DS18B20

DS18B20简介】 

  DS18B20数字温度传感器接线方便，封装成后可应用于多种场合，如管道式，螺纹式，磁铁吸附式，不锈钢封装式，型号多种多样，有LTM8877，LTM8874等等。主要根据应用场合的不同而改变其外观。封装后的DS18B20可用于电缆沟测温，高炉水循环测温，锅炉测温，机房测温，农业大棚测温，洁净室测温，弹药库测温等各种非极限温度场合。耐磨耐碰，体积小，使用方便，封装形式多样，适用于各种狭小空间设备数字测温和控制领域。

1: 技术性能描述

  ① 、 独特的单线接口方式，DS18B20 在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20 的双向通讯。

   ② 、测温范围 －55℃ ～+125℃ ，固有测温分辨率0.5℃ 。

  ③ 、支持多点组网功能，多个DS18B20 可以并联在唯一的三线上，最多只能并联8 个，实现多点测温，如果数量过多，会使供电电源电压过低，从而造成信号传输的不稳定。

  ④ 、工作电源: 3~5V/DC

   ⑤ 、在使用中不需要任何外围元件

  　⑥、 测量结果以9~12位数字量方式串行传送

2:应用范围

   ① 、该产品适用于冷冻库，粮仓，储罐，电讯机房，电力机房，电缆线槽等测温和控制领域

 ②  、轴瓦，缸体，纺机，空调，等狭小空间工业设备测温和控制。

  ③ 、  汽车空调、冰箱、冷柜、以及中低温干燥箱等。

  ④ 、供热/制冷管道热量计量，中央空调分户热能计量和工业领域测温和控制

3: 引脚图

DS18B20引脚定义：

  (1)DQ为数字信号输入/输出端；

  (2)GND为电源地；

  (3)VDD为外接供电电源输入端（在寄生电源接线方式时接地）。

DS18B20有4个主要的数据部件：

　　（1）光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该DS18B20的地址序列码。64位光刻ROM的排列是：开始8位 （28H）是产品类型标号，接着的48位是该DS18B20自身的序列号，最后8位是前面56位的循环冗余校验码（CRC=X8+X5+X4+1）。光刻ROM的作用 是使每一个DS18B20都各不相同，这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。

　　（2）DS18B20中的温度传感器可完成对温度的测量，以12位转化为例：用16位符号扩展的二进制补码读数形式提供，以 0.0625℃/LSB形式表达，其中S为符号位。

　　

　　这是12位转化后得到的12位数据，存储在18B20的两个8比特的RAM中，二进制中的前面5位是符号位，如果测得的温度大于0， 这5位为0，只要将测到的数值乘于0.0625即可得到实际温度；如果温度小于0，这5位为1，测到的数值需要取反加1再乘于0.0625即可得到实际 温度。 例如+125℃的数字输出为07D0H，+25.0625℃的数字输出为0191H，-25.0625℃的数字输出为FE6FH，-55℃的数字输出为FC90H 。

　

　　（3）DS18B20温度传感器的存储器 DS18B20温度传感器的内部存储器包括一个高速暂存RAM和一个非易失性的可电擦除的EEPRAM,后者存放高温度和低温度触发器 TH、TL和结构寄存器。

　　（4）配置寄存器 该字节各位的意义如下：

　　表3：配置寄存器结构

TM

R1

R0

1

1

1

1

1

　低五位一直都是"1"，TM是测试模式位，用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式。在DS18B20出厂时该位被设置为0，用 户不要去改动。R1和R0用来设置分辨率，如下表所示：（DS18B20出厂时被设置为12位）

　　表4：温度分辨率设置表

　　

R1	R0	分辨率	温度最大转换时间
0	0	9位	93.75ms
0	1	10位	187.5ms
1	0	11位	375ms
1	1	12位	750ms

　　

　4、高速暂存存储器高速暂存存储器由9个字节组成，其分配如表5所示。当温度转换命令发布后，经转换所得的温度值以二字节补码形式存放在高速暂存存储器的第0和第1个字节。单片机可通过单线接口读到该数据，读取时低位在前，高位在后，数据格式如表1所示。对应的温度计算： 当符号位S=0时，直接将二进制位转换为十进制；当S=1时，先将补码变为原码，再计算十进制值。表 2是对应的一部分温度值。第九个字节是冗余检验字节。

　　表5：DS18B20暂存寄存器分布

寄存器内容	字节地址
温度值低位 （LSByte）	0
温度值高位 （MSByte）	1
高温限值（TH）	2
低温限值（TL）	3
配置寄存器	4
保留	5
保留	6
保留	7
CRC校验值	8

　根据DS18B20的通讯协议，主机（单片机）控制DS18B20完成温度转换必须经过三个步骤：每一次读写之前都要对DS18B20进行 复位操作，复位成功后发送一条ROM指令，最后发送RAM指令，这样才能对DS18B20进行预定的操作。复位要求主CPU将数据线下拉500微秒，然后 释放，当DS18B20收到信号后等待16～60微秒左右后发出60～240微秒的存在低脉冲，主CPU收到此信号表示复位成功。

　　表6：ROM指令表

指 令	约定代码	功 能
读ROM	33H	读DS1820温度传感器ROM中的编码（即64位地址）
符合 ROM	55H	发出此命令之后，接着发出 64 位ROM 编码，访问单总线上与该编码相对应的DS1820 使之作出响应，为下一步对该DS1820 的读写作准备。
搜索 ROM	0FOH	用于确定挂接在同一总线上 DS1820的个数和识别 64 位 ROM 地址。为操作各器件作好准备。
跳过 ROM	0CCH	忽略 64 位 ROM 地址，直接向 DS1820 发温度变换命令。适用于单片工作。
告警搜索命令	0ECH	执行后只有温度超过设定值上限或下限的片子才做出响应。

　表6：RAM指令表

指 令	约定代码	功 能
温度变换	44H	启动DS1820进行温度转换，12位转换时最长为750ms（9位为93.75ms）。结果存入内部9字节RAM中。
读暂存器	0BEH	读内部RAM中9字节的内容
写暂存器	4EH	发出向内部RAM的3、4字节写上、下限温度数据命令，紧跟该命令之后，是传送两字节的数据。
复制暂存器	48H	将RAM中第3 、4字节的内容复制到EEPROM中。
重调 EEPROM	0B8H	将EEPROM中内容恢复到RAM中的第3 、4字节。
读供电方式	0B4H	读DS1820的供电模式。寄生供电时DS1820发送“ 0”，外接电源供电 DS1820发送“ 1”。

　　在外部电源供电方式下，DS18B20工作电源由VDD引脚接入，此时I/O线不需要强上拉，不存在电源电流不足的问题，可以保证转换精度，同时在总线上理论可以挂接任意多个DS18B20传感器，组成多点测温系统。注意：在外部供电的方式下，DS18B20的GND引脚不能悬空 ，否则不能转换温度，读取的温度总是85℃。

测温连接：外部供电方式单点测温电路