TTL、LVTTL、CMOS、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL等,还有一些速度比较高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面简单介绍一下各自的供电电源、电平标准以及使用注意事项。符号:VOH:输出高电平,VOL:输出低电平, VIH:输入高电平,VIL:输入低电平1、TTL:Transistor-T...原创 2019-05-18 20:56:47 · 16251 阅读 · 1 评论 -
RC微分积分电路/RC滤波电路/RC脉冲分压器/RC耦合电路
在模拟及脉冲数字电路中,常常用到由电阻R和电容C组成的RC电路,在些电路中, 电阻R和电容C的取值不同、输入和输出关系以及处理的波形之间的关系,产生了RC电路的 不同应用,下面分别谈谈微分电路、积分电路、耦合电路、脉冲分压器以及滤波电路。1. RC微分电路 如图1所示,电阻R...转载 2019-05-18 21:23:11 · 5653 阅读 · 0 评论